专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202010938221.9有效
  • 陈碧 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-09-09 - 2022-02-22 - G09G3/3233
  • 本申请提供一种显示面板和显示装置,显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动发光器件发光的像素驱动电路,像素驱动电路包括:第一初始化晶体、开关晶体、补偿晶体、第二初始化晶体、第一发光控制晶体、第二发光控制晶体和存储电容;其中,补偿晶体、第一初始化晶体和第二初始化晶体为氧化物晶体,开关晶体、驱动晶体、第一发光控制晶体和第二发光控制晶体为低温多晶硅晶体。本申请通过将补偿晶体、第一初始化晶体和第二初始化晶体设置为氧化物晶体,其他晶体设置为低温多晶硅晶体,可以同时利用氧化物晶体的低漏电流特性和低温多晶硅晶体的高迁移率特性,从而使得像素驱动电路更加稳定
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201310276288.0有效
  • 加茂宣卓 - 三菱电机株式会社
  • 2013-07-03 - 2014-01-22 - H01L27/088
  • 本发明涉及一种半导体装置,能够在不使散热性恶化的情况下使装置整体的横向宽度缩短,并且,能够使各晶体的特性均一。半导体衬底(1)由4H-SiC、6H-SiC、GaN、蓝宝石、ZnO、AlN、BeO等六方晶体构成。在该半导体衬底(1)的c面上设置有晶体(2)、(3)。晶体(2)、(3)的源极电极(4)、漏极电极(5)以及栅极电极(6)分别连接。在从与半导体衬底(1)的c面垂直的方向观察的俯视图中,晶体(2)、(3)的栅极电极(6)彼此所成的角度是60度或120度。
  • 半导体装置
  • [发明专利]参考电压产生电路-CN202210847810.5有效
  • 戴俊翔;李明贤;吴佳恩;张书瀚;余婉薇 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-07-19 - 2023-04-28 - G05F1/567
  • 参考电压产生电路包括电流镜、第一晶体、第二晶体、第三晶体、第四晶体及第五晶体。电流镜提供第一镜射电流至第一晶体,提供第二镜射电流至第三晶体,并且提供第三镜射电流至第五晶体。第二晶体与第三晶体串接以提供第一晶体的栅极电压。第四晶体与第五晶体串接以提供参考电压。第二晶体及第四晶体的导通临界电压大于第一晶体、第三晶体及第五晶体的导通临界电压。
  • 参考电压产生电路
  • [发明专利]短路保护结构-CN201310230700.5在审
  • 陶平;李海松;庄华龙;易扬波 - 苏州博创集成电路设计有限公司
  • 2013-06-09 - 2013-10-09 - H02H7/20
  • 本发明涉及短路保护结构,包括第一晶体、第二晶体、控制电路、第一晶体电流采样电阻和第二晶体电流采样电阻,控制电路控制第一晶体和第二晶体的开关时间长度及占空比,第一晶体的漏端连接第二晶体的漏端,第一晶体的源端接一采样电阻,第二晶体的源端接另一采样电阻,第一晶体的栅端连接第二晶体的栅端并与控制电路的驱动级连接,第一晶体和第二晶体均为高压晶体,第二晶体的尺寸小于第一晶体尺寸,第二晶体采样第一晶体的电流该结构在电源系统中能够有效保护输出级晶体,避免由于电流采样电阻短路造成的芯片或系统元器件损坏。
  • 短路保护结构
  • [发明专利]半导体装置及存储器系统-CN201910729612.7有效
  • 安田阳平 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-08 - 2023-09-01 - G11C11/40
  • 第1差动放大电路具有第1晶体、第2晶体、第3晶体、第4晶体、第5晶体和第6晶体。第2晶体栅极及漏极侧连接于第1晶体。第3晶体经由第1晶体或不经由第1晶体而被二极连接。第4晶体经由第2晶体或不经由第2晶体而被二极连接。第5晶体和第3晶体构成第1电流反射镜电路。第6晶体与第3晶体并联地连接于第1晶体的漏极侧。第6晶体和第5晶体构成第2电流反射镜电路。
  • 半导体装置存储器系统
  • [发明专利]一种发光控制电路、发光控制方法以及移位寄存器-CN201710296337.5有效
  • 吴剑龙;朱修剑 - 昆山国显光电有限公司
  • 2017-04-28 - 2020-06-12 - G09G3/3208
