“石桥晓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果55个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]靶材装置、溅射装置-CN201780038787.2有效
发明人：白井雅纪;山本拓司;高泽悟;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种靶材使用效率高的靶材装置和溅射装置。将导磁率高于垫板(21)的导磁率的环状的高导磁率板(27)的表面(33)配置于与外侧磁体(25)的上端和内侧磁体(26)的上端所处的磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更接近溅射靶材(22)的位置，将背面(32)配置于与磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更远离于溅射靶材(22)的位置。从外侧磁体(25)的上端或内侧磁体(26)的上端释放出的磁力线中的位于下方的一部分磁力线进入高导磁率板(27)，通过内部并进入内侧磁体(26)的上端或外侧磁体(25)的上端，因此位于上方的磁力线变为与溅射靶材(22)的溅射面(24)平行，靶材使用效率提高。
装置溅射

[发明专利]液晶显示装置、有机EL显示装置、半导体元件、布线膜、布线基板、靶材-CN201780088452.1在审
发明人：高泽悟;中台保夫;新田纯一;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种能够通过一次的蚀刻进行图案化且针对树脂基板的附着力强的布线膜以及使用了该布线膜的半导体元件、显示装置。与树脂基板(30)接触的基底膜(21)是以规定比例含有作为主添加金属的铝和作为副添加金属的硅、钛或镍的铜薄膜，由于针对树脂的附着力强，因此布线膜(31、32)(栅极电极层32)不会自树脂基板(30)剥离。另外，基底膜(21)和低电阻膜(22)由于含有很多的铜，因此能够通过对铜进行蚀刻的蚀刻剂或蚀刻气体一同进行蚀刻，因此布线膜(31、32)能够通过一次的蚀刻进行图案化。
布线膜蚀刻树脂基板半导体元件附着力强基底膜图案化有机EL显示装置液晶显示装置金属栅极电极层布线基板低电阻膜蚀刻气体显示装置蚀刻剂铜薄膜树脂靶材剥离

[发明专利]场效应晶体管的制造方法-CN201610010064.9有效
发明人：赤松泰彦;武井应树;清田淳也;石桥晓;汤川富之;小林大士;仓田敬臣;新井真 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜-CN201410341203.7在审
发明人：汤川富之;武井応树;小林大士;赤松泰彦;清田淳也;增泽健二;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
透明导电制造方法装置溅射

[发明专利]半导体装置-CN201410134682.5在审
发明人：市川周平;高泽悟;杉浦功;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。
半导体装置

[发明专利]电子装置的形成方法、电子装置、半导体装置以及晶体管-CN201080025725.6无效
发明人：高泽悟;白井雅纪;石桥晓;增田忠;中台保夫 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种不使导电性布线膜的电阻率上升的技术。在高温下暴露于在化学结构中具有Si原子的气体中的导电性布线膜(9a、9b)的表面，设置以0.3原子%以上的含有率含有Ca的导电层(52)。在导电层(52)的表面形成含有Si的栅极绝缘层或保护膜时，即使导电层(52)暴露于在化学结构中具有Si的原料气体中，Si原子也不扩散到导电层(52)的内部，所以，电阻值不上升。为了防止来自玻璃基板或硅半导体的Si扩散，也能够形成CuCaO层作为紧贴层。
电子装置形成方法半导体以及晶体管

[发明专利]布线层、半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置-CN201080048436.8有效
发明人：高泽悟;白井雅纪;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种不从氧化物薄膜剥离并且铜原子不扩散到氧化物薄膜中的电极膜。由作为Cu-Mg-Al的薄膜的高紧贴性阻挡膜（37）和铜薄膜（38）构成布线层，使高紧贴性阻挡膜（37）与氧化物薄膜接触。对于高紧贴性阻挡膜（37）来说，在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at％时，若在0.5at％以上且5at％以下的范围含有镁、在5at％以上且15at％以下的范围中含有铝，则兼顾紧贴性和阻挡性，得到附着力强、铜原子不扩散的布线层（50a、50b）。
布线半导体装置具有液晶显示装置

