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[发明专利]一种芯片裂纹检测方法、系统、存储介质及智能终端-CN202311196832.0在审
发明人：彭祎;罗立辉;方梁洪;任超 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及一种芯片裂纹检测方法、系统、存储介质及智能终端，涉及晶圆芯片检测技术的领域，其包括于未通过DBG工艺前在晶圆表面溅射阻隔层和种子层，所述晶圆上设有衬底和钝化层；于晶圆上设置标记；于DBG工艺中在将晶圆背面贴划片膜前且晶圆背面朝上时进行扫描，形成背面裂纹扫描图谱；将背面裂纹扫描图谱镜像，以形成镜像背面裂纹扫描图谱；于DBG工艺完成后在晶圆正面进行扫描，形成正面裂纹扫描图谱；基于标记整合镜像背面裂纹扫描图谱和正面裂纹扫描图谱，形成综合裂纹扫描图谱；基于综合裂纹扫描图谱确定裂纹结果并进行输出，本申请具有将两个扫描的图谱综合自动分析，避免造成更大的损失，提高了裂纹检测的精度的效果。
一种芯片裂纹检测方法系统存储介质智能终端

[发明专利]一种晶圆及提高芯片倒装均一性的方法-CN202210438172.1有效
发明人：任超;方梁洪;李春阳;彭祎 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆及提高芯片倒装均一性的方法，涉及半导体封装的领域，其包括于芯片上形成PI保护层，所述PI保护层上设置有第一开口；于PI保护层上形成RDL层并在RDL层上依次形成目标金属凸块和区别金属凸块；其中，形成PI保护层和RDL层的步骤包括：获取PI保护层的开口尺寸信息，其中开口尺寸信息包括面积信息、深度信息和体积信息；根据开口尺寸信息调整PI保护层和RDL层的结构，使得目标金属凸块和区别金属凸块的上接触面等高。本申请具有使得所有的金属凸块的上接触面高度等高，在后期电焊时不易产生虚焊的现象，提高了芯片的可靠性的效果。
一种提高芯片倒装均一方法

[发明专利]一种晶圆级MPW芯片封装结构及封装方法-CN202210679410.8有效
发明人：刘凤;李春阳;任超;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆级MPW芯片封装结构及封装方法，涉及半导体芯片封装技术的领域，其包括提供来料晶圆进行切割，形成独立的有效芯片；将有效芯片的一侧粘合于第一粘合层上，以将有效芯片固定于基板上；于基板靠近有效芯片的一侧形成填充层以将有效芯片之间的间隙填充并将有效芯片远离基板的一侧的填充层去除；于填充层以及有效芯片远离基板的一侧形成PI保护层，所述PI保护层设有第一开口；于第一开口内溅射TI/CU种子层，所述TI/CU种子层包覆于PI保护层和第一开口；于第一开口处形成铜凸块，所述铜凸块和TI/CU种子层电连接；将露出铜凸块部分的TI/CU种子层去除。本申请具有节约时间、降低封装材料及人力，节约了成本的效果。
一种晶圆级 mpw 芯片封装结构方法

[发明专利]一种植有异尺寸锡球的芯片结构及其加工工艺-CN202210438170.2有效
发明人：严晨虎;李春阳;方梁洪;李宁 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及一种植有异尺寸锡球的芯片结构及其加工工艺，其芯片结构包括：芯片，设置有焊盘；UBM层，于所述焊盘上堆叠且相连设置有至少一个；锡球，一一对应于每一焊盘，且植入于远离焊盘的UBM层上；其中，堆叠数量越多的所述UBM层所对应植入的锡球的球径越小，以使每一锡球的球高相等。其工艺包括：在芯片上形成PI保护层；对每一焊盘所在的区域成型UBM层；在芯片上形成光阻层；对小球径的锡球对应的焊盘所在的区域成型UBM层；去除光阻层；对顶部的UBM层植入相应球径的锡球。本申请使得芯片上大小不一的锡球的球高均可以相等，提高植有大小不一的锡球的芯片与基板的连接质量。
种植尺寸芯片结构及其加工工艺

[发明专利]一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质-CN202210304519.3有效
发明人：李春阳;彭祎;刘明明;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-03-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质，超薄芯片背胶涂覆方法包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。本申请具有可以对经过DBG工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。
一种超薄芯片背胶涂覆方法装置存储介质

