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[发明专利]提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法-CN201410816545.X在审
发明人：张宁;任鹏;刘喆;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法，所述结构，包括：一衬底和依次制作在其上的BP反光层、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层和多量子阱层，该多量子阱层制作在n型导电氮化镓层上面的一侧，另一侧形成一台面；一p型氮化铝镓层和依次制作在其上的p型氮化镓层和接触层，一上电极，其制作在接触层上；一下电极，其制作在n型导电氮化镓层上面的台面上。本发明可以解决Si衬底与外延GaN材料之间较大的晶格失配、且提高LED出光效率的问题。
提高 si 衬底 led 效率外延结构制备方法

[实用新型]一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管-CN201521006351.X有效
发明人：王晓亮;闫俊达;李百泉;王权;肖红领;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;介芳 -专利权人：北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管，该氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括：集电极金属层、P+氮化镓衬底、N-型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO₂经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。
一种氮化绝缘双极晶体管

[发明专利]一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法-CN202211216647.9在审
发明人：杨旭豪;王东;黄永;陈财;王亦飞;陈军飞;李彦佐 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理本发明中的方法，能够有效降低氮化镓基材料的结构层的表面态，提高其电学性能。
一种氮化基材表面处理方法器件制备

[发明专利]一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法-CN201910206657.6有效
发明人：朱刚毅;李佳平;王永进 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层内部镂空，仅保留侧壁和底面，形成一个位于u型氮化镓层下方的空腔。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备纳米梁结构的氮化物微腔，在正向偏压下，获得紫外光波段的激光。
一种驱动纳米结构氮化物激光器及其制备方法

[发明专利]生长高阻氮化镓外延膜的方法-CN200410046039.3无效
发明人：王晓亮;胡国新;王军喜;冉军学;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层。本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，一次性的生长出了高质量的本征高阻氮化镓材料，优化了生长工艺，降低了生长成本。
生长氮化外延方法

[发明专利]一种含绝缘衬底的氮化镓晶片材料及其制备与应用-CN202110799380.X在审
发明人：王幸福;董建奇;陈鑫 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种含绝缘衬底的氮化镓晶片材料及其制备与应用，所述制备包括：获得含基础衬底及在其上通过外延生长得到的单晶氮化镓(GaN)层和中间功能层的基础材料，其后依次将基础材料与第一衬底黏合，将基础衬底及中间功能层剥离，将氮化镓表面添加绝缘层，将表面键合第二衬底，去除所述第一衬底，得到所述氮化镓晶片，本发明的晶片材料具有优异的小尺寸集成能力、更高的数据处理与传输能力、更强的抗干扰能力及更低的产热与功耗，总体性能优于以SOI晶片为载体的传统Si基光电材料。
一种绝缘衬底氮化晶片材料及其制备应用

[发明专利]石墨烯降低GaN基HEMT热阻的散热结构及制备方法-CN201810495140.9有效
发明人：赵妙;刘洪刚;张国斌;吴宗刚;孙兵;常虎东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯降低GaN基HEMT热阻的散热结构，至下而上依次包括衬底、形成于衬底上的第一石墨烯散热层、形成于第一石墨烯散热层上的氮化镓成核层、形成于氮化镓成核层上的氮化镓缓冲层、形成于氮化镓缓冲层上的氮化镓高电子迁移率层、形成于氮化镓高电子迁移率层上的铝镓氮势垒层，以及形成于铝镓氮势垒层上的钝化层、源电极、漏电极和栅电极。本发明利用石墨烯较高的热传导系数，能显著降低氮化镓成核层与衬底之间的界面热阻，提高界面之间的热传导，石墨烯材料较强的键结构还能够影响临近氮化镓成核层和衬底的界面的热传导过程，提升对器件沟道的散热，降低器件的峰值热阻
石墨降低 gan hemt 散热结构制备方法

[发明专利]改善n型层的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210204171.0在审
发明人：陈张笑雄;葛永晖;贾胜敏;陆香花;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：n型层中，第一氮化铝镓子层使更多电子可以进入发光层中进行复合发光。第一氮化镓子层提高氮化镓材料的质量。第一掺硅氮化镓子层中硅的掺杂浓度低于第二掺硅氮化镓子层中硅的掺杂浓度，便于电子从n型层移动至发光层内。第二掺硅氮化镓子层上层叠的第二氮化铝镓子层，阻挡电子回流。且第一氮化铝镓子层中的Al组分高于第二氮化铝镓子层中的Al组分，保证电子从n型层稳定进入发光层内进行复合发光。可以提高n型层的质量并提高发光二极管外延片的发光效率。
改善发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法-CN200910031266.1有效
发明人：王怀兵;孔俊杰;杨辉;梁秉文 -专利权人：苏州纳晶光电有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护材料；以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上；对激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图形化光斑阵列，该图形化光斑可有效降低和抑制激光冲击波应力；采用上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处，使界面处的氮化镓发生分解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。本发明实现了低损伤激光剥离，大大降低了氮化镓基外延膜的损伤，提高了芯片良品率。
一种氮化外延激光剥离方法

