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[发明专利]减少掩模版上图形布局误差的处理方法-CN202011547670.7在审
发明人：刘智龙;李大烨;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本申请公开了一种减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括：提供一空白掩模版；所述空白掩模版包括由下而上层叠设置的透明基板、缓冲层和遮光层；对所述遮光层进行图形化处理，得到图形化处理后的遮光层；对所述图形化处理后的遮光层进行图形检查及修正；对所述缓冲层进行刻蚀及清洗；对经过上述步骤处理后得到的掩模版进行退火处理，得到退火后的掩模版。本申请的减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括对遮光层进行图形化处理、图形检查及修正，对缓冲层进行刻蚀及清洗，对掩模版进行退火处理，退火处理的步骤能够释放累积的掩模版压力，进而减少局部图形布局误差。
减少模版图形布局误差处理方法

[发明专利]基于SCD文件的虚端子连接图形化方法-CN201310522610.3有效
发明人：金言;张宝华;段振坤;任俊;王岩鹏;曹卫国;杨小渝;刘乐;秦国强;朱梅 -专利权人：国家电网公司;国网冀北电力有限公司张家口供电公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及基于SCD文件的虚端子连接图形化方法，该图形化方法包括如下步骤：对SCD文件中虚端子及虚端子连接关系进行预配置；对所述虚端子进行图形化处理，并使用虚端子连接图形化工具导入SCD文件；对所述图形化处理后的结果进行输出利用该图形化方法，智能变电站重要的虚端子连接关系以直观、易阅读的方式，展示给用户，便于智能变电站的校验，满足运行维护需求。
基于 scd 文件端子连接图形方法

[发明专利]AMOLED器件的阵列基板的制作方法-CN201710586435.2在审
发明人：姜春生 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种AMOLED器件的阵列基板的制作方法，其包括提供一基板，并在基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行图形化处理；在基板上沉积光阻，并对光阻进行图像化处理；对薄膜晶体管的源极位置以及漏极位置的非晶硅层进行离子注入操作；在基板上沉积栅极绝缘层以及栅极金属层，并对栅极金属层进行图像化处理；在基板上沉积层间介质层，并对层间介质层进行图形化处理；在基板上沉积电极金属层，并对所述电极金属层进行图形化处理；在基板上沉积无机保护层，并对无机保护层进行图形化处理；以及在基板上依次沉积电子注入层以及电子传输层。
amoled 器件阵列制作方法

[发明专利]领域专用语言DSL的图形化处理方法和设备-CN201811033912.3在审
发明人：杨波 -专利权人：易保网络技术（上海）有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G06F8/30 文献下载
摘要：本发明提供一种领域专用语言DSL的图形化处理方法和设备，包括：创建java类，所述类包括方法；将DSL脚本的语句片段映射到所述java类的方法；根据所述DSL脚本的语句片段的语义实现所述java类的方法；根据Blockly规范将所述语句片段转换为图形化的块，以便组合所述图形化的块，实现所述图形化的块转译为DSL语句片段。根据本发明提供的方法，能够将DSL的脚本进行图形化处理，辅助DSL程序设计。
领域专用语言 dsl 图形处理方法设备

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置-CN201410323333.8有效
发明人：柴立 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置，该阵列基板的制作方法包括在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对第一绝缘层进行图形化处理；其中液晶显示面板两侧的阵列基板的第一绝缘层的厚度大于液晶显示面板中间的阵列基板的第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极。
阵列制作方法液晶显示装置

[发明专利]一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法及电磁屏蔽片-CN201510977190.7在审
发明人：李家洪;周坤荣;杨恺;苏临萍;吴长和;杨兆国;姚文峰;陈印中 -专利权人：上海光线新材料科技有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供无线充电用电磁屏蔽片的制备方法以及由该方法获得的电磁屏蔽片，所述方法包括如下步骤卷绕步骤，将非晶、纳米晶带材按照要求卷绕至预定尺寸；热处理步骤，将卷绕好的非晶、纳米晶带材放在热处理炉内进行热处理，在热处理的过程中进行加横磁场、加纵磁场、加旋磁场或不加磁场处理；以及图形化处理步骤，对所述非晶、纳米晶带材的未覆胶的表面进行图形化处理。通过采用本发明的图形化处理加工工艺，如激光切割、化学蚀刻等工艺进行图形化处理，使得电磁屏蔽片的电磁性能(磁导率、损耗等)可控，使得充电效率得到优化，最大程度发挥电磁屏蔽片的电磁屏蔽效果。
一种无线充电用电屏蔽制备方法电磁

[发明专利]一种SOT-MRAM器件及其形成方法-CN202210085736.8在审
发明人：张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOT‑MRAM器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层；图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶；对光刻胶表面进行固化处理，在SOT层上沉积MTJ堆叠层；采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶；在SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层，对介质层进行图形化处理，刻蚀介质层，将所需图案转移到介质层；在图形化处理后的介质层上沉积电极层，对电极层进行图形化处理，刻蚀后形成SOT‑MRAM本发明通过图形化光刻胶后沉积膜堆的方式，避免了对SOT层蚀刻而引起的器件开路，优化MTJ隧道结的侧壁形貌，消除了刻蚀引起的侧壁损伤及缺陷，提高了SOT‑MRAM器件的稳定性。
一种 sot mram 器件及其形成方法

