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[发明专利]碳化硅外延片的处理方法-CN202210596257.2在审
发明人：冯禹;李云廷;姚晓杰;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延片的处理方法包括如下步骤：(1)准备碳化硅外延片；(2)在碳化硅外延片上生长二氧化硅保护层；(3)对碳化硅外延片的背面进行处理，以除去碳化硅外延片背面的划痕或沉积物；(4)清洗在处理碳化硅外延片的背面过程中产生的颗粒；(5)通过腐蚀液溶解碳化硅外延片上生长的二氧化硅保护层。该碳化硅外延片的处理方法无需使用胶膜且能够改善产品质量和提升产品良率。
碳化硅外延处理方法

[发明专利]一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法-CN201811564087.X在审
发明人：黄政仁;吴海波;刘学建;陈忠明;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，该制备方法包括：（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，得到所述碳化硅微滤膜层。
微滤膜制备反应烧结碳化硅水基碳化硅浆料水性硅溶胶碳化硅粉体支撑体表面热处理碳化硅膜水混合碳化硅涂覆

[发明专利]一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料的制备方法-CN201810048551.3在审
发明人：刘学建;邢媛媛;吴海波;黄政仁;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料的制备方法，将水、水溶性碳化硅分散剂和烧结助剂用分散剂混合后，再加入碳化硅粉体和烧结助剂，经球磨混合得到所述水基浆料，所述烧结助剂粉体包括碳化硼粉体、硼粉中的至少一种和炭黑粉体；所述碳化硅粉体是由亚微米级碳化硅粉体、纳米级碳化硅粉体中的一种和微米级碳化硅粉体经过颗粒级配得到，所述微米级碳化硅粉体的中位粒径为1.0～50μm，所述亚微米级碳化硅粉体的中位粒径为0.1～1.0μm，所述纳米级碳化硅粉体的中位粒径为5nm～100nm。
碳化硅粉体烧结助剂水基浆料中位粒径粉体亚微米级碳化硅粉纳米级碳化硅碳化硅陶瓷固相烧结湿法成型低粘度固含量微米级制备碳化硅分散剂碳化硼粉体颗粒级配球磨混合炭黑粉体分散剂硼粉

[发明专利]一种碳化硅晶圆加工方法-CN202211108349.8在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆加工方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个经过外延工艺的碳化硅晶圆，将多个碳化硅晶圆背面呈环形阵列贴附到一个带有气孔的石墨载板上，然后通过抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到石墨载板上，再采用LPCVD工艺，在碳化硅晶圆正面和石墨载板表面沉积一层第一二氧化硅层，通过步骤S1中第一二氧化硅层，可以将多个碳化硅晶圆固定到同一个石墨载板，方便多个碳化硅晶圆同时进行正面工艺，以并且在步骤S3中将多个碳化硅晶圆同时转移到同一个切割模框上，方便同时完成多个碳化硅晶圆的裂片，方便快速完成对多个碳化硅晶圆的加工，提升对碳化硅晶圆的加工速度。
一种碳化硅加工方法

[发明专利]一种高效碳化硅晶片制备方法-CN201911022348.X在审
发明人：陈炳寺;戴磊 -专利权人：江苏晶杰光电科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀，高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片，过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用，研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用，抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，适合推广使用。
碳化硅晶片制备研磨高温加热过滤除杂抛光备用比例配料操作结束粗碳化硅二氧化硅生产效率原料混合混合料催化剂晶片

[发明专利]一种高压快速的碳化硅二极管及其制备方法-CN202110326189.3有效
发明人：刘柏光 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压快速的碳化硅二极管及其制备方法，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括塑封外壳、碳化硅芯片、阴极引脚、阳极引脚、助焊板，所述碳化硅芯片包括N+碳化硅衬底、N‑碳化硅外延层、阴极金属、二氧化硅层、P型保护环、覆盖在所述二氧化硅层、N‑碳化硅外延层上端的阳极金属本发明的碳化硅二极管及其制备方法，将二氧化硅层生长在N+碳化硅衬底与N‑碳化硅外延层交接处外侧面，在二氧化硅层、N‑碳化硅外延层上端沉积一层阳极金属，所形成的结构中，肖特基势垒面积大，碳化硅二极管正向时可通过的电压大，导通速度快。
一种高压快速碳化硅二极管及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201610133501.6在审
发明人：铃木拓马;上原准市 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备碳化硅层；第1电极；第1绝缘膜，设置在所述碳化硅层与所述第1电极之间；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在所述碳化硅层内的所述第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在所述第1碳化硅区域内；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在所述第2碳化硅区域内；第2电极，设置在所述碳化硅层的与所述第1电极相反侧，与所述碳化硅层电连接，且包含金属、硅及碳；以及第3电极，与所述第3碳化硅区域电连接
半导体装置

