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[发明专利]碳化硅废粉再利用以生产碳化硅的方法及应用-CN202310391497.3在审
发明人：李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅制备领域，公开了一种碳化硅废粉再利用以生产碳化硅的方法及应用。本发明的方法包括：向所述管状模具与所述反应容器的侧壁之间的间隙填充碳化硅废粉，并向所述管状模具的内侧填充碳硅混合料；填充完成后，拆卸所述管状模具，盖上所述反应容器的盖体，将所述反应容器置于合成炉进行合成反应制得所述碳化硅粉料本发明提供的方法将无法用于晶体生长的碳化硅废粉回收再利用以生产碳化硅粉料，为碳化硅废粉的再利用开辟了新途径，提高了碳化硅废粉的利用率，同时，克服了现有技术合成的碳化硅粉料碳化而导致最终得到的碳化硅产率降低的问题，提高了碳硅混合料合成得到的碳化硅粉料的产率。
碳化硅再利用生产方法应用

[发明专利]碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉的制备方法-CN201810940508.8有效
发明人：顾文华;顾旭;徐世杰;万立斌 -专利权人：宁夏和兴碳基材料有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉的制备方法。该方法将碳化硅原料粉碎成粒径25～40微米的碳化硅粉末A；利用石蜡油与松节油的混合物作为浮选剂对碳化硅粉末A进行浮选，直至浆料中不再浮出游离碳，最终收集碳化硅粉末A，用水超声清洗并干燥，得到一级纯化粉末；将一级纯化粉末粉碎成粒径10～15微米的碳化硅粉末B，然后利用球磨机对碳化硅粉末B进行整形，球磨1～2h，得到整形粉末；然后分别酸洗和碱洗进行二级提纯，在进行分散、分级、包装。本发明的方法可对碳化硅原料进行提纯，将碳化硅原料分粒径段粉碎，将整形与提纯交替进行，可有效降低碳化硅原料中的游离碳、游离硅和二氧化硅的含量。
碳化硅精细陶瓷制备方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980017792.4在审
发明人：池田均;松本雄一;高桥亨 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
碳化硅制造方法

[发明专利]碳化硅预处理方法和装置-CN202210934397.6在审
发明人：张凯;张洁 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅预处理方法和装置，涉及碳化硅处理技术领域。碳化硅预处理方法包括在包含有含碳气体与含硅气体的混合气体中，对碳化硅粉料进行烧结。烧结时，混合气体中一部分碳和硅在碳化硅粉料的表面进行结晶，即凝结为碳化硅。这种结晶令碳化硅粉料更加紧实，不容易发生塌料现象；而且使得碳化硅粉料的颗粒能够被连结在一起，粉料整体具有较佳的结构稳定性。该预处理方法还能够抑制碳化硅粉料的石墨化，减少石墨颗粒产生。因此该预处理方法能够减少后续碳化硅晶体生长过程中石墨颗粒飘起引起的裹碳现象，从而提高碳化硅晶体质量。本申请提供的碳化硅预处理装置用于实现上述的碳化硅预处理方法。
碳化硅预处理方法装置

[发明专利]一种碳化硅晶圆的正面加工方法-CN202210971865.7在审
发明人：严立巍;刘文杰;马晴;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆的正面加工方法，本发明包括以下步骤：S11、取一个带有气孔的耐高温载板，将一个完成前段制程的碳化硅晶圆背面贴附到耐高温载板上，再从耐高温载板底部采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆吸附到耐高温载板上；S12、对步骤S11中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆正面进行碳沉积，使得碳沉积层碳化硅晶圆外侧为碳化硅晶圆提供保护，方便对碳化硅晶圆的正面进行加工，不但无需直接对碳化硅晶圆进行蚀刻，而且通过带有气孔的耐高温载板对碳化硅晶圆进行吸附承载，无需对碳化硅晶圆和耐高温载板进行永久键合，使得对碳化硅晶圆正面的加工工艺的难度更低。
一种碳化硅正面加工方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810215916.3有效
发明人：河野洋志;四户孝;太田千春;西尾让司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体器件具备：设置在碳化硅基板上的第1导电类型的第1碳化硅层(2)；形成于第1碳化硅层(2)上的第2导电类型的第2碳化硅层(3)；在第2碳化硅层(3)的表面以预定的间隔相向地设置，具有同一浓度、同一深度的第1导电类型的第1和第2碳化硅区域(4、5)；贯通第1碳化硅区域(1)和第2碳化硅层(3)，到达第1碳化硅层的第3碳化硅区域(9)；在第1和第2碳化硅区域(4、5)上以及被第1和第2碳化硅区域夹着的第2碳化硅层(3)上连续地形成的栅绝缘膜(10₁)；以及形成于栅绝缘膜(10₁)上的栅电极(11)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法-CN201711209284.5有效
发明人：蒲红斌;刘青;王曦;李佳琪 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p+发射区外延层、碳化硅n+缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p‑短基区外延层、碳化硅n+发射区外延层；碳化硅n+发射区外延层上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅p‑短基区外延层上部镶嵌有两个碳化硅p+区；每个碳化硅p+区上覆盖有门极欧姆电极，门极欧姆电极与碳化硅n+发射区外延层设置有隔离层。在高质量的n型碳化硅衬底上外延生长得到的p+外延层来取代p型碳化硅衬底，能够将串联电阻减小约两个数量级。
一种基于长基区碳化硅晶闸管及其制作方法