[发明专利]布线层、半导体装置、液晶显示装置-CN201080039374.4有效
发明人：高泽悟;白井雅纪;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供不从玻璃基板剥离的电极层或布线层。以形成在玻璃基板(31)表面上的Cu-Mg-Al薄膜的密接膜(37)、和形成在密接膜(37)表面上的铜薄膜(38)构成布线层(30)、栅极电极层(32)。在铜、镁以及铝的合计原子数为100at％时，若含镁范围为0.5at％以上5at％以下、含铝的范围为5at％以上15at％以下，则密接膜(37)对玻璃基板(31)的密接性变高，铜薄膜(38)不会从玻璃基板(31)剥离。布线层(30)与液晶显示装置(2)的像素电极(82)电连接。
布线半导体装置液晶显示装置

[发明专利]半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置、半导体装置的制造方法-CN201080038623.8有效
发明人：高泽悟;白井雅纪;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。
半导体装置具有液晶显示装置制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法和太阳能电池-CN201080004560.4无效
发明人：高桥明久;石桥晓;宇佐美达己;白井雅纪;秋山伦雄 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种包括形成在透明基板(6，51)上的透明导电膜(54)的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：制备靶(7)，所述靶包括ZnO和包括含Al或Ga的物质的材料，ZnO为所述靶(7)的主要组分；在包括工艺气体的第一气氛中，对所述靶施加溅射电压并形成包含在透明导电膜(54)中的第一层(54a)；在比第一气氛包括更多氧气的第二气氛中，对所述靶(7)施加溅射电压并在第一层(54a)上形成第二层(54b)，所述第二层(54b)包含在透明导电膜(54)中；以及通过对所述透明导电膜(54)进行蚀刻工艺形成不规则形状。
太阳能电池制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管-CN200980142083.5有效
发明人：高泽悟;石桥晓;增田忠 -专利权人：三菱综合材料株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，提供一种即使暴露在氢等离子体中也不会剥离的金属布线膜。由含有铜、Ca、氧的紧贴层（51）、电阻比紧贴层（51）低的金属低电阻层（52）（铜合金或者纯铜的层）构成金属布线膜（20a）。在紧贴层（51）中含有包含Ca和氧的铜合金，当构成与欧姆接触层（18）紧贴的源极电极膜（27）和漏极电极膜（28）时，即使暴露在氢等离子体中，在紧贴层（51）和欧姆接触层（18）的界面形成的含有Cu氧化物也不被还原，在紧贴层（51）和硅层之间不会发生剥离。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法、蚀刻装置和CVD装置-CN200980142934.6无效
发明人：高桥明久;石桥晓;浮岛祯之;松原将英;冈部哲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明中的太阳能电池的制造方法为形成ZnO的透明导电膜作为光入射侧的功率提取电极的太阳能电池的制造方法，该制造方法至少依次具备：施加溅射电压，使由所述透明导电膜的成膜材料形成的靶溅射，在基板上形成所述透明导电膜的工序A；在所述透明导电膜的表面形成纹理的工序B；使用UV/臭氧对形成有所述纹理的所述透明导电膜的表面进行洗涤的工序C；和在所述透明导电膜上形成发电层的工序D。
太阳能电池制造方法蚀刻装置 cvd

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140705.0有效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN200980140737.0无效
发明人：高桥明久;石桥晓;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种位于光入射侧的输出功率的上部电极包含以铟(In)、锌(Zn)和锡(Sn)中的任意一种作为基本构成元素的透明导电膜的太阳能电池的制造方法，该方法具备使用湿式蚀刻法在形成所述透明导电膜的透明基板的表面形成纹理的工序A，在所述工序A中，在形成所述纹理时，在所述透明基板上形成金属薄膜，将该金属薄膜作为掩模进行各向异性蚀刻。
太阳能电池制造方法

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140711.6无效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 55 条