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[发明专利]一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法-CN201410410783.0有效
发明人：徐慢;曹宏;石和彬;陈常连;沈凡;季家友;王树林;薛俊;安子博;赵静 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品
一种孔隙率可控多孔碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种碳化硅复相陶瓷-CN201710838675.7有效
发明人：李双;魏春城;刘爱菊;孟子霖;张茜 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合陶瓷，特别是一种基于石墨烯的层状碳化硅/反应烧结碳化硅复相陶瓷，属于复合材料技术领域。一种碳化硅复相陶瓷包括如下原料成分：碳化硅粗粉Ⅰ、碳化硅细粉Ⅱ、石墨烯纳米片、木炭黑、硅粉、分散剂、结合剂；碳化硅粗粉Ⅰ与碳化硅细粉Ⅱ的质量比为100:200‑300。本发明的碳化硅复相陶瓷的体积密度＞3.1g/cm3，抗弯强度＞480MPa，断裂韧性＞5.2MPa·m1/2，相比单一反应碳化硅陶瓷其力学性能明显改善
一种碳化硅陶瓷

[实用新型]一种微波高温加热装置-CN201520231354.7有效
发明人：赵国庆;谢兴俊;张丽;赵稳年;武振坤 -专利权人：中国科学院地球环境研究所
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：一种微波高温加热装置，包括微波炉，在微波炉内设置有保温腔体，保温腔体为耐火材料组成的圆柱体结构坩埚，圆柱体结构内部为空腔；在保温腔体内设置有碳化硅保温坩埚，所述碳化硅保温坩埚由碳化硅坩埚上体和碳化硅坩埚下体上下拼合而成，碳化硅坩埚上体和碳化硅坩埚下体上下拼合形成内部为空腔的碳化硅保温坩埚，空腔内能够放置待烧制样品，碳化硅坩埚上体和碳化硅坩埚下体均为轴截面是梯形的圆台状。
一种微波高温加热装置

[实用新型]一种节能型碳化硅立柱-CN202121038126.X有效
发明人：马娟娟 -专利权人：山东仁和新材料有限公司
申请日： 2021-05-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种节能型碳化硅立柱，包括碳化硅立柱本体，所述碳化硅立柱本体侧壁开设有滑槽，所述滑槽滑动连接有滑动结构，所述碳化硅立柱本体侧壁设置有夹持结构，所述碳化硅立柱本体侧壁贯穿开设有多个第二螺栓孔，所述第二螺栓孔内部螺纹连接有第二螺栓，所述碳化硅立柱本体上端固定安装有支撑块，所述碳化硅立柱本体下端固定连接有第三固定块。本实用新型，该节能型碳化硅立柱的设计比较实用合理，方便安装和拆卸，大大减去了传统碳化硅立柱的单调性，为使用增加了操作性和功能性。
一种节能型碳化硅立柱

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201080053810.3有效
发明人：增田隆;小古井久雄;桥本胜彦 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。
碳化硅制造方法

[发明专利]一种碳化硅IGBT晶圆的加工工艺-CN202310025257.1在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅IGBT晶圆的加工工艺，本发明包括以下步骤：S1、首先在碳化硅晶圆正面进行离子植入，并且进行高温回火，然后在碳化硅晶圆正面蚀刻出沟槽，并且对碳化硅晶圆进行氧化，在碳化硅晶圆正面和沟槽内部生产二氧化硅层；S2、翻转碳化硅晶圆，通过第一次碳沉积将碳化硅晶圆正面固定到石墨载板上，通过在步骤S1中先进行碳化硅晶圆正面的高温工艺，最后进行步骤S7中无需进行高温的工艺，使得碳化硅IGBT晶圆的加工能够从高温至低温依次进行，避免提前完成单面工艺使得后续进行另一面高温工艺时，碳化硅晶圆上已经完成的工艺无法承受后续的高温工艺，影响到所制作的碳化硅IGBT晶圆的品质。
一种碳化硅 igbt 加工工艺

