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[发明专利]铁系元素掺杂的氮化镓纳米材料的制备方法-CN201710461658.6有效
发明人：李兰冬;黄二威;关乃佳;武光军;戴卫理 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁系元素掺杂的氮化镓纳米材料的制备方法,具体为杂原子铁、钴、镍掺杂氮化镓纳米材料的制备方法，属于杂原子掺杂纳米材料制备领域。它是以硝酸镓盐及硝酸杂原子盐为溶于浓硝酸中，经过氨水调节PH后，加入配位剂反应后得到反应产物，反应产物于450℃处理后再与NH₃于900‑1100℃温度下进行反应即可。本发明通过溶胶‑凝胶法进行杂原子铁钴镍的掺杂，进一步氮化制备了出了不同金属掺杂的氮化镓纳米颗粒，可以解决传统工艺中氮化镓材料杂原子掺杂难以控制等问题。本发明在制备杂原子掺杂氮化镓纳米材料的方法中成本低、工艺简单，质量可靠。
铁系元素掺杂氮化纳米材料制备方法

[发明专利]低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法-CN201510996216.2有效
发明人：杨静;赵德刚;陈平;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有一定氢杂质浓度的P型氮化镓层；在氮气环境下，高温退火使P型氮化镓层中受主激活，得到低电阻率P型氮化镓材料。本发明，通过用氢杂质与施主缺陷(如氮空位)形成络合物，钝化施主缺陷的方法减轻p型氮化镓材料中的受主补偿作用，达到降低P型氮化镓材料电阻率的目的。 1
低电阻率制备低温成核层施主缺陷模板层氢杂质衬底受主生长掺杂材料电阻率热处理补偿作用衬底表面成核中心氮气环境低温外延高温退火氢气环境生长材料氮空位络合物钝化去除激活

[发明专利]一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)-LED的集成器件及其制备方法-CN202310222471.6在审
发明人：张永爱;苏文娟;郭太良;周雄图;吴朝兴;严群;孙捷;张恺馨;叶金宇 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。
一种用于光学交互显示 uvpt bjt led 集成器件及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片及其制造方法-CN201310030223.8有效
发明人：朱学亮;于洪波 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明揭露了一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。晶格结构被破坏的应力释放层消除了所述保护层和第一氮化镓层的相互作用；所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致，为第二氮化镓层生长提供模板。因而第二氮化镓层能生长较厚的厚度，解决了现有的在硅衬底上生长氮化镓材料的方法无法有效消除氮化镓材料中形成裂纹的问题，提升了器件的性能和良率。
一种 led 外延及其制造方法

[发明专利]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法-CN201910183598.5在审
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率
半极性叠层结构氮化镓二维氮化镓薄膜铟镓氮制备高光电转换效率半导体材料发光二极管光电探测器光吸收效率红外光波段太阳能电池材料晶体材料体系发光性能控制腔体效率低等激光器生长高光效混溶隙相分离波段涨落掺入衬底紫光镓氮发光避开

[发明专利]一种mini LED芯片的制备方法及外延垒晶晶片、芯片-CN201811015965.2在审
发明人：朱俊宜;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-09-01 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种mini LED芯片的制备方法，其步骤包括：在外延垒晶衬底上生长以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层，在以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层上外延生长外延垒晶层，定义发光区，制备掩膜，蚀刻出N氮化镓平台、蚀刻出有形发光区至N氮化镓层，制备P电极、N电极，分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处，电极表面固定于同一基板的同一表面，剥离外延垒晶衬底，对剥离处表面进行抛光减薄芯片厚度至预设厚度，对芯片氮化镓平台支撑层表面进行粗糙化或图形化处理，利用本发明制备mini LED芯片方法制备的芯片提高了良率。
氮化镓制备平台支撑芯片蚀刻发光区衬底剥离图形化处理氮化镓层电极表面垒晶晶片抛光减薄同一表面同一基板外延生长粗糙化良率掩膜预设生长

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法-CN201110136242.X无效
发明人：李志聪;姚然;王兵;梁萌;李鸿渐;李盼盼;李璟;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
一种提高氮化发光二极管抗静电能力方法

[发明专利]自剥离氮化镓衬底材料的制备方法-CN200610096225.7无效
发明人：邱凯;尹志军;李新化;钟飞;解新建;王玉琦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法，步骤为(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢或氯化物气相外延法于其上生长氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在低于常压和常压下于氮化镓外延层上使用氢或氯化物气相外延法依次各生长一层氮化镓外延层；(c)经研磨和化学机械抛光，制得自剥离氮化镓衬底材料。它利用蓝宝石衬底与氮化镓间晶格及热膨胀系数差异，仅通过相对快速降温就将两者自剥离。
剥离氮化衬底材料制备方法

[实用新型]大斜切角异质衬底-氮化镓复合结构-CN202023214124.X有效
发明人：王国斌;王建峰;毕文刚;徐科 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大斜切角异质衬底‑氮化镓复合结构。所述大斜切角异质衬底‑氮化镓复合结构包括：大斜切角异质衬底以及设置在所述大斜切角异质衬底上的氮化镓缓冲层、二维氮化镓层、三维岛状氮化镓层和氮化镓材料层。本实用新型实施例提供的一种大斜切角异质衬底‑氮化镓复合结构的结构简单且生长工艺简单、生长条件易于调节，所述大斜切角异质衬底‑氮化镓复合结构的质量更好、表面平整度更高。
斜切角异质衬底氮化复合结构

[发明专利]一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法及其半导体薄膜-CN201210326807.5无效
发明人：李世彬;肖战菲;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成镁掺杂的铝镓氮层并使铝镓氮层中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化。本发明的实施例中，在非有意掺杂的氮化镓上形成铝含量发生变化的铝镓氮层，同时掺杂微量镁元素。由于氮化铝和氮化镓的自极化效应及极化强度呈规律性变化，从而在该铝镓氮层中形成内建电场，该内建电场排斥负性载流子，吸引正性载流子，因此诱导自由空穴集中于铝镓氮层中，从而提高了提高正性载流子浓度，极大地提高了镁的掺杂效率
一种制造掺杂半导体薄膜方法及其

[发明专利]一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线-CN201110090742.4无效
发明人：田婷;孙晓红;陈涛;胡善文;高怀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本发明提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。
一种支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线

[实用新型]一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线-CN201120105333.2无效
发明人：田婷;孙晓红;陈涛;胡善文;高怀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H03H9/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本实用新型提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。
一种支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线

[发明专利]氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用-CN202110849666.4在审
发明人：王哲明;蔡勇;张璇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用。所述方法包括：对掺有1％～3％In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活，从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法，在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性，外延生长的氮化镓材料整体的质量较高，其本征浓度与GaN的本征浓度接近
氮化掺杂方法 gan pn 制作方法及其应用

[发明专利]氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片-CN201410042037.0有效
发明人：蔡武;郑远志;周德保;杨东;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片，该方法包括在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，反应室在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，在开始生长N掺杂氮化镓层至结束生长多量子阱层的时间段内，进行至少一次热退火处理能够较大程度地降低外延内应力，降低LED的蓝移，提升材料抗静电性能，并能提升量子阱的发光效率。
氮化 led 制备方法芯片

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201821877443.9有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
氮化镓裸芯片氮化镓器件基岛引脚本实用新型贴片封装电流通过顶部安装封装材料功率器件能力问题散热效果引线框架功率管散热片电极散热外露热阻背面