[发明专利]一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管-CN201911187102.8有效
发明人：张有润;王帅;罗佳敏;钟炜;罗茂久 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管，包括从下至上依次设置的阴极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、P型区和金属阳极，N型碳化硅外延层内还设置有N型埋层和/或P型埋层，N型埋层位于N型碳化硅衬底上方，用于增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场；P型埋层位于P型区下方，用于增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场。本发明通过引入P型埋层增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场，通过引入N型埋层增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场，增强了电导调制的效果，提高了碳化硅PiN二极管正向导通电流，提高了碳化硅
一种含埋层结构碳化硅 pin 二极管

[发明专利]一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法-CN202210610312.9有效
发明人：闫春泽;刘桂宙;王长顺;欧阳震;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法。所述方法包括：将表面包覆有聚碳硅烷的碳化硅粉末作为打印粉末，采用增材制造技术根据梯度多孔的三维结构打印碳化硅素坯；碳化硅素坯中碳化硅的体积分数沿着Z轴方向线性变化；将碳化硅素坯进行高温裂解处理得到碳化硅陶瓷体；然后对碳化硅陶瓷体进行预氧化处理；再采用液态铝合金填充碳化硅陶瓷体得到铝基碳化硅镜坯；在铝基碳化硅镜坯的一表面上沉积SiC致密层，所述表面为碳化硅的体积分数最大的一面；对SiC致密层表面进行抛光处理，得到高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜。
一种比分梯度碳化硅复合材料反射及其制备方法

[发明专利]一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法-CN202110493961.0在审
发明人：李祥彪;仲崇贵 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法，通过在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片的有效方法，提高衬底片厚度，实现超薄衬底生长碳化硅单晶，首先在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片，然后将粘接好的碳化硅复合衬底多晶片一面粘在石墨坩埚盖内侧，单晶生长面朝向石墨坩埚内，即可进行物理气相传输法生长碳化硅晶体。
一种超薄衬底生长碳化硅有效方法

[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备-CN202110765400.1在审
发明人：高博;黄伯宁;万玉喜 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：复合衬底包括：第一碳化硅层和第二碳化硅层。第一碳化硅层的材料包括单晶碳化硅；第二碳化硅层与第一碳化硅层键合，第二碳化硅层至少局部的缺陷密度大于第一碳化硅层的缺陷密度。
复合衬底及其制备方法半导体器件电子设备

[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法-CN201380051807.1有效
发明人：山内庄一;平野尚彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。
碳化硅半导体及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388855.0在审
发明人：邓小川;萧寒;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N^-外延层，第一碳化硅N^-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N^-外延层，位于第二碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]对碳化硅分级的方法-CN201811517809.6在审
发明人：刘苏宁;孙宁磊;曹敏;秦丽娟;李勇 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B03B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了对碳化硅分级的方法，包括：对碳化硅进行研磨处理，以便得到碳化硅浆料；将所述碳化硅浆料加入固固分离装置内，同时向所述固固分离装置的供水管内通入洗水以便对所述碳化硅浆料进行分级，并由所述固固分离装置的第一固体物质出口分离出较小粒径的碳化硅颗粒，由第二固体物质出口分离出较大粒径的碳化硅颗粒，其中，通过调整所述碳化硅浆料的进料速度和向所述供水管内通入洗水的流速，调整分离出的碳化硅颗粒的粒径。利用该分级方法可以有效实现碳化硅的分选，显著提高分选效率。
碳化硅浆料碳化硅分级固固分离装置碳化硅颗粒固体物质出口供水管分选洗水研磨处理有效实现大粒径小粒径粒径

[发明专利]一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法-CN202010419518.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨鹏谦科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。
一种碳化硅石墨衬底外延材料制备方法

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