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[发明专利]碳化硅单晶体的制备方法-CN202110947038.X有效
发明人：付芬;张洁 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及碳化硅单晶体的制备方法；本发明的碳化硅单晶体的制备方法包括提供硅衬底，硅衬底的尺寸为8‑12英寸；在硅衬底上外延生长一层碳化硅；将硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层；用物理气相传输法对碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。本发明的碳化硅单晶体的制备方法便于制备出尺寸为8‑12英寸的碳化硅单晶体。
碳化硅单晶体制备方法

[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202210536424.4有效
发明人：谭毅成;柯占龙;付苒;蔡群 -专利权人：合肥商德应用材料有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。碳化硅陶瓷的制备方法包括：将经加热氧化处理后的碳化硅与硅溶胶混合形成混合浆料，将混合浆料干燥、加热使硅溶胶包覆碳化硅；将包覆有硅溶胶的碳化硅与造孔剂、烧结助剂及粘结剂混合压制成型，制备碳化硅陶瓷生坯；将碳化硅陶瓷生坯进行阶段性升温烧成上述碳化硅陶瓷具有低烧结温度和高强度。
碳化硅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法-CN202110232940.3有效
发明人：姚泰;宋波;于永澔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
一种碳化硅表面微结构构建方法

[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备-CN202023163810.9有效
发明人：汪良;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备，属于碳化硅籽晶生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括坩埚载具以及坩埚盖，坩埚载具设有用于装载碳化硅原料的装载部，坩埚盖设有用于固定碳化硅籽晶的固定部，坩埚盖沿高度方向可移动地套装在坩埚载具上，以使装载部与固定部之间的距离可调。该碳化硅晶体生长装置能够增加碳化硅晶体的生长高度。
一种碳化硅晶体生长装置设备

[发明专利]一种光固化碳化硅陶瓷浆料及其制备方法与应用-CN202210156277.8在审
发明人：叶高林;周鹏;焦翼飞;张如炳 -专利权人：深圳职业技术学院
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种光固化碳化硅陶瓷浆料及其制备方法与应用，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉体进行改性处理，得到表面包覆有二氧化硅的改性碳化硅粉体；(2)将所述改性碳化硅粉体、光敏树脂和分散剂混合后进行球磨处理，得到所述光固化碳化硅陶瓷浆料；其中，所述改性碳化硅粉体在所述光固化碳化硅陶瓷浆料中的质量分数为70～72％。本发明制备提供的光固化碳化硅陶瓷浆料流动性好，且固化能力强，实现了高固含量的碳化硅陶瓷生坯的3D打印，为碳化硅陶瓷生坯脱脂烧结后的力学性能提供了保证。本发明实现了复杂结构碳化硅的打印，同时具有成型精度高、速度快，无需模具也能制造形状复杂的碳化硅陶瓷构件的优势。
一种光固化碳化硅陶瓷浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅MOSFET的制造方法-CN201510545841.5在审
发明人：陈喜明;邵云;李诚瞻;赵艳黎;高云斌;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。
一种碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种碳化硅半导体元件-CN201610276586.3在审
发明人：谢文浩;王华;黄映仪;张剑平 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体元件，包括，碳化硅基板生长于该碳化硅基板上的外延层基板；设于碳化硅基板上的半导体晶体管；设于所述碳化硅基板上的布线层；设于碳化硅基板底面的势垒金属区，以及由所述布线层和势垒金属区所形成的温度检测元件
一种碳化硅半导体元件

[发明专利]一种碳化硅晶圆加工工艺-CN202111162163.6在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋;文锺 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。
一种碳化硅加工工艺

[发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管-CN202210808518.2在审
发明人：甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张建国 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管,包括：N+碳化硅衬底；一次N‑碳化硅外延层,形成在所述N+碳化硅衬底正面上；P型注入区，对称形成在所述一次N‑碳化硅外延层的两侧，并且嵌入在所述一次N‑碳化硅外延层内；二次N‑碳化硅外延层，形成在所述一次N‑碳化硅外延层和所述P型注入区上；P+离子注入区，对称形成在所述二次N‑碳化硅外延层的两侧，并且贯穿所述二次N‑碳化硅外延层与所述P型注入区连通；势垒金属层，形成在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上；金属PAD层，形成在所述势垒金属层上；欧姆金属层，形成在所述N+碳化硅衬底背面。本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管，其正向导通特性参数较传统器件优势明显。
一种新型碳化硅肖特基二极管

[发明专利]一种基于数字光处理的一步共烧碳化硅平板陶瓷膜及其制备方法-CN202310259393.7在审
发明人：李双;付千龙;孙硕;马艳飞;王晓雨;隋世泉 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷膜制备的技术领域，涉及一种基于数字光处理的一步共烧碳化硅平板陶瓷膜及其制备方法。本发明公开了一种基于数字光处理的一步共烧碳化硅平板陶瓷膜，所述基于数字光处理的一步共烧碳化硅平板陶瓷膜从内到外依次包括数字光处理碳化硅陶瓷膜支撑体、数字光处理碳化硅陶瓷膜中间层、数字光处理碳化硅陶瓷膜分离层；所述数字光处理碳化硅陶瓷膜支撑体的原料包括50～60份碳化硅颗粒Ⅰ、5～10份碳化硅颗粒Ⅱ、2～10份碳化硅前驱体、20～40份紫外光敏树脂、1～6份光引发剂、1～3份颗粒分散剂；所述数字光处理碳化硅陶瓷膜支撑体的原料中碳化硅前驱体的占比为本发明还公开了一种基于数字光处理的一步共烧碳化硅平板陶瓷膜的制备方法。
一种基于数字处理一步碳化硅平板陶瓷膜及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202210015164.6在审
发明人：河野洋志;大桥辉之;尾形昂洋 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
半导体装置

[发明专利]一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET-CN202311169609.7在审
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET,涉及MOSFET器件技术领域,其目的是在相同的功率限制下达到更高的电流，第一P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层的左肩；第一栅氧化层与第一P型碳化硅埋层相接，N型碳化硅外延层凸台相接；第一多晶硅位于第一栅氧化层；第二P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层右肩；第二栅氧化层与第二P型碳化硅埋层相接，与N型碳化硅外延层凸台相接；第二多晶硅位于第二栅氧化层；P型碳化硅基区设置在N型碳化硅外延层，P型碳化硅基区、第一栅氧化层和第二栅氧化层相接；P型碳化硅基区上设置源区层、介质及金属层。
一种电流能力优化沟槽碳化硅 mosfet

[实用新型]低功耗场效应管-CN201921508687.4有效
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市精芯智能半导体有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。
功耗场效应

[发明专利]碳化硅单晶的连续长晶方法-CN201811302584.2有效
发明人：李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶的连续长晶方法，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长。本发明方法在保证大尺寸单晶连续生长、抑制碳化硅粉料边缘碳化、提高粉料质量、降低碳化硅单晶杂质含量、提高碳化硅单晶品质等方面具有重要作用。
碳化硅单晶粉料高纯碳化硅双层腔室碳化物理气相传输法底角大尺寸单晶碳化硅粉料方法使用高纯硅烷腔室壁碳颗粒圆弧形生长壁侧开孔坩埚生产补充申请保证

[发明专利]碳化硅晶片表面清洗方法-CN202010485729.8在审
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;杨新鹏;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
碳化硅晶片表面清洗方法