[发明专利]一种碳化硅纳米线增强铝基复合材料及其制备方法-CN201810086070.1在审
发明人：李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C22C49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料及其制备方法，涉及铝基复合材料及其制备方法。本发明拟解决现有碳化硅纳米线增强铝基复合材料的制备存在工序复杂，碳化硅纳米线加入分布不均匀，发生团聚的问题。碳化硅纳米线增强铝基复合材料由碳化硅纳米线预制体和铝金属组成。通过常压CVD法在碳泡棉基体上原位生长碳化硅纳米线，通过高温氧化去除碳泡棉基体得到碳化硅纳米线预制体。通过高压浸渍法将铝液填充碳化硅纳米线预制体，冷却得到碳化硅纳米线增强铝基复合材料。本方法采用CVD原位生长碳化硅纳米线预制体，预制体中碳化硅纳米线通过原位生长自交联，结合力好，纳米线分布均匀，密度易于控制，不需压制成型。
碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料制备原位生长泡棉铝基复合材料高温氧化高压浸渍不均匀结合力铝金属纳米线自交联常压铝液去除填充冷却团聚

[发明专利]纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法-CN201810075163.4在审
发明人：李双;田贵山;孟子霖;张茜;魏春城;周丽娟 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，包括如下步骤：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备。其中，不同层采用不同粒径的碳化硅粉体和聚碳硅烷制备而成，且使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体。根据本发明获得的纯碳化硅陶瓷膜元件，由于使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体，聚碳硅烷能在较低的热处理温度下分解产生高活性碳化硅，分解产生的碳化硅作为高温结合剂连接初始碳化硅，因此该方法制备的全碳化硅陶瓷膜具有抗折强度高此外，所制备得到的碳化硅陶瓷膜由纯碳化硅组成，表现为较强的亲水憎油特性；良好的机械性能，较高的膜通量，以及很强的化学稳定性。
制备碳化硅纯碳化硅聚碳硅烷陶瓷膜元件碳化硅陶瓷膜前驱体机械性能分解高温结合剂化学稳定性碳化硅粉体热处理表面膜层连接初始烧结高活性过渡层膜通量支撑体抗折粒径亲水憎油表现

[发明专利]一种碳化硅浆料的制备方法-CN202010409727.0在审
发明人：刘骏;蔡璐;刘波;王钢;汪国雄;张海波 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅浆料的制备方法，具体包括以下步骤：S1、废料预处理：将收集到的废料放入酸溶液中进行浸泡，去除废料中的金属和氧化物杂质，接着将废料从酸溶液中取出，本发明涉及碳化硅浆料制备技术领域。该碳化硅浆料的制备方法，通过S1、废料预处理：将收集到的废料放入酸溶液中进行浸泡，去除废料中的金属和氧化物杂质，接着将废料从酸溶液中取出，利用对碳化硅粉料进行多次酸洗，并且调节碳化硅浆料的pH值可以将碳化硅浆料的固相含量大大提升，降低碳化硅浆料的粘度，另外在碳化硅浆料中加入分散剂可以有效地提高碳化硅浆料的分散性和均匀性，使生产出来的碳化硅陶瓷质量更好，对碳化硅浆料的保存时间更久。
一种碳化硅浆料制备方法

[发明专利]一种碳化硅微粉表面硅烷化的改性方法及改性碳化硅微粉-CN201911336300.6在审
发明人：张舸;郭聪慧;张巍;张永刚;文章苹 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明提供的碳化硅微粉表面硅烷化的改性方法及改性碳化硅微粉，将碳化硅微粉加入硅烷偶联剂混合溶液搅拌后得到碳化硅浆料，调节碳化硅浆料的PH值在碱性范围内，将碳化硅浆料干燥后得到硅烷化的改性碳化硅微粉。本发明提供碳化硅微粉表面硅烷化的改性方法，由于硅烷偶联剂是一类同时含有有机官能团和水解性无机官能团的分子无机填料，可与材料表面的活性基团形成化学键，水解性无机官能团水解成硅醇，硅醇与纳米碳化硅粉体表面的羟基形成氢键，硅羟基会凝聚失水，形成共价化合键，使偶联剂在纳米碳化硅粉体表面形成偶联层，可降低粉体的亲水性，减轻团聚现象，制备的改性碳化硅微粉分散性好、稳定性高，且制备工艺操作简单。
一种碳化硅表面硅烷改性方法

