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[发明专利]一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法-CN201911032088.4有效
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后对碳化硅片进行超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片和石墨片分别作为阳极和阴极，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化，制得碳化硅纳米线阵列；对碳化硅纳米线阵列进行剥离，使碳化硅纳米线阵列的阵列层脱落；以剥离后的碳化硅纳米线阵列为压电材料构筑上下电极式的压电纳米发电机。本发明提供的一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，制备过程简单、输出性能优越。
一种碳化硅纳米阵列压电发电机制备方法

[发明专利]一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法-CN202110151670.3有效
发明人：戴培赟;王东娟;李晓丽;殷铭良;张吉亮;路金喜 -专利权人：潍坊工商职业学院
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体涉及一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法。包括将碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料本发明技术方案通过将三种不同粉料分层放置，在提高碳化硅陶瓷生长速率的同时避免了由于生长速率过快所导致的碳化硅晶体缺陷的产生，保证了碳化硅陶瓷的致密性。
一种利用氮化提高碳化硅陶瓷生长速率方法

[发明专利]一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-CN202310905728.8有效
发明人：周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
一种提高相合碳化硅出料率合成方法

[发明专利]一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构-CN202111103172.8在审
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定方法结构

[发明专利]一种碳化硅欧姆接触及其制备方法-CN202110388444.7在审
发明人：薛梦谦;许恒宇;万彩萍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中碳化硅欧姆接触的金属或者合金层存在可重复性差、抗氧化能力弱、表面质量差等问题。本发明的方法在碳化硅衬底上形成碳化硅掺杂层；在碳化硅掺杂层表面通过磁控溅射或蒸发的方式依次沉积镍层、铝层和钛层，得到待处理碳化硅欧姆接触；对待处理碳化硅欧姆接触依次进行阶梯式的两次退火处理，得到碳化硅欧姆接触本发明的碳化硅欧姆接触及其制备方法可用于碳化硅器件。
一种碳化硅欧姆接触及其制备方法

[发明专利]碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件-CN201510518439.8在审
发明人：日吉透 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件。所述制造碳化硅外延衬底的方法包括以下步骤：准备碳化硅衬底；和在碳化硅衬底上形成碳化硅层。在该制造方法中，在形成碳化硅层的步骤中，重复生长外延层的步骤和抛光外延层的表面的步骤两次或更多次。
碳化硅外延衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202210098073.3在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种复合碳化硅衬底，包括碳化硅单晶层、碳化硅多晶层以及位于碳化硅单晶层与碳化硅多晶层之间碳化硅陶瓷层；所述碳化硅单晶层晶体为六方相4H型，所述碳化硅多晶层晶体颗粒为立方相3C型；所述碳化硅陶瓷层晶体颗粒为六方相4H型和立方相3C型的混合；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅单晶层的一侧，其六方相4H型晶体颗粒的平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的4H型晶体颗粒；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅多晶层的一侧，其立方相3C型晶体颗粒平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的解决了碳化硅单晶和多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法-CN201810338112.6有效
发明人：梁红伟;夏晓川;张贺秋 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
一种基于碳化硅射线探测器及其制备方法

[发明专利]碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用-CN202310486104.7在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用，所述装料方法包括以下步骤：将球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状碳化硅粉料置于装料装置中，完成装料。本发明改变装料方式，采用球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状碳化硅粉料三种粉料组合装料，在不改变热场和成本的前提下，解决了碳化硅晶体生长中后期发散状包裹的问题。
碳化硅装料方法晶体及其制备应用

[发明专利]一种制备方法和晶片生长原料-CN202010440710.1有效
发明人：焦芳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片生长原料的制备方法，所述制备方法包括：提供初始原料，所述初始原料包括碳粉料、硅粉料和碳化硅粉料；对所述初始原料进行加热，以得到所述碳化硅晶片生长原料。在本发明中，碳化硅晶片生长原料的初始原料中包括碳化硅粉料，该碳化硅粉料能够加快碳、硅反应速率，提高碳化硅晶片生长原料的颗粒生长速率，从而增大生长原料的颗粒体积，并提高碳化硅晶片生长原料的产率。本发明还提供一种碳化硅晶片生长原料。
一种制备方法晶片生长原料

[发明专利]具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法-CN200610064203.2无效
发明人： A·K·阿加瓦尔;S·克里什纳斯瓦米;S·－H·刘;D·C·卡佩尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。
具有碳化硅钝化双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法-CN202011301550.9有效
发明人：张有润;罗佳敏;陈航;罗茂久;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件领域，具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P‑N‑P‑N四层结构，其中，所述P‑N‑P‑N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层、P型碳化硅缓冲层、P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、N+门极欧姆接触区以及P+碳化硅阳极区，其中，P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、P+碳化硅阳极区呈凹槽状。本发明所提出的碳化硅门极可关断晶闸管一方面增大了P+碳化硅阳极区的面积，另一方面增大了N型碳化硅短基区与P‑碳化硅长基区的接触面积，从而使得非平衡载流子注入与抽取增强，上层PNP晶体管的电流增益增大，因此有效增强了长基区的电导调制效应
一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法

[发明专利]一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法-CN202210089355.7有效
发明人：欧欣;伊艾伦;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
一种碳化硅薄膜材料制备方法

[实用新型]铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件-CN201620248276.6有效
发明人：王黎明 -专利权人：湖南浩威特科技发展有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B22D17/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件，组件包括模具和碳化硅预制件，模具的表面开设有用于容纳碳化硅预制件的基板腔，基板腔的底部设有多个用于压铸时外加铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔碳化硅预制件上朝向基板腔底部的一面开设有用于镶嵌铝板的容纳槽。压铸时，外加铝液从碳化硅预制件中渗入与碳化硅预制件形成铝碳化硅基板，同时渗入柱孔形成铝柱，并且铝板处于熔融状态，冷却后铝板、铝碳化硅基板和铝柱结为一体。铝板与碳化硅基板结合相对之前铝柱与碳化硅基板结合面积增大，因而铝柱不易从铝碳化硅基板掉落，铝柱的强度增大。上述用于压铸铝碳化硅底板的组件，结构简单，可用于制备得到铝柱连接牢固的铝碳化硅底板。
碳化硅底板用于压铸组件

[发明专利]碳化硅‑碳化钽复合材料和基座-CN201480007718.1有效
发明人：篠原正人 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
碳化硅碳化复合材料基座