专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]横向晶体-CN201220747829.4有效
  • 乔伊·迈克格雷格 - 成都芯源系统有限公司
  • 2012-12-31 - 2013-09-18 - H01L29/78
  • 提出了一种横向晶体。根据本实用新型实施例的横向晶体包括:栅区,形成于栅介质层的第一部分上;以及场板,形成于场介质层上,覆盖该场介质层的至少一部分,并延伸至所述栅介质层上覆盖该栅介质层的第二部分,其中该场板与所述栅区之间具有位于所述栅介质层的第三部分上方的隔离间隙,并且该场板与该横向晶体的源区耦接。根据本实用新型实施例的横向晶体具有相对较小的漏栅电容,也可以具有较低的比导通电阻,还可以具有改善的热载流子寿命。
  • 横向晶体管
  • [发明专利]图像传感器元件以及图像传感器-CN202211579142.9在审
  • 工藤义治 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-06-30 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器元件以及图像传感器,所述图像传感器元件包含:转移晶体TX、横向溢流集成电容器选择晶体LF、光电二极PD以及第一溢流路径OFP。转移晶体TX从第一端输出读出信号。横向溢流集成电容器选择晶体LF包含连接到转移晶体TX的第二端的第一端,以及连接到电容器的第二端。光电二极PD共同连接到转移晶体的第三端和横向溢流集成电容器选择晶体LF的第三端。第一溢流路径OFP形成在光电二极PD与横向溢流集成电容器选择晶体LF的第二端之间。转移晶体TX和横向溢流集成电容器选择晶体LF中的每一个配置有竖直栅极晶体
  • 图像传感器元件以及
  • [发明专利]一种横向PNP晶体抗饱和结构及其应用-CN202011290880.2在审
  • 师娅;刘智 - 西安微电子技术研究所
  • 2020-11-17 - 2021-02-23 - H01L29/08
  • 本发明公开了一种横向PNP晶体抗饱和结构及其应用,第一P+扩散区、第二P+扩散区和N+扩散区形成第一横向PNP晶体QP1,且第一P+扩散区和第二P+扩散区分别为第一横向PNP晶体QP1的发射区和集电区;第二P+扩散区、第三P+扩散区和N+扩散区形成第二横向PNP晶体QP2,且第二P+扩散区和第三P+扩散区分别为第二横向PNP晶体QP2的发射区和集电区;第一P+扩散区、第三P+扩散区和N+扩散区形成第三横向PNP晶体QP3,且第一P+扩散区和第三P+扩散区分别为第三横向PNP晶体QP3的发射区和集电区。本发明可以大大降低横向PNP晶体导通时的饱和程度,从而大大缩短横向PNP晶体退饱和时间,加快控制信号的传输速度。
  • 一种横向pnp晶体管饱和结构及其应用
  • [发明专利]降压型开关电源、电子设备和控制方法-CN202080043758.7在审
  • 张均军 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2020-09-07 - 2022-07-08 - H02M3/155
  • 一种降压型开关电源和电子设备,涉及开关电源技术领域,可以应用较新工艺下的晶体来作为功率晶体,且降低功率晶体被击穿损坏的风险。降压型开关电源包括:第一功率晶体(T1),第一功率晶体(T1)为P型横向双扩散晶体;第二功率晶体(T2),第二功率晶体(T2)为N型横向双扩散晶体;功率晶体驱动电路(1),用于输出第一控制信号(PDRV)至第一功率晶体(T1)的栅极,以及输出第二控制信号(NDRV)至第二功率晶体(T2)的栅极,第一控制信号(PDRV)的低电压为大于0V的电压,第二控制信号(NDRV)的高电压小于电源输入端
  • 降压开关电源电子设备控制方法

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