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[发明专利]一种阵列基板及显示装置-CN201910169050.5在审
发明人：谭聪;林凡;唐大海 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括：配向层、公共电极层、像素电极层和钝化保护层，所述公共电极层设置于所述配向层的下方；其中所述钝化保护层包括第一钝化保护层和第二钝化保护层，所述第一钝化保护层设置于所述公共电极层的下方，所述第二钝化保护层设置于所述第一钝化保护层的下方。在配向层下方设置第一钝化保护层和第二钝化保护层，靠近配向层的第一钝化保护层阻抗低于第二钝化保护层的阻抗，这样的设置方式能够使积累在配向层和液晶层界面间的残留DC电荷快速释放，改善因残留DC电荷积累后缓慢释放导致的影像残留现象
钝化保护层配向层公共电极层阵列基板显示装置阻抗残留液晶显示面板像素电极层液晶层界面电荷积累缓慢释放快速释放设置方式影像残留电荷信赖性积累

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202011016295.3有效
发明人：彭钊;吴思嘉 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的钝化层、位于该钝化层上的疏水保护层、及位于该疏水保护层上的发光层；其中，该钝化层包括烷基基团，该疏水保护层具有疏水性以粘结该钝化层与该疏水保护层。本申请利用钝化层具有疏水性及相似相溶原理，通过在钝化层上设置疏水保护层，增强了钝化层与疏水保护层之间的粘结力，避免了保护层的脱落，在转印发光单元时，起到了保护显示面板膜层的作用，提高了显示面板的良率。
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202210086111.3在审
发明人：赵永清;蒋伟韩;钟鹏元;康金玮;林政仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种集成电路结构包括半导体衬底、钝化层、第一保护层及第二保护层。钝化层设置于半导体衬底之上。第一保护层设置于钝化层之上。第二保护层设置于第一保护层之上，其中第一保护层的边界框限于第二保护层内。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]形成钝化保护层的方法、发光二极管及其制作方法-CN201810226577.2有效
发明人：杨智慧 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成钝化保护层的方法、发光二极管的制作方法和发光二极管。形成钝化保护层的方法包括采用至少两个沉积阶段形成所述钝化保护层；各个沉积阶段形成具有预定厚度的钝化保护子层；多个所述钝化保护子层叠加形成所述钝化保护层；各沉积阶段的预定的工艺参数不同，且后续各个沉积阶段的沉积速率均大于第一沉积阶段的沉积速率本发明的形成钝化保护层的方法，能够有效缩短钝化保护层的制程时间，提高产能，大大降低了单片制造成本，提高了机台利用率。此外，采用不同的预定工艺参数，分阶段形成钝化保护层，能够保证刻蚀工艺中刻蚀物质的腐蚀速率，避免等离子体损失和漏电现象发生。
形成钝化保护层方法发光二极管及其制作方法

[发明专利]晶圆焊垫结构及其形成方法-CN202010814822.9在审
发明人：熊鹏;王瑜彬;李斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种晶圆焊垫结构及其形成方法，包括：第一衬底，第一衬底包括器件结构和电互连结构；位于电互连结构上的第一钝化层；位于第一钝化层上的第一保护层，第一钝化层和第一保护层内具有第一开口；位于第一开口内的连接层；位于第一保护层和连接层上的焊垫结构；位于所述焊垫结构侧面和顶部表面的第二保护层；位于第二保护层上的第二钝化层。通过第一保护层和第二保护层包围焊垫结构，且第一保护层和第二保护层的硬度大于第一钝化层和第二钝化层的硬度。当受到更大的冲击力导致所述焊垫结构发生迁移形变时，所述第一保护层和所述第二保护层不易受到较大的膨胀力而产生裂痕，进而减小了外部水汽的进入，以此提升最终形成的半导体结构。
晶圆焊垫结构及其形成方法

[实用新型]用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片-CN03256259.4无效
发明人：谢晓东;沈春和;保爱林 -专利权人：绍兴科盛电子有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片。它包括芯片体，上层，下层，切割面，台面，纳米材料钝化保护层及保护层，纳米材料钝化保护层设于台面上，保护层设于纳米材料钝化保护层上。
纳米材料作为钝化半导体整流芯片

[发明专利]制作隧穿场效应晶体管的方法-CN201780022954.4在审
发明人：蔡皓程;赵静;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种制作隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底(201)上制作主轴(202)；在主轴(202)的侧壁表面上覆盖第一钝化保护层(203)；在未被第一钝化保护层(203)与主轴(202)覆盖的区域形成具有第一种掺杂类型的掺杂区(204)；在第一钝化保护层(203)上覆盖第二钝化保护层(205)；在掺杂区(204)未被第二钝化保护层(205)覆盖的区域形成具有第二种掺杂类型的源区(206)，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；去除主轴(202)，并在去除主轴(202)的区域上形成具有第一种掺杂类型的漏区(209)；去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)，并在去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)的区域上制作金属栅极
钝化保护层掺杂类型去除隧穿场效应晶体管区域形成覆盖掺杂区制作半导体工艺侧壁表面光刻工艺金属栅极传统的衬底漏区源区掺杂兼容灵活

