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[实用新型]吸塑立体彩画-CN201521121738.X有效
发明人：夏孟命 -专利权人：浙江荣军印业有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B44C5/04 文献下载
摘要：一种吸塑立体彩画，包括由白色纸张构成的基纸层，所述基纸层的上表面设有经热吸塑处理后形成具有立体结构图形的PVC层，所述PVC层上的立体结构图形上涂有颜料形成彩色立体结构图形，所述PVC层与基纸层之间设有具有粘性的粘胶层，所述PVC层下表面通过粘胶层与基纸层的上表面相粘合，且PVC层能够从基纸层上被揭开；本实用新型对PVC膜进行热吸塑处理后形成立体结构图形，降低了生产成本，使其的视觉效果比以往平面彩画看起来更具有立体感
立体彩画

[实用新型]一种图形化蓝宝石衬底-CN201720704086.5有效
发明人：付星星;康凯;陆前军;向炯 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图形化蓝宝石衬底，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有若干个微结构图形区和交错排列的沟道区，微结构图形区在蓝宝石衬底表面向上凸起形成，沟道区在蓝宝石衬底表面朝向该蓝宝石内部凹陷形成，交错排列的沟道区将蓝宝石表面分割成若干个独立的子区域，每个子区域内均具有微结构图形区，沟道区填充有用于阻挡外延生长的介质层。
一种图形蓝宝石衬底

[发明专利]一种基于深度学习的全脑结构体积测量方法及系统-CN202010300943.1在审
发明人：马学升;崔德琪;刘伟奇 -专利权人：同心医联科技（北京）有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于深度学习的全脑结构体积测量方法及系统，包括：A、获取待测量的患者的全脑结构图像数据；B、将所述待测量的患者的全脑结构图像数据进行预处理，将所述待测量的患者的全脑结构图像数据由原始空间映射到MNI标准空间；C、将映射到MNI标准空间中的全脑结构图像数据划分为各个预设子区域；D、将所述各个预设子区域的全脑结构图像数据分别输入至与各个所述预设子区域分别对应的训练好的各个网络分割模型中，并获取各个分割结果；E、采用多标签融合方法对所述各个分割结果进行融合处理，并将融合处理后的分割结果映射回原始空间；F、基于所述分割结果计算全脑结构的体积。本申请有利于快速有效地获取全脑结构体积测量结果。
一种基于深度学习结构体积测量方法系统

[发明专利]一种事件的实现方法和装置-CN201810684462.8有效
发明人：魏代利 -专利权人：魏代利
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种事件的实现方法，包括：确认所述事件的过程结构图，所述过程结构图包括用于表示事件要素的要素模块；根据所述过程结构图创建作业任务；在交易平台上选择执行所述作业任务的执行用户；发送支付指令，用于支付所述用户执行作业任务的报酬执行用户在执行任务时，根据过程结构图中模块化的信息，可以清晰地掌握完成任务的路线，根据过程结构图搭建起来的实现事件平台，使得所有参与执行任务的用户都按照过程结构图执行任务、记录信息，所有事件都能够以严谨、标准的过程实现并记录，避免了现有众包平台的松散性和随意性，提高了完成任务的质量和效率。
一种事件实现方法装置

[发明专利]晶粒的失效形态分析系统、方法及设备-CN202210037601.4在审
发明人：李超 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶粒的失效形态分析系统、方法及设备，系统包括：图形绘制模块，用于从数据库中获取目标晶圆的修补数据，在显示界面中生成目标晶圆对应的晶圆图，并确定晶圆图中每个晶粒对应的晶粒结构图；处理模块，用于当接收到用户在晶圆图中触发的选择操作时，在数据库中存储的修补数据中获取当前选中的目标晶粒对应的修补信息，并将目标晶粒对应的修补信息以预设方式添加在目标晶粒对应的晶粒结构图；显示模块，用于在显示界面中展示目标晶粒调整后的目标晶粒结构图本公开实施例可以以图形化的方式，在晶粒结构图中直观的展示出该晶粒的修补信息，帮助测试人员快速定位每个晶粒的异常，提升测试效率。
晶粒失效形态分析系统方法设备

