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[发明专利]一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路-CN202111187491.1在审
发明人：徐华超;胡胜发 -专利权人：广州安凯微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路，其中偏置方法包括：获取共源共栅放大器中输入管的漏源电压对应的第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压对应的第二最低饱和漏源电压；根据第一最低饱和漏源电压、第二最低饱和漏源电压，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压。本发明根据第一最低饱和漏源电压和第二最低饱和漏源电压的值，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压，从而使得共源共栅放大器能够获得稳定的增益
一种共源共栅放大器偏置方法装置电路

[发明专利]晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路-CN200710066147.0无效
发明人：李希强 -专利权人：李希强
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路，它有“共源——共漏”、“共漏——共栅——共漏”和“共源——共栅——共漏”三种不同表现形式，该电路实现了输出信号中富含偶次谐波与单端直耦的共存。
晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路

[发明专利]一种可变增益放大器-CN201980091930.3有效
发明人：李天一 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：一种可变增益放大器VGA，第一共源管对分别与第一共栅管对和第二共栅管对构成共源共栅结构，第二共源管对分别与第三共栅管对和第四共栅管对构成共源共栅结构，第一负载电阻分别耦合第一共栅管对中一个共栅管的漏极和第三共栅管对中一个共栅管的漏极，第二负载电阻分别耦合第一共栅管对中另一个共栅管的漏极和第三共栅管对中另一个共栅管的漏极，第一虚拟电阻分别耦合第二虚拟电阻、第二共栅管对中两个共栅管的漏极和第四共栅管对中两个共栅管的漏极，分流电路分别耦合第一共栅管对中两个共栅管的源极和第一虚拟电阻，反向并联电路分别耦合第三共栅管对中两个共栅管的源极、第一负载电阻和第二负载电阻。
一种可变增益放大器

[发明专利]可变增益放大器-CN201110288636.7有效
发明人：安正旭;须田哲平;上田富雄 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：一种可变增益放大器包括：源极接地晶体管，输入信号被提供到其栅极；多个第一共源共栅晶体管，其源极被连接到源极接地晶体管的漏极；第二共源共栅晶体管，其源极被连接到源极接地晶体管的漏极；第一栅极接地晶体管，其源极被连接到多个第一共源共栅晶体管的漏极，并且恒定电压被施加到其栅极；以及输出负载，其被连接到第一栅极接地晶体管的漏极，其中，多个第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管被置入传导状态或非传导状态，从而使得源极接地晶体管的漏极电流恒定，并且使得漏极电流中被提供给多个第一共源共栅晶体管的部分改变
可变增益放大器

[发明专利]一种功率放大器-CN201110077931.8有效
发明人：刘孝辉;龚夺;杨云 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种功率放大器，包括：共源晶体管、共栅晶体管以及电容，所述共源晶体管的源极连接地信号，所述共源晶体管的栅极用以连接第一偏置电压；所述共栅晶体管的源极与共源晶体管的漏极连接，所述共栅晶体管的栅极用以连接第二偏置电压，所述共栅晶体管的漏极耦合一直流电压源，所述电容连接所述共栅晶体管的栅极和漏极。由于共栅晶体管的栅极和漏极之间连接有一电容，在该栅极和漏极之间形成一高通通路，使该栅极和漏极的压差减小，这样能够使漏极具有一个更大信号摆幅而不会达到栅极和漏极的击穿电压。
一种功率放大器

[发明专利]用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法-CN201610171228.6有效
发明人：赵笛贤;P·雷纳尔特;M·F·基夫尼 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：在此提供一种用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法。共源共栅放大器可使用与自举的公共栅极级共源共栅的抵消的公共源极级来提供具有改善的性能、增益、稳定性和可靠性的放大器拓扑结构。此外，公共栅极级的自举的电容器可在共源共栅晶体管的源极指状物和漏极指状物之间形成图案，由此改进器件性能。作为RF功率放大器工作的情况下，具有自举公共栅极级的采用抵消的公共源极级的单级共源共栅放大器可为E带的信号提供多于15dB的功率增益。
用于针对毫米波功率应用共源共栅放大器拓扑结构设备方法

[发明专利]一种可重构的运算放大器-CN202110129617.3有效
发明人：幸新鹏;刘森基;尚雪倩;冯海刚;王志华;李冬梅 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构的运算放大器，包括套筒式共源共栅运算放大器结构，套筒式共源共栅运算放大器结构中部分MOS管各自的漏极和源极之间分别连接有开关，通过控制开关的闭合和断开切换于共源共栅运算放大器、差分单管放大器两种工作状态本发明大大提高了运算放大器的可复用性，减少了额外的设计开销，由于设计是在共源共栅运算放大器的基础上设计的，不会增加额外的功耗。
一种可重构运算放大器

[发明专利]谐振增强型射频低噪声放大器-CN200610029644.9无效
发明人：景一欧;李勇;赖宗声 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：背景技术的共源－共栅放大器电路虽可使正向放大倍数和噪声系数得到兼顾，但需在共源晶体管的栅极电路串接大电感，共栅晶体管的漏极输出大幅度电压，放大器的线性度较差。本发明的放大器采用单管共源放大电路，其输入电路串接电容电感并联电路，其输出电路中接有电容电感串联电路，共源晶体管的漏极输出小幅度电压，不仅噪声低和正向放大倍数大，而且线性度好，弥补了背景技术的共源－共栅放大器的不足
谐振增强射频低噪声放大器

