[发明专利]一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线无效
| 申请号： | 201110090742.4 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102184933A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 田婷;孙晓红;陈涛;胡善文;高怀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L27/20 | 分类号： | H01L27/20;H01L41/08;H03H9/42 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本发明提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 氮化 镓双异质结声 电荷 输运 延迟线 | ||
【主权项】：
一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110090742.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 传感器、形成传感器的方法和装置-201480029585.8
- 詹姆斯·拉塞尔·韦伯斯特;彼得·J·席勒;理查德·艾伦·范杜森;伊恩·罗伯特·哈蒙 - 快速诊断技术公司
- 2014-05-23 - 2019-09-10 - H01L27/20
- 公开的传感器可以包括至少一个谐振器(在一些实施例中，至少两个谐振器)和可以与谐振器联合形成的各种其它结构。在实施例中至少一个谐振器可以包括底电极、压电层、和顶电极，其中压电层被定位在底电极和顶电极之间。
- 一种光增强的振动能量采集器件和阵列-201610884198.3
- 王凯;艾麦德·伊朗麦内什 - 中山大学
- 2016-10-09 - 2019-07-02 - H01L27/20
- 本发明公开了一种光增强的振动能量采集器件和阵列，所述光增强的振动能量采集器件，包括薄膜晶体管和压电单元，所述压电单元作为薄膜晶体管的顶栅极与薄膜晶体管的顶部接触。所述压电薄膜为透明压电薄膜，设于压电薄膜顶部和底部的电极均为透明导电材料，所述薄膜晶体管为光敏薄膜晶体管。相对于现有技术，本发明的光增强的振动能量采集器件利用压电单元对能量进行采集，薄膜晶体管进行整流，将压力转化为直流电输出，实现能量采集与整流功能于一体。采用光敏薄膜晶体管，使得所述器件具有光增强作用，即在光照作用下，输出电流增大，提高所述器件的能量采集效率。
- 包含电活性聚合物致动器的致动器设备和驱动方法-201780036647.1
- A·希尔格斯;D·A·范登恩德;M·T·约翰逊 - 皇家飞利浦有限公司
- 2017-06-12 - 2019-02-05 - H01L27/20
- 一种致动器设备包括电活性聚合物致动器(116)和用于驱动电活性聚合物致动器的控制电路，并且所述控制电路包括至少一个电容器(114；C11、C12、C13)。电活性聚合物层(110)形成活动区域(112)中的电活性聚合物致动器以及不活动区域(111)中的电容器的介电层。这提供了部件的集成，从而降低了成本并实现了小型化。
- 电活性聚合物致动器装置和驱动方法-201780036812.3
- A·希尔格斯;D·A·范登恩德;M·T·约翰逊;R·A·范德莫伦赫拉夫 - 皇家飞利浦有限公司
- 2017-06-12 - 2019-02-05 - H01L27/20
- 一种致动器装置具有电活性聚合物致动器(35)和集成的压电变压器(30)。至少变压器的次级侧(34)与电活性聚合物致动器共享压电电活性聚合物层(36)，使得可以将较低的外部电压施加到该装置上。二极管(46)连接在变压器的次级侧和电活性聚合物致动器之间。
- 微点致动器-201810442711.2
- 瓦希德·柯侯斯卡瓦 - 意美森公司
- 2018-05-10 - 2018-11-23 - H01L27/20
- 本文提供了微点致动器。公开了用于微点致动的设备、系统、和方法的示例。在一个示例中，多个微点致动器接合到透明显示器并且每个微点致动器是部分或完全透明的。在各种示例中，微点致动器可以具有在5和10微米之间的横向尺寸。作为示例，微点致动器可以是微点电活性聚合物(EAP)致动器或微点压电陶瓷致动器。
- 一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法-201610142101.1
- 苏桦;沈洁;张硕;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;刘保元 - 电子科技大学
- 2016-03-14 - 2018-10-16 - H01L27/20
- 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。
- 自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线-201220110590.X
- 王晓彧;伍建峰;张晓东;王钟;王昊;吴浩东;章德 - 南京大学
- 2012-03-22 - 2012-10-03 - H01L27/20
- 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧的自支撑氮化镓半绝缘型衬底上；缓冲层上设置氮化镓铝势垒层，氮化镓铝势垒层上为ACT电荷输运沟道结构，ACT电荷输运沟道结构两侧的氮化镓铝势垒层上分别设有输入欧姆电极和输出欧姆电极。本实用新型的位错密度小，有利于声表面波的传播。
- 一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线-201110090742.4
- 田婷;孙晓红;陈涛;胡善文;高怀 - 东南大学
- 2011-04-12 - 2011-09-14 - H01L27/20
- 本发明公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本发明提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。
- 一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线-201010296040.7
- 高怀;张晓东;王晓彧;陈涛;薛川 - 苏州英诺迅科技有限公司
- 2010-09-29 - 2011-08-03 - H01L27/20
- 本发明公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。氮化镓具有优异的压电性能，可以扩大氮化镓ACT的应用范围。蓝宝石上氮化镓材料具有较大的声表面波速度，有利于高频应用。AlGaN/GaN异质结界面处的大能带带阶和强极化电荷可以产生高面密度二维电子气。
- 一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线-201010296036.0
- 高怀;张晓东;王晓彧;陈涛;薛川 - 苏州英诺迅科技有限公司
- 2010-09-29 - 2011-08-03 - H01L27/20
- 本发明公开了一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有第一缓冲层，所述第一缓冲层上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有第二缓冲层，所述第二缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓沟道层，所述氮化镓沟道层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。双异质结结构中上下两个异质结界面上的能带带阶及负极化电荷可以形成对称的量子阱结构，提高了量子限制，抑制电荷在垂直方向上的扩散运动。氮化镓具有优异的压电性能，可以扩大氮化镓ACT技术的应用范围。蓝宝石上氮化镓材料具有较大的声表面波速度，有利于高频应用。AlGaN/GaN异质结界面处的大能带带阶和强极化电荷可以产生高面密度二维电子气。
- 压电晶体管及其制造方法-200910173404.X
- 郑恩洙 - 东部高科股份有限公司
- 2009-09-10 - 2010-03-17 - H01L27/20
- 本发明公开了一种压电晶体管，其包括诸如半导体衬底之类的衬底。衬底可包括空腔，并且该空腔可被向下蚀刻。压电晶体管可包括以悬臂形式形成在半导体衬底上方的压电材料，并且其可向上和/或向下弹性应变。压电晶体管可包括通过压电效应来电连接至压电材料的金属材料，并且金属布线可对压电材料供应电压。本发明还公开了所述压电晶体管的制造方法。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
