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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202310324678.4在审
发明人：保坂泰靖;神长正美;井口贵弘;三泽千惠子;佐藤亚美;土桥正佳 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种集成度高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一及第二晶体管以及第一绝缘层，第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层具有接触于第一半导体层及第一导电层的区域以及到达第一导电层的开口，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第二导电层位于第一绝缘层上，第三导电层设在第一半导体层上且具有隔着第二绝缘层重叠于开口的内壁的区域，第二半导体层接触于第四及第五导电层的彼此相对的侧端部的侧面及顶面，第六导电层隔着第三绝缘层设在第二半导体层上，第一及第二晶体管彼此电连接。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910839846.7有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180079563.2在审
发明人： 神长正美;井口贵弘;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层、第二绝缘层及导电层。栅极绝缘层与半导体层的顶面及侧面接触，栅电极隔着栅极绝缘层具有与半导体层重叠的区域。第一绝缘层包含无机材料且与栅极绝缘层的顶面以及栅电极的顶面及侧面接触。栅极绝缘层及第一绝缘层在与半导体层重叠的区域具有第一开口。第二绝缘层包含有机材料且在第一开口的内侧具有第二开口。此外，第二绝缘层与第一绝缘层的顶面及侧面以及栅极绝缘层的侧面接触。导电层通过第二开口与半导体层电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910929577.3有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备-CN202211581242.5在审
发明人：保坂泰靖;岛行德;中田昌孝;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备。在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。
半导体装置包括显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置-CN202210756520.X在审
发明人：及川欣聪;大泽信晴;神长正美;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
半导体装置制造方法包括显示装置

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN202210637773.5在审
发明人： 神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置、显示装置及电子设备-CN202080078058.1在审
发明人：佐藤学;川岛进;楠紘慈;森英典;松本裕功;黑崎大辅;神长正美;中田昌孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、电容器以及第一至第四布线。第一晶体管包括第一栅极及第二栅极，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线及第二栅极连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个及电容器的一个电极连接。第二晶体管的栅极与电容器的另一个电极连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线连接。第一布线被供应第一电位，第二布线交替被供应第二电位及第三电位。第三布线与第一栅极连接，并被供应第一信号。第四布线与第二晶体管的栅极连接，并被供应使第一信号反转的第二信号。
半导体装置显示装置电子设备

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN202210365954.7在审
发明人：肥塚纯一;神长正美;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN201780012189.8有效
发明人： 神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置-CN201680067710.3有效
发明人：及川欣聪;大泽信晴;神长正美;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
半导体装置制造方法包括显示装置

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201680029379.6有效
发明人：肥塚纯一;神长正美;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN202111244655.X在审
发明人：肥塚纯一;神长正美;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置，提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202110965455.7在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480064849.3有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

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