[发明专利]一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法-CN201610114077.0有效
发明人：李红霞;王刚;袁波;于建宾;陈阔;韩建燊;董宾宾 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法。提出的一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法=采用碳化硅多孔陶瓷作为基体，在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，包括有碳化硅多孔陶瓷的预处理、硅浆的制备、硅浆在碳化硅多孔陶瓷表面的涂覆和气氛烧结四个过程。本发明通过在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，在不降低过滤元件使用性能的前提下提高其耐用性。
一种梯度结构碳化硅基多陶瓷制备方法

[发明专利]半导体装置、逆变器电路、驱动装置、车辆及升降机-CN202010110623.X在审
发明人：京極真也;西尾让司;饭岛良介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；碳化硅层，位于第1电极与第2电极之间，具有第1面和第2面，上述碳化硅层具有：在第1面在第1方向上延伸的第1沟槽、在第2方向上交替地配置的p型的第1碳化硅区域以及n型的第2碳化硅区域、位于第2碳化硅区域与第1面之间的p型的第3碳化硅区域、位于第3碳化硅区域与第1面之间的n型的第4碳化硅区域、以及位于第1碳化硅区域与第1沟槽之间且p型杂质浓度比第1碳化硅区域高的p型的第5碳化硅区域；第1沟槽的中的栅极电极；以及栅极电极与碳化硅层之间的栅极绝缘层，第1碳化硅区域的与第1面垂直的长度比第1沟槽的深度长。
半导体装置逆变器电路驱动车辆升降机

[发明专利]一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法-CN202210072526.5在审
发明人：张东生;姚栋嘉;李江涛;王征;魏庆渤;吴恒 -专利权人：巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅涂层石墨基座，包括呈圆盘片状的石墨基座，石墨基座表面沉积碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜外沉积石墨烯薄膜或难熔金属碳化物层；或者石墨基座表面沉积难熔金属碳化物层；还包括沉积在难熔金属碳化物层表面或者沉积在石墨烯薄膜表面碳化硅涂层；通过在石墨基座表面沉积石墨烯薄膜或者难熔金属碳化物层，从而大大提高基体表面的比表面积，从而在基体表面形成了更多的形核位点，在沉积碳化硅涂层时，减轻了碳化硅晶粒聚集程度，使碳化硅涂层的晶粒分布更加均匀致密，提高了碳化硅涂层石墨基座的抗热震性能及耐腐蚀性能；本发明还涉及一种碳化硅涂层石墨基座制备方法。
一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅刃料的再生方法-CN201710539110.9在审
发明人：刘焕新 -专利权人：烟台华锐微粉有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅刃料的再生方法，首先将碳化硅废砂浆通过固液分离得到废碳化硅粉体，还依次包括去杂质、提纯、整型、再造粒刃步骤，与现有技术相比，本发明将废弃的碳化硅回收加工再利用，利用率可达90%以上，最大限度的利用碳化硅，增加碳化硅的使用价值。
一种碳化硅再生方法

[实用新型]一种碳化硅脱硫离心泵-CN201820669655.1有效
发明人：姜林志;秦良奇;王炳波 -专利权人：烟台恒邦泵业有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： F04D29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅脱硫离心泵，包括泵体、叶轮、泵盖，所述泵体和泵盖的过流面设有碳化硅涂层A，所述碳化硅涂层A的厚度为2‑4mm；所述叶轮的外表面设有碳化硅涂层B，所述碳化硅涂层B的厚度为2‑4mm；所述化硅涂层A、碳化硅涂层B的厚度为3mm。本实用新型在泵体、泵盖过流面及叶轮外表面设有碳化硅涂层，腐耐磨效果好，并且不需要重新制作模型，大大降低成本，韧性好，在涂层出现破损后，可以重新打磨涂层，喷砂后重新喷涂碳化硅，不用整体更内衬树脂碳化硅，维修方便
碳化硅涂层碳化硅泵体叶轮本实用新型离心泵泵盖脱硫叶轮外表面耐磨效果维修成本维修方便维修周期重新喷涂硅涂层过流面树脂流面内衬喷砂打磨破损制作