[发明专利]半桥式半导体器件-CN202011088983.0在审
发明人：迪尔德·乔杜里;里卡多·杨多克;所罗伯·潘迪 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及分立半桥式半导体器件，其包括：第一共源共栅布置和第二共源共栅布置；第一共源共栅和第二共源共栅布置中的每一个包括高压FET器件管芯和低压FET器件管芯；其中，高压FET器件管芯的源极安装在低压FET器件管芯的漏极上，并连接到低压FET器件管芯的漏极；以及低压FET器件管芯的源极和高压FET器件管芯的栅极在公共连接焊盘处连接到第二共源共栅布置的高压FET器件管芯的漏极端子。
半桥式半导体器件

[发明专利]一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法-CN201810818998.4有效
发明人：刘查理 -专利权人：刘查理
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法，将高压硅衬底GaN半导体器件漏极作为共源共栅器件的漏极，栅极与低压器件源极连接作为共源共栅器件的源极且接地电，源极与低压器件漏极连接，将低压器件栅极作为共源共栅器件的栅极；将高压硅衬底GaN半导体器件的硅基板接地电；将低压器件的阈值电压设计为3V～10V；在硅衬底GaN半导体共源共栅器件上并联高压硅二极管；通过公式计算低压器件漏极与源极之间的电容的值或者在低压器件上并联硅电容或者稳压二极管基于本发明设计的硅衬底GaN半导体共源共栅器件，解决了现有硅衬底GaN半导体共源共栅器件因其本身设计导致容易失效的问题。
一种衬底 gan 半导体共源共栅器件设计方法

[发明专利]源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管-CN201310508661.0有效
发明人：刘溪;靳晓诗;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管，源电极和漏电极除与半导体薄膜接触之外，还分别附着于临近源电极和漏电极两侧的绝缘介质层的上方，使其分别对半导体薄膜的源极和漏极部分的电场和载流子分布具有一定控制作用当器件工作时，对源电极施加反向电压；对漏电极施加正向电压；并通过调节栅电极的电压，使位于栅电极下方的具有较窄禁带宽度的半导体薄膜区实现载流子的耗尽，以此实现虚拟的PIN结，避免了普通隧穿晶体管对于深纳米尺度下的重掺杂PIN结在热处理工艺过程当中会发生再次扩散的这一技术难题，还可以通过调节源电极和漏电极的电压来降低源漏接触电阻。
源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管

[发明专利]用于优化共栅共源放大器关闭的装置-CN202080007577.9在审
发明人： S.I.小霍奇 -专利权人：斯兰纳亚洲有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：公开了一种用于关闭具有共栅晶体管和共源晶体管的共源共栅放大器的装置，所述装置包括所述共源共栅放大器、反馈电路和偏置电路。所述反馈电路被配置为当所述共源晶体管切换到第一关断状态时从所述共源晶体管的漏极接收漏极电压，并且产生第一反馈信号。所述漏极电压等于所述共栅晶体管的源极电压，并且响应于将所述共源晶体管切换到所述第一关断状态，所述漏极电压增加。所述偏置电路被配置为接收所述第一反馈信号并产生偏置电压。从所述偏置电压产生第一栅极电压。所述共源共栅放大器被配置为接收所述第一栅极电压和第二栅极电压。所述共栅晶体管被配置为响应于接收到所述第二栅极电压而切换到第二关断状态。
用于优化共栅共源放大器关闭装置

[发明专利]CMOS音频运算放大器-CN200710173865.8有效
发明人：张宇锋;龙继志 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：CMOS音频运算放大器，包括：折叠共源共栅输入级、双端转单端电流镜、Class AB浮动偏置、偏置电路、推挽共源输出级及NMOS(M27)，所述NMOS(M27)的漏极与双端转单端电流镜的信号输入端相连，NMOS(M27)的栅极与Class AB浮动偏置的电压偏置端相连，NMOS(M27)的源极与折叠共源共栅输入级的信号输出端相连。本发明在现有技术中的CMOS音频放大电路中增加了NMOS器件，通过其对电源电压波动的隔离作用，并使得折叠共源共栅输出端的电压相等的办法，从而解决了CMOS音频放大电路的抗射频干扰问题。
cmos 音频运算放大器

[发明专利]共源共栅电流镜偏置方法及其偏置电路-CN200610040279.1有效
发明人：于峰崎 -专利权人：苏州中科集成电路设计中心有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明属于电路领域，是一种共源共栅电流镜偏置方法及其偏置电路。在共源共栅电流镜电路的n型晶体管网络和p型晶体管网络中间串接一个晶体管，将该晶体管的栅极接电源或接地，将该晶体管的源极和漏极分别接至n型晶体管网络和p型晶体管网络的漏极，该晶体管的源极和漏极分别用来偏置该共源共栅电流镜的两个栅极能使共源共栅电流镜中所有晶体管工作在饱和区，从而电路设计者不需花很多时间来调共源共栅电流镜的静态工作点。
共源共栅电流偏置方法及其电路

[发明专利]一种功率放大器-CN202211476120.X在审
发明人：肖顺群;马顺利;曹军;吴天祥;李雪峰;陈宏志;曾超凡;潘嘉豪;徐卓凡 -专利权人：上海航天科工电器研究院有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率放大器，包括若干并联设置的共源共栅差分放大器，且共源共栅差分放大器的栅极端与漏极端均电性连接有栅漏匹配人工集总传输线，射频信号由栅漏匹配人工集总传输线的信号输入端经过隔直电容后串联施加在各级共源共栅差分放大器的栅极，栅极直流偏置电压由栅极传输线的电压输入端经过端口吸收阻抗引入，信号经过多级共源共栅差分放大器放大后，以漏极直接串联电流信号加和的方式。本发明通过逐级增大放大器晶体管尺寸，以得到较大的饱和输出功率，同时，通过逐级减少栅漏级匹配电感，以匹配逐级增大的栅漏对地的寄生电容，有利于提高功率放大器的宽带，增加放大器的输出功率，满足无线发射机的高功率发射需求
一种功率放大器

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