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[发明专利]具有横向绝缘栅极双极性晶体管的功率元件及其制造方法-CN202010541819.4在审
发明人：黄志丰;林容生 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种具有横向绝缘栅极双极性晶体管的功率元件及其制造方法。该功率元件形成于一半导体基板上，用以驱动一马达，包含：横向绝缘栅极双极性晶体管；PN二极管，与该横向绝缘栅极双极性晶体管并联；以及钳位二极管，具有钳位顺向端与钳位反向端，分别电连接于横向绝缘栅极双极性晶体管的漏极与栅极
具有横向绝缘栅极极性晶体管功率元件及其制造方法

[实用新型]一种横向高压晶体管-CN201220252284.X有效
发明人：唐纳徳·迪斯尼;欧力杰·米力克 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提出了一种横向高压晶体管。根据实用新型实施例的横向高压晶体管包括利用其栅区和第一掩埋层分别作为“顶栅”和“底栅”的JFET，当施加于漏区上的电压超过了JFET的夹断电压时，所述JFET夹断以保护横向高压晶体管不被击穿。从而使横向高压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。另外横向高压晶体管还可以包括第二掩埋层，用于将源区与衬底隔离，从而允许源区承担比衬底电压更高的电压，以满足一些应用场合的需求。
一种横向高压晶体管

[发明专利]基于斜向等密度排布光电晶体管的光镊装置及微流体设备-CN202111625017.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：彩科（苏州）生物科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种第一电极；第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的光电晶体管阵列，所述光电晶体管阵列包括复数个双极型光电晶体管，每个光电晶体管之间通过绝缘元件物理地隔离；其中所述复数个光电晶体管规律性排列并且在横向上以第一间距排列，在纵向上以第二间距排列，其中，位于相邻纵向上的相邻晶体管在横向上相互错开并且所述相邻晶体管的中心点的连线所在的方向构成斜向，所述斜向上的晶体管以第三间距排列，其中所述第三间距与第一间距或第二间距实质性相等本发明提供的晶体管光镊，其晶体管阵列在横向或纵向部分与斜向部分具有基本相等的排列密度，导致产生均衡的DEP力，使得细胞等微物体的操作更加便利和准确。
基于密度排布光电晶体管装置流体设备

[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201210169406.3有效
发明人：唐纳徳·迪斯尼;欧力杰·米力克 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提出了一种横向高压晶体管及其制造方法。根据本发明实施例的横向高压晶体管包括利用其栅区和第一掩埋层分别作为“顶栅”和“底栅”的JFET，当施加于漏区上的电压超过了JFET的夹断电压时，所述JFET夹断以保护横向高压晶体管不被击穿。从而使横向高压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。另外横向高压晶体管还可以包括第二掩埋层，用于将源区与衬底隔离，从而允许源区承担比衬底电压更高的电压，以满足一些应用场合的需求。
横向高压器件及其制造方法

[发明专利]具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件-CN97125805.8无效
发明人：高桥诚一 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1997-12-18 - 公布日： 1998-06-24 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体器件,具有P型半导体衬底1、在半导体衬底1上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有N型基区4,N型集电极区7a、N型发射极区8以及P型绝缘扩散区7b用来隔离纵向型和横向型双极晶体管,横向型双极晶体管的集电区和发射区中的至少一个区的深度与绝缘扩散区7b的深度基本上相同。
具有纵向横向双极晶体管半导体器件

[发明专利]一种横向绝缘栅双极型晶体管及制作方法-CN202310376142.7在审
发明人：汪志刚;熊琴 -专利权人：图灵芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管及制作方法，包括：晶体管主体单元、隔离保护单元、第一电极、第二电极和第三电极；所述晶体管主体单元与隔离保护单元接触；所述晶体管主体单元和隔离保护单元上分布设置有第一电极、第二电极和第三电极；本发明解决了现有横向绝缘栅双极型晶体管存在较大开关损耗的问题。
一种横向绝缘栅双极型晶体管制作方法

[发明专利]薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN200710109542.2无效
发明人：河内玄士朗 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管(100)包括在形成在绝缘基片(101)上的半导体薄膜(105)中形成的发射极(102)、基极(103)和集电极(104)，在该横向双极晶体管(100)中，半导体薄膜(105)是在预定方向上晶化的半导体薄膜而且，MOS-双极混合晶体管(200)在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该MOS-双极混合晶体管(200)中，半导体薄膜(205)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。
薄膜半导体器件薄膜晶体管以及制造方法