[发明专利]一种多晶碳化硅薄膜的生长方法-CN201510960178.5在审
发明人：张宇锋;胡启涛;林南英;李晓军 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种多晶碳化硅薄膜的生长方法，涉及碳化硅薄膜。提供可有效减少碳化硅薄膜内部的杂质和缺陷，避免薄膜中因为较大的张应力造成薄膜破裂现象，显著提高碳化硅薄膜质量的一种多晶碳化硅薄膜的生长方法。将清洗后的衬底送入磁控溅射仪溅射，溅射结束后降温，形成非晶碳化硅薄膜样品，退火后即得多晶碳化硅薄膜。采用磁控溅射设备在掺铝氧化锌衬底上制备多晶碳化硅薄膜样品，通过控制生长参数，得到尺寸均匀碳化硅薄膜，制备过程简单、工艺稳定、重复性好、无需使用有毒或危险气体，而且制得的多晶碳化硅薄膜沉积速率高、致密性好
一种多晶碳化硅薄膜生长方法

[发明专利]碳化硅逆变控制装置及发电设备-CN201710386756.8在审
发明人：刘建平 -专利权人：江西清华泰豪三波电机有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本发明涉及电力技术领域，具体涉及一种碳化硅逆变控制装置及发电设备。碳化硅逆变控制装置应用于包括发电机的发电设备，碳化硅逆变装置包括控制器、碳化硅整流器、碳化硅逆变器以及人机交互装置，碳化硅整流器的输入端与发电机连接、输出端与碳化硅逆变器连接，碳化硅逆变器和人机交互装置分别与控制器连接控制器、碳化硅整流器、碳化硅逆变器以及人机交互装置设置于一壳体，壳体具有容纳空间，发电机设置于容纳空间。通过上述设置有效提高了发电设备的电流的转化效率，实现了一体化设置，极大地提高了实用性。
碳化硅控制装置发电设备

[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备-CN201910108178.0在审
发明人：陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括生长容器、生长基座和缓气机构；所述生长容器底部设置有容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；所述生长基座设置在所述生长容器的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶；所述缓气机构设置在所述生长容器内所述碳化硅单晶制备设备包括上述碳化硅单晶生长装置。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备出的碳化硅单晶品质更好，且产量更高。
碳化硅单晶生长容器生长装置制备设备生长容置空间气体通道晶体生长领域碳化硅粉料机构设置生长气氛位置处制备

[发明专利]一种碳化硅陶瓷膜油浆分离系统及分离方法-CN202010926410.4在审
发明人：邓迁君 -专利权人：襄阳九鼎昊天环保设备有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C10G31/11 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅陶瓷膜油浆分离系统及分离方法，所述分离系统包括撬装体(1)、泵(2)、阀门(3)、控制箱(4)、碳化硅陶瓷膜(5)、碳化硅陶瓷膜主通道进口(6)、碳化硅陶瓷膜主通道出口(7)、副通道出口(8)、原料罐(9)和产品罐(10)，使用螺栓将撬装体底座固定在现场基础上；产品罐、碳化硅陶瓷膜、原料罐、控制箱及泵通过底座安装于撬装体上；碳化硅陶瓷膜主通道进口、碳化硅陶瓷膜主通道出口、副通道出口安装于碳化硅陶瓷膜上；管道贯通于产品罐、原理罐、碳化硅陶瓷膜各管口之间；阀门安装于管道需要控制的合理段。本发明实现碳化硅陶瓷膜油浆分离稳定可靠运行。
一种碳化硅陶瓷膜分离系统方法