[发明专利]一种封装器件及封装器件的制作方法-CN202210535746.7有效
发明人：汪洋;李春阳;高局;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提出了一种封装器件及封装器件的制作方法。封装器件包括：基板；芯片，设于基板的第一侧面；塑封体，罩设于芯片外，塑封体设有多个塑封侧面和一个塑封顶面，塑封侧面的第一端与基板的第一侧面相连接，塑封侧面的第二端与塑封顶面相连接，至少一个塑封侧面与基板的第一侧面之间的夹角为锐角塑封侧面；屏蔽层，屏蔽层设于基板的第一侧面，屏蔽层罩设于塑封体外，屏蔽层贴合于塑封侧面和塑封顶面。塑封体的至少一个塑封侧面与基板的第一侧面之间的夹角是锐角，在适当的溅射角度下，对应于锐角的塑封侧面受到来自基板的反弹溅射，塑封顶面和其他塑封侧面受到直接溅射，塑封顶面和多个塑封侧面同时受到溅射，从而使得屏蔽层的厚度均匀。
一种封装器件制作方法

[发明专利]一种晶圆的编带方法、装置和设备-CN202010572397.7有效
发明人：梁于壕;方梁洪;刘凤;任超;刘明明;彭祎 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的编带方法、系统和设备，所述方法包括：获取晶圆的基图和晶片晶圆体的排列顺序；将晶片晶圆体的排列顺序与预设的晶片晶圆体的排列顺序进行比对，确定不同种类的晶片晶圆体；基于晶片晶圆体的不同种类，对晶片晶圆体标记不同的编号；对已经标记编号的晶片晶圆体对应的晶圆进行光学检测和电性能检测；根据晶圆的光学检测结果和晶圆的电性能检测结果，筛选出合格的晶片晶圆体；将合格的晶片晶圆体按照标记的编号，切割成不同编号的预制晶圆；将预制晶圆按照标记的编号，封装成不同编号的芯片；将芯片按照标记的编号，编带成不同编号的卷盘；本发明能够缩短后续检测、封装和卷盘的过程中分选时间，节约成本。
一种方法装置设备

[发明专利]SOI芯片的晶圆级封装方法、系统及存储介质-CN202210981788.3有效
发明人：任超;罗书明;彭祎;方梁洪;李春阳 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种SOI芯片的晶圆级封装方法、系统及存储介质，方法包括：在SOI芯片上涂覆PI胶；根据预设的温升趋势对SOI芯片进行加热以固化PI胶并形成PI保护层，所述预设的温升趋势的最大峰值温度小于所述PI胶的半完全固化温度，且所述预设的温升趋势的持续时间大于或等于PI胶的固化时间；对PI保护层进行光刻以及显影以暴露所述SOI芯片上的焊盘；于溅射腔中对SOI芯片的表面进行溅射以形成种子层；对种子层进行光刻以形成与焊盘连接的电镀种子层；对电镀种子层进行电镀以形成金属柱；其中，在对SOI芯片的表面进行溅射之前，在溅射腔中预溅射若干数量的硅基假片。本申请改良了光刻工艺，减小高温对SOI制程的晶圆在固化PI胶的过程中所造成的损伤。
soi 芯片晶圆级封装方法系统存储介质

[发明专利]一种倒装焊芯片封装缺陷的检测方法-CN202211013390.7在审
发明人：彭祎;方梁洪;李春阳;任超;刘凤 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片工艺技术领域，本发明提供了一种倒装焊芯片封装缺陷的检测方法。本发明提供的检测方法通过先制备待检测的芯片，具体为在裸晶圆的表面溅射种子层，在种子层上制备焊点阵列，得到初始晶圆；初始晶圆的焊点阵列中的多个焊点通过种子层导通；对初始晶圆进行切割、焊接和引脚成型处理，得到待检测芯片集；待检测芯片集包括多个待检测芯片；再对待检测芯片集的多个待检测芯片中的每个待检测芯片进行电路检测得到每个待检测芯片对应的电路检测结果；基于每个待检测芯片对应的电路检测结果确定该待检测芯片是否为合格芯片。该种基于芯片电性能的检测方法检测效率高，且需要对该晶圆的所有芯片进行检测，避免了漏检，提高了检测精准度。
一种倒装芯片封装缺陷检测方法

[发明专利]一种封装晶圆级芯片的方法-CN202010559444.4有效
发明人：任超;方梁洪;彭祎;李春阳;刘凤;梁于壕 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种封装晶圆级芯片的方法，包括确定制备锡球的数量及制备锡球的半径；确定目标封装晶圆中目标锡球的目标球下金属层UBM的目标尺寸；提供形成有芯片焊盘的待封装晶圆，在待封装晶圆上形成第一保护层；开设导电通孔，通过导电通孔暴露出芯片焊盘；形成金属种子层；在金属种子层上方形成具有目标尺寸的UBM；在UBM上放置所确定的制备锡球，对制备锡球进行回流处理，形成目标锡球。本发明基于确定的UBM尺寸，通过对所确定的满足回流个数和回流半径制备锡球进行合并回流处理，从而得到满足用户需求的锡球尺寸。
一种封装晶圆级芯片方法