[发明专利]一种实现非对称传输的单层金纳米结构及其制备方法-CN201710221105.3有效
发明人：张中月;白瑜;王明艳;吐达洪·阿巴;陈语嫣 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明实现非对称传输的单层金纳米结构及其制备方法，该结构通过准备基底、涂光刻胶、涂胶后烘干、电子束曝光结构图形、显影、定影、定影后烘干、镀金、剥离光刻胶、吹干十个步骤制备；本发明的结构简单，其结构的连通性可以增强光和金属微纳结构的耦合，实现光的非对称透射特性；且通过将该结构的第一竖体与第三竖体的长度设置不相等，会比第一竖体与第三竖体长度相等时多出两个共振模式，可以实现多个频段的调控；并且产生两个相对较大的非对称传输效应；另外，本发明的制备方法曝光结构图形过程中，电子束是对结构的图形部分进行刻蚀，节省了结构图形的曝光时间，提高了制备效率。
一种实现对称传输单层纳米结构及其制备方法

[发明专利]倒装发光二极管的制备方法-CN200910057583.0有效
发明人：颜建锋;郝茂盛;李淼;周健华;潘尧波;袁根如;陈诚;李士涛;张国义 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率
倒装发光二极管制备方法

[发明专利]具有定形结构的防伪微粒、其制造工艺及防伪系统-CN201310017725.7有效
发明人：沈欣;饶道军 -专利权人：上海盛业印刷有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有定形结构的防伪微粒、其制造工艺及防伪系统，其应用范围广泛。为实现所述目的的具有定形结构的防伪微粒的制造工艺，其特点是，包括：步骤A，制作表面具有凹槽微结构图形的金属模板；步骤B，在金属模板的表面涂敷一层防粘或剥离涂层，并烘干；步骤C，将可固化的油墨液体刮涂于防粘或剥离涂层上，使油墨液体充满金属模板表面的凹槽微结构图形内，然后刮去防粘或剥离涂层上的多余液体，将凹槽微结构图形内油墨液体固化成固体微粒；步骤D，将固体微粒从金属模板上剥落下来，形成定型结构微粒。
具有定形结构防伪微粒制造工艺系统

[发明专利]一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法-CN201710730497.6有效
发明人：范荣伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通本发明提出的多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，通过建立缺陷检测结构与对应的工艺流程，并调试对应的电子束扫描条件，建立针对以上问题的在线监控数据指标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。
一种多晶接触粘结异常缺陷检测方法

[发明专利]一种基于Matlab的服装款式图到纸样的智能转化方法-CN202111066131.6在审
发明人：庹武;于媛媛;郝潇潇;张启泽;陈谦 -专利权人：中原工学院
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F30/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Matlab的服装款式图到纸样的智能转化方法，包括以下步骤：S1.特征参数的确定：确定所需要服装款式部件在转化过程中所需特征参数；S2.特征参数的提取：将所需要转化的服装款式部件通过绘图软件绘制成标准款式图，利用不同颜色的HSV范围值识别特征线段，得到待测线段的像素距离，得到特征线段的参数值；S3.结构图建模：利用标准款式图识别出的参数，根据比例法制图，得到服装款式部件结构图的关键点坐标，在Matlab平台上实现服装款式部件结构图的自动化生成；S4.结构图的智能转化：利用Matlab平台，建立函数，根据HSV范围值遍历像素点，依次测得特征线段像素距离，换算成实际尺寸，得到所需参数值，即可生成服装款式部件结构图。
一种基于 matlab 服装款式纸样智能转化方法