[发明专利]用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法-CN200910309152.9无效
发明人：汪红;程吉凤;吴义伯;毛胜平;吴日新;丁桂甫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法，包括：在基底和任何已图形化结构上依次溅射粘结层和金属种子层；通过甩光刻胶并光刻图形化，显影处理后留下了图形化的金属种子层；然后以金属种子层为阴极，惰性金属为阳极进行电泳处理，制成柔性聚合物薄膜；初步固化处理后去除光刻胶掩膜层，最后将带有柔性聚合物薄膜的基底再次置于烘箱中进行二次固化处理，得到固化的聚合物薄膜结构。本发明制备的可图形化聚合物薄膜材料一次图形化成型，工艺简单，操作方便，且与衬底或金属的结合力较好，成本低廉，适合批量集成制造。
用于 mems 领域图形聚合物薄膜制备方法

[发明专利]图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器-CN201911138581.4有效
发明人：罗文博;简珂;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。
图形化单晶薄膜制备方法谐振器

[发明专利]空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片-CN202011309305.2在审
发明人：张文龙;淮赛男;郑亚锐;冯加贵;熊康林;丁孙安 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上沉积符合空气桥形状的桥撑材料；在衬底和桥撑材料上涂敷图形化光刻胶；基于空气桥的开口要求接收在图形化光刻胶上的曝光图形化处理，开口要求用于指示空气桥的桥面上开口的位置要求；在曝光图形化处理后的图形化光刻胶上进行显影处理；在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料，得到具有开口的空气桥。通过在图形化光刻胶上进行图形化曝光处理，从而在桥面上设置贯通桥面的开口结构，而在制备空气桥的过程中，通过该开口结构释放桥撑材料，从开口位置释放刻蚀材料刻蚀桥撑材料，确保桥撑材料的释放完整度，避免在桥洞内部留下桥撑材料的残渣
空气制备方法结构超导量子芯片

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202010884286.X有效
发明人：张俊学;李东;吴智勇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成浅沟槽隔离结构，并在所述衬底上依次形成多晶硅层、硬质掩模层、抗反射层和图形化的光阻层；对所述图形化的光阻层的表面进行硬化处理；在所述图形化的光阻层的表面形成氧化层并进行硬化处理，并重复若干次；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述抗反射层，以形成图形化的抗反射层；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述硬质掩模层，以形成图形化的硬质掩模层，并去除所述图形化的光阻层；以所述图形化的硬质掩模层作为掩模
半导体结构制备方法

[发明专利]三重图形化的方法-CN201610787086.6有效
发明人：沈忆华;余云初 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种三重图形化的方法，包括：提供基底，基底表面形成有掩模层；提供目标图形，定义出基底上待图形化的区域，目标图形包括沿第一方向延伸的第一边界和第二边界、以及沿第二方向延伸的第三边界和第四边界；对掩模层进行第一图形化处理，去除第一部分掩模层，第一部分掩模层与第一边界间隔第一预设距离；对掩模层进行第二图形化处理，去除第二部分掩模层，第二部分掩模层与第二边界间隔第二预设距离；对掩模层进行第三图形化处理，去除第三部分掩模层，第三部分掩模层位于目标图形之外且与第三边界和第四边界相邻；以剩余的掩模层为掩模刻蚀基底，形成图形化区域。本发明实施例的三重图形化方法增大基底上的图形密度、减小图形间距。
三重图形方法

[发明专利]一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法-CN201711063756.0在审
发明人：蒋斌;金学哲;张亮 -专利权人：上海量子绘景电子股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本发明提供一种无线充电用电磁屏蔽片的制备方法，所述制备方法至少包括：1)提供软磁材料磁片，对所述软磁材料磁片进行卷绕；2)对卷绕后的所述软磁材料磁片进行热处理；3)对进行热处理后的所述软磁材料磁片进行单面覆胶；4)采用辊对辊工艺对所述软磁材料磁片未覆胶的一面进行图形化处理；5)对所述进行图形化处理的表面进行覆胶；6)将所述步骤5)进行覆胶的表面粘合到另一片软磁材料磁片的图形化处理的表面，叠层至所需层数后再对其整体进行层压操作本发明通过胶辊的辊对辊压合进行图形化处理，使图形更加均匀化，提高了磁片的稳定性。
一种无线充电用电屏蔽制备方法

[发明专利]触控显示面板的制作方法-CN201510063248.7有效
发明人：王聪;杜鹏 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控显示面板的制作方法，其包括在彩膜基板的内侧沉积触控金属层，并对触控金属层进行图形化处理，以形成触控感应线；在彩膜基板的内侧沉积黑色矩阵层，并对黑色矩阵层进行图形化处理，以形成黑色矩阵；在彩膜基板的内侧沉积彩色色阻层，并对彩色色阻层进行图形化处理，以形成彩色色阻；在彩膜基板的内侧沉积公共电极层，并对公共电极层进行图形化处理，以形成公共电极；以及对彩膜基板和阵列基板进行对盒处理，以形成液晶盒
显示面板制作方法

[发明专利]超声换能器制备方法、超声换能器及信息采集元件-CN202010537595.X在审
发明人：王文轩;沈健;王红超;纪登鑫 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种超声换能器制备方法、超声换能器及信息采集元件，超声换能器制备方法包括在载片晶圆上形成未经图形化处理的第一电极层；在第一电极层的第一表面上形成压电层；在压电层的第一表面上形成第二电极层，并对第二电极层进行图形化处理，形成第二电极；将在第二电极的第一表面上形成的支撑振膜层与基底层的第一表面进行键合，并去除载片晶圆；对第一电极层进行图形化处理，以形成第一电极。该方案能够在保证压电层压电结构的完整性以及保证压电层中压电材料的压电性能不会受到影响的前提下，对压电层双面电极层的全部区域进行图形化处理。
超声换能器制备方法信息采集元件

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