[发明专利]一种具有钝化层结构的太阳电池及其制备方法-CN201910428505.0在审
发明人：尹丙伟;张忠文;张鹏;杨蕾;丁士引;余波 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钝化层结构的太阳电池，正面的外钝化保护层设置为氮化硅膜层，背面的外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层。本发明还公开了一种具有钝化层结构的太阳电池的制备方法，包括以下步骤：步骤S01、制绒；步骤S02、扩散；步骤S03、刻蚀；步骤S04、生长内钝化层；步骤S05、生长中钝化层；步骤S06、生长外钝化保护层，正面的所述外钝化保护层设置为氮化硅膜层，背面的所述外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层；步骤S07、激光开槽；步骤S08、丝网印刷；步骤S09、LID；步骤S10、分选包装。本发明正、背面不同的外钝化保护层，可以更好的增强了电池片的抗PID性能，并且可以更加有效的提升电池光电转换效率。
钝化保护层钝化层氮氧化硅膜层二氧化钛膜层氮化硅膜层生长制备光电转换效率激光开槽内钝化层丝网印刷电池片分选刻蚀制绒背面电池扩散

[实用新型]钝化保护二极管芯片-CN201020185427.0有效
发明人：裘立强;魏兴政 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。在封装温度下，能可靠地保护芯片及其钝化层，进而解决封装隐患，且制作方法简单。芯片上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层，钝化保护层外还设有一层具有弹性的缓冲保护层。本实用新型的二极管芯片，包括两层钝化层，内层(钝化保护层)直接钝化PN结，外层(缓冲保护层)保护内层，外层主要起保护内层和缓冲外界压力的作用，外层材料具有良好的耐热性能、可塑性能和绝缘性能。本实用新型通过涂布、软烤、掩膜、光照固化、烧结涂层等步骤，实现了外层与内层的牢固结合，从而能有效抵御在封装工序中，环氧树脂固化时，作用于芯片及钝化层上的机械应力。
钝化保护二极管芯片

[发明专利]一种晶体管-CN202011250014.0有效
发明人：刘胜厚;林志东;孙希国;张辉 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层开口，栅极通过钝化保护层开口和势垒层接触；还包括介质层，介质层覆盖在钝化保护层上，并沿着靠近漏极一侧的钝化保护层开口侧壁延伸至势垒层上但未完全覆盖势垒层，介质层的厚度为≤100Å
一种晶体管

[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法-CN201910862817.2在审
发明人：罗成志 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本揭示提供一种显示面板及显示面板的制作方法，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、薄膜晶体管层、平坦层、第一保护层、第一电极层、钝化保护层以及第二电极层，所述第二电极层设置于所述钝化保护层远离所述第一电极层的一侧上，通过将钝化保护层的材质设置为硅基无机介质材料，用于提高钝化保护层的光线透过率，同时为了防止在沉积形成所述钝化保护层时，第一电极层发生塌陷，在所述平坦层和所述第一电极层之间增设材质为硅基无机介质材料的第一保护层，在不影响显示面板光线透过率的情况下，用于支撑所述第一电极层，提升所述显示面板的光线透过率。
钝化保护层第一电极显示面板光线透过率无机介质材料第一保护层第二电极阵列基板平坦层硅基薄膜晶体管层影响显示面板衬底基板沉积塌陷增设支撑制作

[发明专利]一种集成保护台面晶闸管及其制作方法-CN201610207115.7在审
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成保护台面晶闸管及其制作方法，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合，形成集成保护层。所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本发明的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管及其制作方法

[实用新型]一种集成保护台面晶闸管-CN201620276025.9有效
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成保护台面晶闸管，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合，形成集成保护层。所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本实用新型的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管

[发明专利]一种钝化保护二极管芯片及其加工方法-CN201010168467.9无效
发明人：裘立强;魏兴政 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种钝化保护二极管芯片及其加工方法。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片及其加工方法。在封装温度下，能可靠地保护芯片及其钝化层，进而解决封装隐患，且制作方法简单。芯片上部边缘处设有钝化保护层，钝化保护层外还设有一层耐热、绝缘和具有弹性的缓冲保护层。本发明的加工方法包括：1)涂布；2)软烤；3)掩膜；4)光照固化；5)烧结涂层；6)裂片；制得。本发明的二极管芯片，包括两层钝化层，内层(钝化保护层)直接钝化PN结，外层(缓冲保护层)保护内层，外层主要起保护内层和缓冲外界压力的作用，外层材料具有良好的耐热性能、可塑性能和绝缘性能。
一种钝化保护二极管芯片及其加工方法

[发明专利]铝焊垫制造方法以及集成电路制造方法-CN201210169778.6无效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：铝焊垫制造方法包括：阻挡层及保护层形成步骤，用于在基板上形成刻蚀阻挡层和钝化保护层；刻蚀步骤，用于对刻蚀阻挡层和钝化保护层进行刻蚀以形成铝垫开口；铝阻挡层形成步骤，用于在刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的侧壁和底部以及刻蚀阻挡层和钝化保护层上形成铝阻挡层；铝金属层形成步骤，用于在铝阻挡层形成步骤之后的结构上布置一个铝层，其中铝填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口；铝去除步骤，用于去除铝阻挡层上的铝层以及铝垫开口中的部分铝；铝再次沉积步骤，用于在铝去除步骤之后的结构上重新布置铝层，其中利用铝层重新填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的空白空间。
铝焊垫制造方法以及集成电路

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