[发明专利]一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法-CN202110276280.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本发明提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却，得到碳化硅晶体。本发明利用不同粒径碳化硅粉按不同比例混合之后进行PVT法碳化硅晶体生长，大颗粒的碳化硅粉提供足够的颗粒间隙促进气相物料输运，小颗粒的碳化硅粉提供足够的活性表面产生充足的反应气相，使得两方面得到同时提升，
一种提升 pvt 法制碳化硅晶体生长速率方法

[发明专利]一种碳化硅板的磨削工艺方法-CN201911312938.6在审
发明人：张振宇;廖龙兴;周晨曦;周俊瑞 -专利权人：江苏宇瑞仕高端智能装备科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅板的磨削工艺方法，首先将碳化硅板粘贴固定在磨床的工作台上；然后采用圆形金刚石砂轮，并使之从碳化硅板的最外边缘处开始进行磨削，磨削过程中同时喷射磨削液；接受使工作台沿着碳化硅板的Y轴方向进行来回移动，且每次移动距离为L+3mm，其中L为碳化硅板的长度；当工作台每沿着碳化硅板的Y轴方向移动完一次后，砂轮就沿着碳化硅板的X轴方向进给一次，直至将碳化硅板整个平面磨削完。本发明可实现原始质量较差的大尺寸碳化硅板的精密加工，使其表面粗糙度Ra从3.2μm降低至0.4‑0.2μm，解决因碳化硅硬度高脆性大而难以加工的问题，提高碳化硅器件性能。
一种碳化硅磨削工艺方法

[发明专利]一种碳化硅轴套的表面处理工艺-CN202011415077.7在审
发明人：许卫东 -专利权人：许卫东
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B24B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅轴套的表面处理工艺，涉及碳化硅产品技术领域，包括成型后的半成品碳化硅轴套跟随生产线进入除尘设备中；除尘后的碳化硅轴套继续跟随生产线进入雾化设备中；润湿后的碳化硅轴套利用精细打磨设备进行打磨；在精细打磨后的碳化硅轴套包裹一层防护膜；打包入库；精细打磨设备，利用自动化的驱动配件，可以做到大批量的对碳化硅轴套进行打磨处理，与现有人工打磨碳化硅轴套的方式相比，机械化且为全自动的打磨方式，不仅效率高，而且厂家无需雇佣大量的人力，以及投入大量的物力资源，从而降低碳化硅轴套的生产成本，降低碳化硅轴套的市场定价，让该种方式生产出来的碳化硅轴套更加具有市场的竞争力。
一种碳化硅轴套表面处理工艺

[发明专利]一种用于活性焦再生过程的碳化硅膜的再生方法-CN202111324031.9在审
发明人：仲兆祥;张峰;魏巍;韩峰;邢卫红 -专利权人：江苏久朗高科技股份有限公司;南京工业大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于活性焦再生过程的碳化硅膜的再生方法。首先将用于活性焦再生过程的碳化硅膜滤芯表面的疏松滤饼碳粉层刮刷回收；然后将碳化硅膜滤芯放入高温炉中，通过高温将渗透进入碳化硅膜微孔及膜表面吸附的超细碳粉完全脱除；最后将碳化硅膜滤芯浸没水浴，加入超声波振动棒，使得碳化硅膜微孔中结晶的硫酸铵盐分散溶解，碳化硅膜滤芯通过恒温干燥后置于即可使用。本发明通过三步法将碳化硅膜表面及孔道中的杂质（碳粉、硫酸铵等）完全除去，具有绿色、高效、低损的特点，能够高效恢复碳化硅陶瓷膜的气体渗透通量，延长碳化硅陶瓷膜的使用寿命，是一种用于活性焦再生工艺的碳化硅膜的专用再生方法
一种用于活性再生过程碳化硅方法