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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种碳化硅板-CN201720377847.0有效
发明人：詹恭树 -专利权人：詹恭树
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： F27D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅板，包括通孔、硅板、耐磨层、装饰层、防火棉层、凹槽、防滑层、碳化硅板、白刚玉层、金属粉层、碳化硅颗粒层、碳化硅粉层、氧化铝微粉层、结合剂层、卡槽、销钉和卡块；本实用新型的有益效果是通过将碳化硅粉与碳化硅颗粒配合添加白刚玉、金属粉形成碳化硅板，不但密度高、抗氧化性能强、高温抗折强度高、耐高温，使的碳化硅板可广泛应用于窑具的地板或窑具板材的其他设备；且碳化硅板的表面开设凹槽采用防火棉填充，使碳化硅板质量轻盈，另外不影响碳化硅板的防火性能
一种碳化硅

[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置-CN202023339628.4有效
发明人：洪棋典;张洁;廖弘基 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括生长坩埚、套筒和坩埚顶盖。套筒设置于生长坩埚内，坩埚顶盖盖设于生长坩埚上，坩埚顶盖设置有碳化硅籽晶部，套筒的一端与生长坩埚的底壁抵持，另一端与碳化硅籽晶部配合，生长坩埚的底壁、套筒和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔，生长空腔用于供碳化硅单晶生长与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了与生长坩埚的底壁和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔的套筒，所以能够避免气相碳化硅与生长坩埚和坩埚顶盖直接接触，防止杂质混入，保证碳化硅单晶的生长质量
一种碳化硅生长装置

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202121880828.2有效
发明人：洪棋典;张洁;廖弘基;杨树 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域，本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，在进行碳化硅晶体的生长制备时，能够在坩埚内的底部装盛碳化硅原料；在设置在坩埚顶壁内侧的籽晶夹持部上设置籽晶，在对碳化硅原料加热时，由于原料处温度较高，籽晶处温度较低，套管从籽晶夹持部的外周缘向坩埚的底壁延伸，因此升华的碳化硅气体会进入由套管和籽晶夹持部共同围成的生长反应腔，直接通向籽晶，在籽晶朝向坩埚的底壁的表面生长碳化硅晶体，从而套管能够将生长反应腔内的气态碳化硅与坩埚的内壁相隔绝，防止坩埚自身的杂质混入生长反应腔内的碳化硅气体中，提高了生长的碳化硅晶体的纯度，进而保证碳化硅晶体的性能。
碳化硅晶体生长装置

[实用新型]碳化硅籽晶-CN202122891375.X有效
发明人：燕靖;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于生长碳化硅晶体，所述第二表面形成有多个凹槽，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽的截面面积逐渐减小根据本实用新型实施例的碳化硅籽晶，根据热传递原理可知，气相热传导低于固相热传导，通过在第二表面设置凹槽，使得凹槽内具有比碳化硅籽晶导热率低的气体，由此设置凹槽处的导热速率较慢，与未设置凹槽的其他位置相比可以减少籽晶热量的耗散，减小了碳化硅籽晶表面的径向温差，实现了碳化硅蒸气在碳化硅籽晶表面均匀沉积，从而得到平整的碳化硅晶体，降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。
碳化硅籽晶

[实用新型]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构-CN202221108279.1有效
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种反应烧结碳化硅火焰扩散喷嘴-CN202223486912.3有效
发明人：赵金;王兴龙;路超飞 -专利权人：陕西固勤材料技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B05B7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种反应烧结碳化硅火焰扩散喷嘴，包括碳化硅喷嘴本体，所述碳化硅喷嘴本体的左侧设置有接口管，所述接口管的外表面设置有连接机构，所述连接机构包括有套管，所述套管固定安装于碳化硅喷嘴本体的左侧且套接于接口管的外表面该反应烧结碳化硅火焰扩散喷嘴，通过设置有连接机构，进而使得碳化硅喷嘴本体因高温产生形变后，工作人员可以迅速的将接口管右侧的碳化硅喷嘴本体进行拆卸，进而达到快速且方便的更换产生形变的碳化硅喷嘴本体，进而为工作人员更换形变的碳化硅喷嘴本体提供便利，保障了反应烧结碳化硅陶瓷的生产加工工艺的进行，使得反应烧结碳化硅火焰扩散喷嘴实用性增强。
一种反应烧结碳化硅火焰扩散喷嘴

[实用新型]一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备-CN202223498886.6有效
发明人：耿安东;刘春艳;周元辉;陈建明;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备，涉及单晶硅生产加工技术领域。该碳化硅晶锭退火装置包括退火炉以及设置于退火炉内的退火罩，以通过退火罩将退火炉分隔为用于容置碳化硅晶锭的第一腔室和用于容置碳化硅粉末的第二腔室，退火罩上设置有通气孔，位于第二腔室内的碳化硅粉末分解得到的气体可经由通气孔通入第一腔室内并与位于第一腔室内的碳化硅晶锭接触反应该碳化硅晶锭退火装置能够解决现有技术中因碳化硅粉末与碳化硅晶锭直接接触而发生的烧结现象，从而有效提高碳化硅晶锭的产品质量。
一种碳化硅退火装置加工设备