  • 本申请公开了一种发光控制电路、发光控制方法以及移位寄存器,该发光控制电路包括:第一薄膜晶体、第二薄膜晶体、第三薄膜晶体、第四薄膜晶体、第五薄膜晶体、第六薄膜晶体、第七薄膜晶体、第八薄膜晶体、第九薄膜晶体、第十薄膜晶体、第十一薄膜晶体、第十二薄膜晶体以及第十三薄膜晶体。第十二薄膜晶体与第一薄膜晶体连接,第十三薄膜晶体与第五薄膜晶体以及第七薄膜晶体连接,第十二薄膜晶体可以将第一薄膜晶体与低电压阻隔,第十三薄膜晶体可以将第五薄膜晶体以及第七薄膜晶体与低电压阻隔这样,可以降低薄膜晶体被击穿的风险,提高发光控制电路的稳定性。
  • 一种发光控制电路控制方法以及移位寄存器
  • [发明专利]具有与存取装置耦合的主体连接线的设备-CN201880015646.3有效
  • D·C·潘迪;刘海涛;C·穆利;S·D·唐 - 美光科技公司
  • 2018-02-13 - 2022-12-20 - H01L27/108
  • 一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体的设备。所述晶体包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体的所述栅极耦合。数字线与所述晶体的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体的所述上部源极/漏极区域耦合。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。
  • 具有存取装置耦合主体连接线设备
  • [发明专利]薄膜晶体阵列基板和液晶显示装置-CN201280053786.2有效
  • 居山裕一;吉冈孝兼;津田和彦 - 夏普株式会社
  • 2012-10-24 - 2014-09-03 - G02F1/1343
  • 本发明提供一种可实现高速响应化和高透射率化的能够适用于三层电极结构的液晶显示装置等且开口率大的薄膜晶体阵列基板和具备它的液晶显示装置。本发明的薄膜晶体阵列基板为具有薄膜晶体元件、栅极总线和源极总线的薄膜晶体阵列基板,其中,上述薄膜晶体阵列基板具有电极,上述电极包含第一电极和第二电极,上述第一电极包含沿源极总线的线状部分,上述第一电极包含沿栅极总线的线状部分,沿上述源极总线的线状部分的至少一个在俯视基板主面时,相对于沿栅极总线的线状部分横向设置,在与栅极总线重叠的位置与薄膜晶体元件的漏极电极连接,上述第二电极为面状电极。
  • 薄膜晶体管阵列液晶显示装置
  • [发明专利]一种优化显示效果的GIP电路及驱动方法-CN202110035219.5在审
  • 谢建峰 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-04-30 - G09G3/20
  • 本发明公布一种优化显示效果的GIP电路及驱动方法,其中GIP电路包括晶体T1、晶体T2、晶体T3、晶体T4、晶体T5、晶体T6、晶体T7、晶体T8、晶体T9、晶体T10、晶体T11、晶体T12、晶体T13、晶体T14和电容;晶体T1的控制端连接栅极线G(n‑4),晶体T2的输入端连接电压信号VGH,晶体T3的控制端连接时钟信号CK(n),晶体T4的输入端连接时钟信号CKn,晶体T6的输出端连接电压信号VGL,晶体T7连接电压信号VGL,晶体T8连接栅极线G(n+4),晶体T9连接时钟信号CK(n+4);上述技术方案通过抑制晶体T5、晶体T8和晶体T12
  • 一种优化显示效果gip电路驱动方法
  • [实用新型]一种优化显示效果的GIP电路-CN202120069380.X有效
  • 谢建峰 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-09-17 - G09G3/20
  • 本实用新型公布一种优化显示效果的GIP电路,包括晶体T1、晶体T2、晶体T3、晶体T4、晶体T5、晶体T6、晶体T7、晶体T8、晶体T9、晶体T10、晶体T11、晶体T12、晶体T13、晶体T14和电容;晶体T1的控制端连接栅极线G(n‑4),晶体T2的输入端连接电压信号VGH,晶体T3的控制端连接时钟信号CK(n),晶体T4的输入端连接时钟信号CKn,晶体T6的输出端连接电压信号VGL,晶体T7连接电压信号VGL,晶体T8连接栅极线G(n+4),晶体T9连接时钟信号CK(n+4);上述技术方案通过抑制晶体T5、晶体T8和晶体T12的漏电流,使得Q点无漏电的路径,栅极线
  • 一种优化显示效果gip电路

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