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[发明专利]用于包括双沟道晶体管的SRAM单元的本体触点-CN200980133950.9有效
发明人： F·维贝尔莱特 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：静态RAM单元(250)可基于两个双沟道晶体管(200N、200P)和一个选择晶体管(200S)形成，其中，本体触点(body contact)可以伪栅极电极结构(205A)的形式横向置于该两双沟道晶体管之间，并且另一矩形接触(230)可连接栅极电极、源极区以及该本体触点，以建立通向该些晶体管的衬底区衬底区的导电路径。
用于包括沟道晶体管 sram 单元本体触点

[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制备方法-CN201810750872.8在审
发明人：刘新科;王佳乐;胡聪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制备方法，该半导体场效应晶体管包括：衬底、漏极电极以及远离衬底的方向依次垂直置于衬底上方的n⁺型SiC、n^‑型SiC、P^‑型SiC以及n⁺型SiC；晶体管具有沉积有Si_xN_y‑SiO₂双层结构的倒梯形沟槽，该晶体管上还有栅极电极该晶体管采用半导体材料SiC制得，相比现有的Si、GaAs导体材料，其具有导通电阻低、击穿场强高、饱和电子漂移速度高的特点而使制得的半导体场效应晶体管具有开关损耗小、击穿电压大、电子漂移速率高的特点；同时该晶体管一改传统横向的器件结构而采用垂直的器件结构，避免了传统半导体场效应晶体管散热不佳的问题。
半导体场效应晶体管晶体管衬底漂移器件结构制备半导体材料场效应晶体管传统半导体倒梯形沟槽导体材料导通电阻击穿场强击穿电压开关损耗漏极电极双层结构源极接触栅极电极垂直的电极散热沉积饱和垂直

[发明专利]功率放大单元和功率放大器-CN201911138890.1有效
发明人：洪思航;林志东;王鹏;魏鸿基;林义书 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种功率放大单元和功率放大器，包括衬底、设置在衬底上呈阵列排布的多个双极型晶体管和设置在各双极型晶体管上的导电层。其中，每相邻两个双极型晶体管的发射极电极之间的导电层在纵向方向上形成孔壁由该导电层构成的过孔。各双极型晶体管的基极电极连接至单元输入端、集电极电极通过导电层连接至单元输出端。而其中，各双极型晶体管的发射极电极，在纵向方向上通过与该双极型晶体管相邻的导电层所形成的过孔后接地、在横向方向上经由导电层后接地。如此，各个双极型晶体管的发射极电极采用双路径到地结构，可提高电流通过能力，降低由于电流聚集造成的温度升高的问题，实现有效散热。
功率放大单元功率放大器

[实用新型]PNP型双极晶体管-CN201720175742.7有效
发明人： P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种PNP型双极晶体管，包括发射极(69)，所述发射极具有矩形横截面，相对于所述晶体管的基极(15)被抬起，并且具有受间隔物(73)保护的横向表面，所述晶体管进一步包括在所述基极(15)的由所述间隔物
pnp 双极晶体管

[发明专利]像素电路-CN201810598072.9有效
发明人：陈奕冏;郑贸薰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：一种像素电路，包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管及储存电容。第三晶体管耦接第二晶体管。第四晶体管耦接第二晶体管。储存电容耦接于第一晶体管与第四晶体管之间。第五晶体管耦接第四晶体管。第六晶体管耦接第四晶体管。第七晶体管耦接第四晶体管及发光元件。第八晶体管耦接第一晶体管。
像素电路

[发明专利]横向扩散晶体管及其制造方法-CN202010840847.6在审
发明人：葛薇薇 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向扩散晶体管包括：衬底；位于衬底上表面的漂移区；位于漂移区上部一端的漏区和另一端的体区；位于体区上部且由内到外而相继设置的源区和体接触区；位于体区上表面且延伸到漂移区上表面至少一部分的栅极结构，其中，体接触区在体区内以底部深于源区底部的方式设置，从而使得横向扩散晶体管的自防护能力加强。
横向扩散晶体管及其制造方法

