[发明专利]双向开关和包括该开关的双向开关装置在审
| 申请号： | 201880023381.1 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110476232A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 木下雄介;山田康博;一柳贵志;梅田英和 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/337;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812;H03K17/687 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供能够以提高的稳定性进行开关操作的双向开关，并且还提供包括这样的双向开关的双向开关装置。双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件(61a)；以及第二导体构件(62a)。连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 横向晶体管 导体构件 双向开关 第二导电层 第一导电层 半导体层 电气连接 连接构件 源极电极 双向开关装置 反向串联 开关操作 地连接 | ||
【主权项】：
1.一种双向开关，包括：/n第一导电层，其具有沿着所述第一导电层的厚度方向彼此相反布置的正面和反面；/n第二导电层，其具有沿着所述第二导电层的厚度方向彼此相反布置的正面和反面；/n第一横向晶体管，其包括第一半导体层、第一源极电极、第一栅极电极和第一漏极电极，所述第一半导体层布置在所述第一导电层的所述正面上，所述第一源极电极、所述第一栅极电极和所述第一漏极电极全部布置在所述第一半导体层的一个面上，所述第一半导体层的该一个面与所述第一半导体层的同所述第一导电层接触的另一面相反；/n第二横向晶体管，其包括第二半导体层、第二源极电极、第二栅极电极和第二漏极电极，所述第二半导体层布置在所述第二导电层的所述正面上，所述第二源极电极、所述第二栅极电极和所述第二漏极电极全部布置在所述第二半导体层的一个面上，所述第二半导体层的该一个面与所述第二半导体层的同所述第二导电层接触的另一面相反；/n连接构件，其将所述第一横向晶体管和所述第二横向晶体管反向串联地连接在一起；/n第一导体构件，其将所述第一横向晶体管的所述第一源极电极电气连接至所述第一导电层；以及/n第二导体构件，其将所述第二横向晶体管的所述第二源极电极电气连接至所述第二导电层。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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