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[发明专利]一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片-CN202311134958.5在审
发明人：王测天;童伟;周德云;薛东风;周颖;刘洋;廖学介;周佳;刘莹 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片，属于集成电路设计技术领域，包括依次连接的基波放大限幅网络、谐波滤波倍频网络和谐波放大网络。本发明中基波放大限幅网络通过两级共源放大单元结合两级PIN型限幅单元实现基波信号的放大和功率限幅；谐波滤波倍频网络采用有源倍频结构结合滤波单元实现对谐波、杂波信号进行抑制后对基波信号进行谐波倍频；谐波放大网络采用四级放大结构结合温补单元和滤波单元，对基波和其他谐波信号进行抑制后，对谐波倍频信号进行放大温补。本发明具有高增益、高谐波抑制、功率温补和高集成度等优点。
一种谐波抑制倍频放大多功能芯片

[发明专利]一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法-CN202310380741.6在审
发明人：陈晓宇;薛东风;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法，涉及硅微电子领域。将输入/输出MOS和选择管的栅介质层由SiO2单栅介质层调整为HTO/SiO2复合栅介质层，HTO/SiO2复合栅介质层可动电荷和固定电荷比SiO2单栅介质层少，输入/输出MOS和选择管显示出了更好的抗总剂量辐射特性。HTO/SiO2复合栅介质层中HTO层和SiO2层缺陷线错位排列，避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路，可减少输入/输出MOS和选择管的早期失效，提高栅氧的可靠性。在多晶层淀积前对栅介质层增加的高温氮化退火，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，可以进一步提高栅氧的可靠性，并能减少阈值漂移量。
一种可靠辐照 sonos 存储器制备方法

[发明专利]一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法-CN202110217575.9有效
发明人：王清波;薛东风;薛智民;孙有民;赵杰 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火或快速退火工艺完成稳压二极管P型区杂质激活，避免高温热过程导致的杂质浓度再分布，降低稳压二极管P型区杂质浓度在PN结附近的变化量。
一种具有稳定击穿电压稳压二极管制备方法

[发明专利]一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法-CN201911114902.7有效
发明人：王清波;薛东风;赵杰;薛智民;孙有民;杜欣荣;卓青青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位层的自建电场。该自建电场抑制总剂量辐射在二氧化硅绝缘层中产生的正电荷向硅‑二氧化硅界面运动，从而减小辐射诱生正电荷到达硅‑二氧化硅界面并形成新的界面态的数量，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
一种基于自建电场辐射加固双极晶体管结构制备方法

[发明专利]一种PIP电容的制备方法-CN202211348610.1在审
发明人：陈晓宇;薛东风;赵杰;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSix薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO2。通过注入减少下极板WSix薄膜应力，可以提高PIP电容的可靠性；注入能量的选择原则是使得注入高斯分布的深度(Rp+3ΔRp)达到整个WSix薄膜厚度的80％；经过注入后WSix薄膜的应力减少了一个数量级，选择磷元素消除WSix薄膜应力，因为N型多晶注入掺杂经常选用磷元素。同时，磷注入也能起到增加多晶掺杂浓度，减少了多晶的耗尽。
一种 pip 电容制备方法

[发明专利]一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法-CN201911114882.3有效
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横向扩散区表面形成一个环形的P+掺杂区，提高P型掺杂横向扩散区表面P型杂质浓度，避免因总剂量辐射导致双极型晶体管的P型掺杂区表面耗尽和反型，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
一种保护环掺杂辐射晶体管结构及其制备方法

[实用新型]一种洗扫车-CN202120816616.1有效
发明人：彭稳;邱东升;徐浩;彭敏;朱铮;权力;李峰;袁凯召;薛东风;时小兵;张振龙 -专利权人：上海熙众新能源技术有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： E01H1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种洗扫车，包括底盘、动力电池、行驶驱动单元、低压水路系统和高压水路系统；动力电池分层设置在底盘纵梁的顶端和底端，且动力电池用于给行驶驱动单元、低压水路系统和高压水路系统提供电能；行驶驱动单元与底盘的后桥传动连接；低压水路系统和高压水路系统均安装在底盘上；行驶驱动单元、给低压水路系统提供动力的第一动力装置及给高压水路系统提供动力的第二动力装置均为轴向磁场电机。由于动力电池分层设置在底盘的纵梁顶端和底端，减小了动力电池所占用的整车长度，进而减小了整车的长度。此外，行驶驱动单元、第一动力装置及第二动力装置均为轴向磁场电机，进一步减小了整车长度。
一种洗扫车