[发明专利]一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法-CN201210234053.0有效
发明人：姜辛;刘宝丹 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法，属于半导体技术和纳米技术领域。该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层，用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散，然后利用自组装技术和同质外延生长技术在缓冲层表面形成氮化镓缓冲层和实现同质外延生长形成氮化镓纳米线阵列；本发明能够显著抑制缺陷从衬底向其表面晶体内部传播，从而保证氮化镓半导体材料具有较强本征带隙发光及非常弱的缺陷发光，达到半导体器件对材料晶体缺陷密度的要求。
一种降低氮化纳米阵列晶体缺陷密度方法

[发明专利]一种基于量子限制斯塔克效应的白光LED及其制备方法-CN202310465255.4在审
发明人：朱刚毅;樊学峰;孙志伟;秦飞飞;孙雷孟;杨俊波 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的白光LED及其制备方法，LED以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备具有三条不同宽度纳米梁的LED，利用三根梁在静重力的作用下发生形变造成的压电极化场会诱导铟镓氮量子阱的材料的量子限制斯塔克效应，由于每根梁的形变不同
一种基于量子限制斯塔克效应白光 led 及其制备方法

[发明专利]杀菌消毒装置制备方法-CN202010154462.4有效
发明人：孙蕾蕾 -专利权人：龙口科达化工有限公司
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种杀菌消毒装置制备方法，包括提供一衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、过渡层、发光层、第二半导体层；所述过渡层包括氮化铝层，铝镓氮层和氮化镓层，形成所述氮化铝层温度等于形成所述第一半导体层温度，形成所述铝镓氮层、氮化镓层分别采用变温生长。本发明通过在第一半导体层上形成氮化铝层且形成氮化铝层温度等于形成第一半导体层温度，先降低后续降温过程中发生的翘曲，再在氮化铝层上形成铝镓氮层和氮化镓层复合结构且形成该复合结构过程中采用变温生长，使得材料内部应力逐步得到释放，与直接降温相比降低了外延片在此过程中的翘曲，减小了裂片风险，可以有效弥补因两种不同材料产生的失配问题。
杀菌消毒装置制备方法

[发明专利]基于石墨烯插入层结构的氮化镓基光电探测器的制备方法-CN201810691195.7在审
发明人：宁静;沈雪;王东;张进成;张弛;陈智斌;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯插入层的氮化镓基光电探测器的制备方法，主要用于解决现有技术在铜衬底上外延生长的氮化物材料质量较差与没有过渡层的问题，其制备步骤为：在α面蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上，得到覆盖石墨烯的蓝宝石基板，并对其进行热处理；在热处理后的蓝宝石基板上生长脉冲氮化铝过渡层；在该过渡层上生长低温氮化镓层，得到氮化镓基板；在氮化镓基板上光刻出窗口图形并制作电极。本发明采用磁控溅射氮化铝和脉冲氮化铝过渡层，并把石墨烯作为其中的插入层，使氮化镓能生长在具有较大晶格失配常数的衬底上，提高了氮化镓基光电探测器的质量，可用于制作氮化镓基光电器件。
石墨烯光电探测器磁控溅射氮化镓基插入层制备氮化铝过渡层氮化铝薄膜氮化镓基板蓝宝石基板热处理过渡层脉冲衬底生长氮化镓基光电器件低温氮化镓层氮化物材料窗口图形晶格失配外延生长蓝宝石电极氮化铝氮化镓上光可用铜衬制作覆盖

[发明专利]一种氧化镓膜的制备方法及其应用-CN202010432428.9有效
发明人：修向前;辛国庆;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;韩平;陆海;施毅;郑有炓 -专利权人：辛国庆
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓膜的制备方法及其应用。这种氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：1)采用卤化物气相外延法，在衬底上制得氮化镓膜；2)在含氧气氛中，将氮化镓膜氧化形成氧化镓/氮化镓复合膜；3)采用卤化物气相外延法，在氧化镓/氮化镓复合膜上进行氧化镓的原位厚膜生长，形成氧化镓膜；4)将氧化镓膜与衬底剥离，得到氧化镓膜。本发明这种氧化镓膜可以作为一种自支撑的氧化镓衬底。本发明的制备方法可以有效降低卤化物气相外延生长氧化镓厚膜材料中应力并降低位错密度，得到高质量的自支撑氧化镓厚膜，同时也更容易分离。
一种氧化制备方法及其应用

[发明专利]一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法-CN201911232774.6有效
发明人：朱刚毅;王鹏辉;秦飞飞 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法，器件以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层的n型环形电极，两边刻至硅衬底层，等高等宽的光栅结构刻至p型氮化镓层中部。本发明是在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和EBL刻蚀工艺制备电驱动光栅波分复用器件。
一种驱动光栅波分复用器件及其制备方法