[实用新型]SOT高密度封装结构-CN202122676432.2有效
发明人：陈永金;林河北;解维虎;梅小杰 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型技术方案公开了一种SOT高密度封装结构，包括框架主体及均匀分布排列至框架主体上的晶体管，晶体管与横向相邻的晶体管底部均连接有最多三个底部连接位，且每两个横向的晶体管之间共同连接有第四个底部连接位，框架主体上设有与各晶体管对应的放置固定位，框架主体宽度最大为53mm，长度最大为228mm，每两个横向设置的晶体管之间设有分隔位。
sot 高密度封装结构

[发明专利]一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法-CN201911114870.0在审
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。
一种基区环掺杂辐射横向 pnp 晶体管制备方法

[发明专利]包括至少一个双极结晶体管的叉片半导体结构和方法-CN202310143631.8在审
发明人：马乐言;亚历山大·德里克森 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及包括至少一个双极结晶体管的叉片半导体结构和方法。公开了叉片半导体结构和形成该结构的方法。该结构可以包括具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁的电介质主体。该结构可以包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括横向紧邻电介质主体的第一侧壁定位的一个或多个第一半导体纳米片，第二晶体管包括横向紧邻第二侧壁定位的一个或多个第二半导体纳米片。第一晶体管和第二晶体管可以都是双极结晶体管(BJT)(例如，PNP型BJT、NPN型BJT、或者PNP型BJT和NPN型BJT)。或者，第一晶体管可以是BJT(例如，PNP型BJT或NPN型BJT)，并且第二晶体管可以是场效应晶体管(FET)(例如，N型FET(NFET)或P型FET(PFET))。
包括至少一个结晶体半导体结构方法

[发明专利]双向开关和包括该开关的双向开关装置-CN201880023381.1在审
发明人：木下雄介;山田康博;一柳贵志;梅田英和 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。
横向晶体管导体构件双向开关第二导电层第一导电层半导体层电气连接连接构件源极电极双向开关装置反向串联开关操作地连接

[其他]带有绝缘栅场效应晶体管及线圈的电路-CN86107701无效
发明人：赫曼纽斯·施亚特;伯恩德·诺沃特尼 -专利权人：德国ITT工业有限公司
申请日： 1986-11-13 - 公布日： 1987-10-21 - 主分类号： H02P11/00 文献下载
摘要：线圈[1]依靠其经过横向n-沟道晶体管[t1]的工作电压侧端和经过横向晶体管[t2]的电压零点侧端而工作。为产生尽量低的导通电阻所必需的横向晶体管[t1]的栅-源电压以这种方式产生其栅极通过电容[c]与电路零点相连；通过二极管[d1]与工作电压源[u]相连；通过二极管[d2]，与线圈[1]和横向晶体管[t2具有一定宽度和频率的间歇脉冲列加到晶体管栅极上，以使由线圈[1]产生的机械动作实际不受干扰。
带有绝缘场效应晶体管线圈电路

[发明专利]等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法-CN200910212764.6有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陈文高 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。
等离子显示驱动芯片低压器件制备方法

[发明专利]供功率转换应用的高速电平转换器-CN202280005210.2在审
发明人：陈捷生;钱为;高子阳 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03K19/017 文献下载
摘要：电平转换电路使用标准的n沟道和p沟道晶体管，除了一对横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管(40,42)外，其在源极和传导沟道之间的栅极之下具有增加的横向扩散，从而增加了击穿电压。每个LDMOS晶体管(40,42)的源极连接到一个瞬态差分晶体管(70,72)的漏极，此晶体管的栅极由一个在输入转换后产生脉冲的单稳态电路(62,64)驱动。脉冲结束后，保持差分晶体管(50,52)从LDMOS晶体管(40,42)汲取较小的偏置电流。每个LDMOS晶体管(40,42)的源极连接到p沟道感测晶体管(20,30)的漏极和栅极，p沟道感测晶体管(20,30)驱动镜像晶体管(22,24,32,34)的栅极，以产生镜像电流到交叉耦合n沟道镜像晶体管(28,36)，n沟道镜像晶体管(28,36)驱动双稳态锁存器(60)的两个终端，且双稳态锁存器(60)使用由双稳态锁存器(60)切换的降压转换器的驱动器晶体管之间的浮置接地来保持输出。
功率转换应用高速电平转换器

[发明专利]包括具有不同应变信道区的半导体区的半导体装置以及其制法-CN200580035725.3无效
发明人： M·霍斯特曼;E·普鲁弗;W·布赫霍尔茨 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：通过局部修改根据内嵌闸极技术所形成的晶体管组态之横向包住闸电极结构的介电层的内在应力，可使不同晶体管组件之带电载子移动性个别地调整。特别是，在内嵌闸极结构之晶体管架构中，NMOS晶体管与PMOS晶体管可分别接收伸张与压缩应力。
包括具有不同应变信道半导体装置及其制法