[实用新型]一种不锈钢杯生产装置-CN201920956167.3有效
发明人：李花蕾;李淑云;耿蓬波;李微松;殷兵楠;贾新旺;薛东风;吴晓艳;赵文峰 -专利权人：河南飞孟金刚石工业有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B21D51/26 文献下载
摘要：本申请属于金刚石加工装置技术领域，公开了一种不锈钢杯生产装置，包括液压机、送料机构和模具，送料机构步进式往模具上送料，模具依次冲压成型多个不锈钢杯。与现有技术相比，1、本实用新型利用先冲裁后翻边形成不锈钢杯，产品壁厚均匀；2、可以实现一次多模冲压，生产效率高；3、送料机构步进式送料，可以实现自动化生产，极大减少人工，降低成本，提高效率。
一种不锈钢生产装置

[实用新型]一种叶蜡石块生产装置-CN201920955540.3有效
发明人：李花蕾;李淑云;耿蓬波;李微松;殷兵楠;贾新旺;薛东风;吴晓艳;赵文峰 -专利权人：河南飞孟金刚石工业有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本实用新型属于金刚石生产设备技术领域，公开了一种叶蜡石块生产装置，包括两个粉末压制压力机和一个成品摆放盘，三者之间通过单列的输送带分别连接，且设有抓取机器人进行上下料；在输送带上设有对叶蜡石块进行整形的整形机构。本申请提供了一种新型叶蜡石块的整体生产装置结构，通过采用该结构，实现了叶蜡石块的流水线生产，极大的减少人工作业，降低了劳动强度；此外设置两个整形机构，避免了成品的尺寸误差同时也避免一次整形去除量大造成的产品崩块现象。
一种石块生产装置

[实用新型]一种金属管自动焊接装置-CN201920956168.8有效
发明人：李花蕾;李淑云;耿蓬波;李微松;殷兵楠;贾新旺;薛东风;吴晓艳;赵文峰 -专利权人：河南飞孟金刚石工业有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本新型公开了一种金属管自动焊接装置，包括对焊机和工作台，所述工作台上设有控制面板，所述对焊机包括固定电极和移动电极，固定电极为和工作台平行的圆柱，固定电极外径等于金属管内径；所述工作台设置于固定电极的正下方，工作台上设有一个金属板放置区，中空区的正下方设有两个具有内弧面的成型块；两个成型块下方分别设有顶升装置；所述固定电极两侧分别设有夹紧块，两个夹紧块外侧分别设有与之对应的推进装置，其中一个夹紧块的顶部内边缘为对焊机的移动电极；本实用新型的有益效果是：实现了金属管的自动上料焊接作业，极大的提高了工作效率，降低工人的劳动强度。
一种金属管自动焊接装置

[发明专利]一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法-CN201911114870.0在审
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。
一种基区环掺杂辐射横向 pnp 晶体管制备方法

[发明专利]一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法-CN201911115642.5在审
发明人：王清波;薛东风;赵杰;薛智民;孙有民;杜欣荣;温富刚;卓青青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管的集电区，在两个P型掺杂区之间是N型掺杂的外延层，形成PNP晶体管的基区，从而构成一个横向的P‑N‑P结构，形成横向PNP晶体管。它与传统PNP管的区别在于：新型结构横向PNP晶体管的P型集电区单独进行掺杂，使P型集电区杂质浓度低于N型基区浓度，当PNP晶体管CE电压增大时，由于横向PNP晶体管P型集电区浓度低于N型集区，CB结空间电荷区主要向P型集电区扩展，抑制因CE电压增大导致的基区宽度变化，从而获得较高的厄利电压。
一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法

[实用新型]一种金刚石破碎装置-CN201920530664.7有效
发明人：李花蕾;李淑云;耿蓬波;李微松;殷兵楠;贾新旺;薛东风;吴晓艳;赵文峰 -专利权人：河南飞孟金刚石工业有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种金刚石破碎装置，包括箱体和底座，箱体顶部设有进料口，箱体底部设有出料口，箱体正面设有门，箱体左右侧壁上水平设有多层滑槽，每层滑槽上均滑动连接有筛板，且下层筛板的目数小于上层筛板的目数，每个筛板上均放置有多个不锈钢棒，箱体底部设有振动器，箱体底部四角处均通过套管与底座连接，底座与箱体间设有四个弹簧，四个弹簧套设在对应的套管上。该装置结构简单，通过振动器和弹簧使箱体不断晃动，从而使不锈钢棒对金刚石进行撞击，破碎效率高，耗能低，可筛选出不同规格型号的金刚石微粉基体，且能连续进行破碎加工。
金刚石不锈钢棒振动器套管弹簧滑槽目数筛板底座破碎本实用新型底部四角处金刚石微粉底座连接滑动连接破碎装置上层筛板水平设有下层筛板箱体顶部箱体正面装置结构左右侧壁出料口弹簧套进料口多层耗能晃动筛选加工

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