[发明专利]晶体振荡器-CN201910374396.9在审
发明人：陈科含;王敏嘉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体振荡器，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第一电容、第二电容、第三电容及隔离电阻。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第八晶体管是P型晶体管。第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管及第九晶体管是N型晶体管。
晶体振荡器

[发明专利]一种具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管-CN200810244034.X无效
发明人：郭宇锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管，该晶体管至少包含依次相连的三个半导体掺杂区。采用该结构制造横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有导通电阻小、击穿电压高、工艺简单、成本低廉等优点。
一种具有倾斜表面漂移绝缘体横向功率晶体管

[发明专利]一种横向绝缘栅双极型晶体管-CN201710328737.X有效
发明人：张金平;陈钱;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在传统横向绝缘栅双极型晶体管的基础上，在器件表面沿沟道长度方向刻蚀沟槽形成三维结构，形成具有三维结构的横向绝缘栅双极型晶体管；同时在器件三维漂移区表面形成多晶二极管并在集电极附近集成三维PMOS和齐纳二极管。
一种横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管-CN201710812424.1有效
发明人：段宝兴;杨银堂;董自明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，能消除横向超结存在的衬底辅助耗尽问题，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能消除超结存在的衬底辅助耗尽的问题，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化，大幅度提高器件的击穿电压。
一种具有电场调制衬底宽带半导体横向超结双扩散晶体管

[发明专利]功率开关器件-CN201710840119.3有效
发明人：格雷戈里·布宁;大卫·夏皮罗;列夫·斯特辛;伊利亚·布宁 -专利权人：威电科技有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该电路包括在硅(Si)衬底上的第一氮化镓(GaN)横向场效应晶体管。Si衬底上的第一GaN横向场效应晶体管的源极端子包含通过耦合到源极端子的隔离高压的电阻器或者可操作地耦接到漏极端子和衬底端子的第二电阻器，与P型Si衬底的背面的电连接。该漏电流使Si衬底上的第一GaN横向场效应晶体管上的电压降与Si衬底上串联连接的第二GaN横向场效应晶体管上的电压降相等。
功率开关器件

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202210383932.3在审
发明人：李永亮;张佳熠;贾晓峰;赵飞;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于同时提升器件结构均为环栅晶体管的NMOS晶体管和PMOS晶体管的载流子迁移率。所述制造方法包括：在衬底具有的第一阱区上形成第一环栅晶体管、以及在衬底具有的第二阱区上形成第二环栅晶体管。第一环栅晶体管具有的第一沟道区的晶向垂直于第二环栅晶体管具有的第二沟道区的晶向。其中，在第一阱区上形成第一环栅晶体管包括：在第一阱区上形成第一堆叠结构。第一堆叠结构包括预形成层、以及交替形成在预形成层上的第一材料层和第二材料层。第一堆叠结构中位于最顶层的为第二材料层。对每层第一材料层进行横向减薄处理，以使得每层第一材料层剩余部分的宽度等于第一沟道区的宽度。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]用于集成电路中的静电放电保护的电路和方法-CN02151897.1有效
发明人：权奎亨;权银景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：该集成电路器件的输出电路包括具有在衬底中的各自相互隔开的源极区和漏极区对的一第一和一第二MOS晶体管，其被排列为使得该第一和第二MOS晶体管的各自的第一和第二沟道相互横向设置。其还包括在衬底中位于该第一与第二MOS晶体管之间的一隔离区。一第一导体连接该第一MOS晶体管的源极区至一电源结点，一第二导体连接该第一MOS晶体管的漏极区至该第二MOS晶体管的源极区。一第三导体连接该第二MOS晶体管的漏极区至集成电路的外部信号焊垫。该隔离区可包括分别包围第一和第二MOS晶体管中的一个的第一和第二绝缘区，及包围并隔开该绝缘区的一保护环。
用于集成电路中的静电放电保护电路方法

[实用新型]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管-CN201620057198.1有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管