[发明专利]碳化硅原料加工方法-CN201911358286.X在审
发明人：王增泽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅原料加工方法，包括：采用清洗溶液对碳化硅原料进行清洗；对清洗后的碳化硅原料进行干燥，得到干燥的碳化硅原料；其中，所述清洗溶液为包含悬浮剂和水的混合液体，所述悬浮剂与水的体积比为预定值应用本发明，可以去除碳化硅原料中相应尺寸的颗粒，可有效降低碳化硅原料中直径20um以下的小颗粒部分，从而消除了碳化硅晶体中碳粒子包裹物的部分来源，能够减少碳化硅晶体中的碳粒子包裹物缺陷。
碳化硅原料加工方法

[发明专利]一种碳化硅表面处理方法-CN201410072719.6有效
发明人：郭丽伟;芦伟;贾玉萍;郭钰;李治林;陈小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所述待处理表面位于所述富Si气氛中，并使所述碳化硅晶体被加热至第二温度，以使所述碳化硅晶体的所述待处理表面与所述富Si气氛发生刻蚀反应。
一种碳化硅表面处理方法

[发明专利]一种铝碳化硅的IGBT模块-CN201910643944.3有效
发明人：严海龙 -专利权人：安徽汉升车辆部件有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种高体积分数的铝碳化硅的IGBT模块及其制备方法，包括碳化硅预制体62～78%和铝硅合金22～38%，所述碳化硅预制体由铝碳化硅粗粉、铝碳化硅细粉、铝碳化硅微粉和粘结剂按照体积百分比进行复合而成本发明通过碳化硅预制体和铝硅合金利用浸渍的方式在通过高温合成生成铝碳化硅的IGBT模块，降低了IGBT模块的膨胀率，同时加强了IGBT模块的散热性和强度。
一种碳化硅 igbt 模块

[实用新型]碳化硅加热装置-CN201822210222.2有效
发明人：李运平;杜建周;黄燕梅;陈盛泉;杜培远 -专利权人：盐城宇欣陶瓷科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F27B9/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅加热装置，属于碳化硅生产设备领域；主要用于在碳化硅生产过程中对原料进行加热从而反应生成碳化硅。上述碳化硅加热装置包括机架、加热炉、传送组件和驱动组件，机架用于给其它组件提供支撑，加热炉用于加热碳化硅原料，传送组件用于将碳化硅原料传送至加热炉内，并将生成的碳化硅传送至加热炉外；驱动组件用于驱动传送组件运动
加热炉加热装置碳化硅传送组件碳化硅生产碳化硅原料驱动组件加热传送反应生成碳化硅本实用新型设备领域生产效率装料卸料驱动支撑

[发明专利]纯化碳化硅结构的方法-CN200580032316.8有效
发明人： L·W·夏夫;B·L·吉尔摩 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本文公开了一种纯化碳化硅结构、包括碳化硅涂覆的碳化硅结构的方法。所述方法可将碳化硅结构中铁污染物的数量降低100到1000倍。纯化后，碳化硅结构适用于高温硅晶片处理。
纯化碳化硅结构方法

[发明专利]碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置-CN202011614500.6在审
发明人：邓树军;张洁;付芬 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置，涉及半导体材料技术领域。碳化硅粉体的制备方法以气态硅源和气态碳源为原料，在800‑2400℃的条件下反应生成碳化硅，并在具有发热功能的基材上进行沉积。发明人创造性地利用具有发热功能的基材进行碳化硅的沉积，其有效聚集了生成的碳化硅，有利于制备形成粒径更大的碳化硅粉体。本发明实施例中的制备方法能够显著提升碳化硅的生产效率，可以实现大规模工业化生产，制备得到的碳化硅粉体可以用于碳化硅晶体生长。
碳化硅制备方法应用反应装置

[发明专利]一种高性能低游离硅含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法-CN202210674933.3在审
发明人：周雅斌;黄毅华;沙闻浩;刘营营 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能低游离硅含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅陶瓷材料的原材料包括碳化硅微粉，所述碳化硅微粉的粒径为0.1‑100μm，其中粒径为0.1‑10μm占所述碳化硅微粉总重量的30％，粒径为10‑100μm占所述碳化硅微粉总重量的70％；所述碳化硅陶瓷材料的抗弯强度≥220MPa，弹性模量≥280Gpa，所述碳化硅陶瓷材料中的残余游离硅含量不大于25wt％。本发明还提供一种由该碳化硅陶瓷材料制成的深海用无人滑翔机耐压舱壳体。
一种性能游离含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种清洗碳化硅晶片的方法-CN202310013148.8在审
发明人：田辉;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法。该方法包括：(1)使用臭氧溶液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I；(2)使用二流体进行第二清洗，得到碳化硅晶片II；(3)使用氨水溶液进行第三清洗，得到碳化硅晶片III；(4)使用氢氟酸溶液进行第四清洗，得到碳化硅晶片IV；(5)对所述碳化硅晶片IV依次重复进行步骤(1)至步骤(4)中的操作；(6)使用所述臭氧溶液进行钝化处理。本发明提供的方法能有效去除碳化硅晶片的表面颗粒和金属污染物，并且提供碳化硅晶片的有效面积。
一种清洗碳化硅晶片方法

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