[发明专利]结构图的结构重构方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111276063.6在审
发明人：韦涛;谷枫;饶旭东 -专利权人：北京搜狗科技发展有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F40/166 文献下载
摘要：本发明公开了一种结构图的结构重构方法，对结构图片进行节点检测，获取所述结构图片的节点信息；对所述结构图片进行导引线检测，获取所述结构图片的导引线信息；根据所述节点信息和所述导引线信息进行结构还原，获取所述结构图片的还原结构图本发明公开的结构图的结构重构方法、装置、电子设备及存储介质，能够还原结构图片中的还原结构图，实现了对结构图片中的还原结构图进行编辑的效果。
结构图结构方法装置电子设备存储介质

[发明专利]金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法-CN201810457726.6有效
发明人：严战非;赵明;顾琪;杜立群;吕辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所;大连理工大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，首先在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，进行曝光，显影，并进行烘烤成坚硬胶膜；在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到金属种子层；在种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；对种子层进行腐蚀，得到辅助结构图形的种子层；在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；微电铸金属；去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件；本方法提高复杂结构微器件的铸层均匀性。
辅助结构光刻胶微器件种子层胶膜电铸层均匀性前烘显影金属微器件正性光刻胶成型过程曝光涂覆金属种子层导电金属复杂结构金属基板图形转移图形化微电铸掩蔽层烘烤后烘基板溅射铸层去除腐蚀金属

[发明专利]一种太赫兹金属超材料的验证装置-CN201710698050.5在审
发明人：刘建军;洪治 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹金属超材料的验证装置，其光源辐射的光子能量大于半导体平板的材料的禁带宽度，空间光调制器与计算机连接以使太赫兹金属超材料的周期性谐振结构图形能够由计算机输出到空间光调制器；光源发出的光束进入空间光调制器中后，空间光调制器能够将周期性谐振结构图形加载到光束中；加载了周期性谐振结构图形的光束先后经由成像透镜、合束器透射到半导体平板上后能够激发半导体平板的半导体产生光生载流子，并使光生载流子在半导体平板上构建形成与太赫兹金属超材料相同的周期性谐振结构；太赫兹光谱仪发射的太赫兹波束能够被合束器反射后照射到半导体平板上的周期性谐振结构图区域内，并穿过半导体平板而进入太赫兹光谱仪。
一种赫兹金属材料验证装置

[发明专利]微纳结构图形试样的自动对焦装置及方法-CN202211492677.2在审
发明人：高天宇;魏劲松;许孝忠 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B7/28 文献下载
摘要：一种高透明度微纳结构图形试样自动对焦装置及方法，装置包括计算机、激光器、CCD、反射镜、物镜、成像透镜和分光元件等，将微纳结构图形试样放置于载物台上，通过计算机处理CCD采集的激光透射光斑的直径数据计算得出当前样品的待测表面位置本发明利用CCD采集的透射光斑直径作为对焦判据，提高了样品厚度变化的检测精度，降低了样品上高透明度区域及高复杂度微纳结构对光斑直径测量的影响，从而提高离焦量判断的准确性，实现对微纳结构图形试样更高速、更高稳定性
结构图形试样自动对焦装置方法

[发明专利]一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法-CN202111497956.3在审
发明人：高旗;郝玉涛;杨挺;杨贵玉;路文一;尹玉刚;陈青松;彭泳卿 -专利权人：北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，包括上盖板、下盖板和中间层敏感结构，上盖板包括硅‑玻璃，下盖板包括硅‑玻璃，该方法包括以下步骤：在上下盖板硅晶片上光刻腐蚀出多个单元图形，与玻璃片进行键合，通过回流、研磨、抛光等工序实现GIS结构；结构硅晶片双面光刻湿法腐蚀出结构图形；将结构硅晶片中的结构图形、上下盖板硅晶片中与结构硅中结构图形对应的单元图形在设定气压、设定温度的键合设备内进行键合。本发明继承经典硅‑玻璃‑硅‑玻璃‑硅五层结构低寄生电容优势，同时实现了表面电极制备，使用基于与硅热膨胀系数更为接近的SD‑2玻璃和Ti金属电极，制造出寄生电容小、低应力的敏感芯片，同时实现晶圆级批量化性能测试
一种基于 gis 盖板三明治加速度计制备方法