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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种超结MOS器件-CN202021161282.0有效
  • 刘道国 - 深圳市精芯智能半导体有限公司
  • 2020-06-20 - 2021-02-02 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种超结MOS器件，包括衬底和外延层，外延层内设有纵向分布的沟槽，沟槽内附有氧化层，氧化层内填充有、由外延层生长形成的沟槽填料。本实用新型通过在作为漂移区的外延层上设置沟槽，使漂移区的折叠，减少MOS器件的表面积，进而降低其导通电阻，减少MOS器件的导通损耗；MOS器件沟槽区域的漂移区的有效长度约为槽深的两倍与槽宽之和，在相同的耐压条件下，MOS器件尺寸大幅降低，即在相同表面积条件下，MOS器件的耐压值大幅提升，导通电阻也得以显著降低。
  • 一种mos器件
  • [实用新型]低功耗场效应管-CN201921508687.4有效
  • 刘道国 - 深圳市精芯智能半导体有限公司
  • 2019-09-09 - 2020-07-31 - H01L29/06
  • 本实用新型公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。本实用新型具有体积小，功耗低的优点。
  • 功耗场效应
  • [实用新型]绝缘栅场效应管-CN201921512018.4有效
  • 刘道国 - 深圳市精芯智能半导体有限公司
  • 2019-09-11 - 2020-05-19 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种绝缘栅场效应管，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二插槽，且所述第二插槽深度大于所述第一插槽深度至少1μm，且第二插槽宽度大于所述第一插槽宽度，所述第一插槽为栅沟槽，所述第二插槽为肖特基源区的沟槽。本实用新型具有沟道电阻小及可靠性高的优点。
  • 绝缘场效应
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  • 共 3 条
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