[发明专利]一种防止翘曲的非硅基晶圆级芯片封装方法-CN202010560451.6有效
发明人：彭祎;方梁洪;任超;李春阳;刘凤;梁于壕 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止翘曲的非硅基晶圆级芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。本发明的防止翘曲的非硅基晶圆级芯片封装方法，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆的表面具有焊盘；在晶圆的表面形成一层绝缘保护层，绝缘保护层上形成有暴露焊盘的第一开口；在第一开口内形成第一金属层；依次按照涂胶、烘烤、去边、曝光、显影的顺序，在第一金属层上形成光阻层，光阻层上形成有暴露第一金属层的第二开口，其中烘烤采用环绕加热烘烤的方式；在第一金属层的表面形成导电凸块。本发明在涂胶固化过程采用环绕加热的烘烤方式，以使非硅基晶圆受热均匀，避免了非硅基晶圆冷却后产生翘曲的现象，使得胶层固化程度均匀，可以顺利完成后续的显影和曝光过程。
一种防止非硅基晶圆级芯片封装方法

[发明专利]一种芯片的三维封装结构及其封装方法-CN202210714262.9在审
发明人：刘凤;彭祎;任超;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片的三维封装结构及其封装方法，包括第一封装单体、第二封装单体、间隔设置在第二封装单体上的多个第一导电柱体、包覆第一封装单体、第二封装单体和多个第一导电柱体的第一塑封结构和电磁屏蔽结构；第一封装单体设置在第二封装单体上，第一封装单体和第二封装单体电连接；第二封装单体具有第一双面导通结构，第一双面导通结构相对第一封装单体的表面暴露于空气；第一导电柱体与第二封装单体的第一双面导通结构电连接；第一塑封结构使得第一双面导通结构相对第一封装单体的表面暴露于空气；电磁屏蔽结构包覆第一塑封结构，电磁屏蔽结构与第一导电柱体电连接。本申请可以防止各芯片和元器件相互产生的电磁干扰。
一种芯片三维封装结构及其方法

[发明专利]一种封装器件及封装方法-CN202210601076.4在审
发明人：彭祎;李春阳;方梁洪;任超 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提出了一种封装器件及封装方法。封装器件包括：再布线层；芯片，芯片的第一侧设有电连接端，电连接端设于再布线层；金属柱，金属柱的第一侧设于再布线层，多个金属柱围设于芯片外，金属柱的第一侧与芯片的电连接端相平齐，金属柱的第二侧与芯片的第二侧相平齐；金属层，金属层分别与金属柱的第二侧和芯片的第二侧相连接；金属球，金属球与再布线层连接。本申请中金属柱围设于芯片外，金属层和金属柱可以形成封装器件的电磁屏蔽结构；侧面屏蔽可以通过多根铜柱来实现，不仅有电磁屏蔽的功能，也能实现很好的散热。可以通过再布线层连接至金属球从而接地，使得接地面积大，改善因接地不良导致屏蔽层失效的问题。
一种封装器件方法

[发明专利]一种晶圆级芯片的封装方法-CN202210647706.1在审
发明人：彭祎;任超;方梁洪;刘凤 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种晶圆级芯片的封装方法。本发明提供的该封装方法通过先制备待电镀晶圆；在该待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；该第一面为远离该待电镀晶圆的电镀种子层的面；并将该待电镀晶圆与电镀治具卡接，该缓冲膜能够贴附在该电镀治具上；对该待电镀晶圆进行电镀处理，在该待电镀晶圆上形成布线层；去除该缓冲膜；对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆；后续再通过对封装后晶圆进行分割等处理，即可得到单颗晶圆。该封装方法可有效提高薄片晶圆在电镀过程中的电镀质量，保证后续封装步骤的质量。
一种晶圆级芯片封装方法

[发明专利]一种射频芯片的制备方法及其结构-CN202210543154.X在审
发明人：李春阳;方梁洪;任超;刘凤;彭祎 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及芯片制备技术领域，提供了一种射频芯片的制备方法及其结构，包括获取待制备晶圆，在待制备晶圆的待制备区域制备保护层；在待制备晶圆上的保护层和待电镀区域制备溅射层；在溅射层上制备光阻层；基于目标高度对光阻层进行电镀处理，得到当次电镀处理对应的金属凸块；目标高度表征在待制备晶圆上预电镀的金属凸块的高度；对多次电镀处理对应的多个金属凸块进行回流处理，得到射频芯片；射频芯片包括不同尺寸、相同高度的多个金属凸块。基于本申请实施例，通过根据焊盘的尺寸分步电镀金属凸块，可以减小金属凸块的高度差，降低研磨时由于金属凸块间存在较大高度差引起的裂片、倒装芯片时的虚焊的可能性以及降低芯片的厚度。
一种射频芯片制备方法及其结构

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