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[发明专利]大面积亚微米有序结构图形的生成方法-CN200910025235.5无效
发明人：张瑞英;王强斌;杨辉;董建荣 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积亚微米有序结构图形的生成方法，涉及微纳米级制造领域，其特征在于包括：首先，在清洁的初制衬底表面化学键合或物理吸附一层符合大小与形状要求的单层粒子；然后，在所述衬底及单层粒子上沉积生成金属薄膜层；继而，采用适当的有机溶剂溶解该单层粒子，并将单层粒子连同沉积在其表面的金属薄膜一并剥离，在初制衬底表面形成金属掩膜图形；最后，采用适当的方法将金属掩膜图形转移到实需衬底，生成有序的亚微米结构图形，并将掩模金属层去除实施本发明大面积亚微米有序结构图形的生成方法，其具有结构图形的生成灵活可控、衬底选择性广、大面积生成易于实现，及成本低廉和无需昂贵加工设备的有益效果。
大面积微米有序结构图形生成方法

[发明专利]数据资源编排方法、装置、计算机设备和可读存储介质-CN202111072580.1在审
发明人：许莹;张皖娜;陈远航 -专利权人：树根互联股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：本发明提供一种数据资源编排方法、装置、计算机设备和可读存储介质，该数据资源编排方法包括：根据数据资源添加指令从资源库中获取相应的至少一个数据资源，以及每个数据资源所有的数据结构模型；根据输出对象添加指令建立至少一个输出对象，以及配置每个输出对象相应的输出结构模型；将所有的数据结构模型以及输出结构模型通过预设可视化算法处理，生成相应的数据结构图形以及输出结构图形并在配置页面上展示；获取配置页面中用户设置的数据结构图形和输出结构图形的配置关系；根据配置关系配置相应的数据结构模型与输出结构模型的关系，生成相应的数据资源编排模型。
数据资源编排方法装置计算机设备可读存储介质

[发明专利]线路结构图的制作方法-CN201910594076.4在审
发明人：王建勋;潘希平;余文云;王运彪;余涛;崔琳;龚银燕;唐建江;唐友新;梁伟;邹少波 -专利权人：国网湖北省电力有限公司宜昌供电公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：线路结构图的制作方法，其特征在于包括如下步骤：1)清理数据：通过坐标定位系统先把各变电站、开闭所数据定点后，在图形定位布局，建立总平面关系；后建立各相关变压器、开关、电缆数据模型；2)建立数据库：依照线路出线，带了各种配网开关及公共变压器、专供变压器建立数据字段，编入数据库中，修编查询打印等功能；3)绘制图形：利用Auto CAD命令和系统变量进行矢量绘制，利用坐标系进行图形定位；利用Auto CAD绘制出电子图版，得到线路结构图。线路结构图绘制比例合适、结构布局紧凑，在电力系统运行检修、电网指挥及电网事故处理发挥起关键作用，该线路结构图能满足运行检修及电网指挥要求。
线路结构图绘制变压器检修电力系统技术电力系统运行坐标定位系统公共变压器建立数据库电网图版电缆数据电网事故定位布局关键作用绘制图形结构布局数据字段系统变量矢量总平面开闭配网变电站指挥制作紧凑数据库打印出线查询

[发明专利]集成电路的时钟结构的图形化显示方法及装置-CN202211347965.9在审
发明人：黄遽熠 -专利权人：北京地平线信息技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/396 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种集成电路的时钟结构的图形化显示方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，其中，该方法包括：获取集成电路的设计文件；从设计文件中提取时钟分频关系信息和时钟属性信息；基于时钟分频关系信息，确定表示多个时钟之间的分频关系的第一时钟结构图；基于时钟分频关系信息和时钟属性信息，确定时钟结构图中的每个时钟节点的时钟描述信息；基于第一时钟结构图和时钟描述信息生成图形化显示页面。本公开实施例实现了自动化地生成用于显示时钟结构图和时钟描述信息的图形化显示页面，有助于使用户方便且准确地获知各个时钟之间的关系和时钟的详细信息，提高集成电路设计的效率。
集成电路时钟结构图形显示方法装置

[实用新型]一种用于隔离半导体芯片边缘和金属框架的绝缘隔片-CN201920970898.3有效
发明人：丁一明;胡耀军;王新;王天立 -专利权人：无锡明祥电子有限公司;上海一滴微电子技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于隔离半导体芯片边缘和金属框架的绝缘隔片，所述绝缘隔片为丝网或绝缘膜，所述丝网的网眼用于放置芯片的有源区域，网眼四周的丝径上涂抹有绝缘胶，用于覆盖芯片的终端结构图形区域；所述绝缘膜为可粘连的中空结构，四周边缘覆合芯片的终端结构图形区域。本实用新型针对封装过程中需要芯片背面的终端结构图形区域和金属框架绝缘封装，采用绝缘隔片进行封装具有种成本低，工艺简单，可靠性高等优点。
绝缘隔片图形区域终端结构芯片本实用新型金属框架绝缘膜丝网网眼隔离半导体封装过程绝缘封装四周边缘芯片边缘中空结构绝缘胶源区域粘连覆合涂抹封装覆盖

[发明专利]制作具有微结构图形的压模板的方法-CN200410005420.5无效
发明人：陈怡礽;周天佑;赖志辉;陈怡发;张世慧;王元宏 -专利权人：钰德科技股份有限公司
申请日： 2004-02-18 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种制作具有微结构图形的压模板的方法。该方法先提供一基板，然后在基板上形成一与该微结构图形相反的第一图形层，然后于基板上形成一第二图形层，用以限定出压模板的尺寸边缘，最后再进行一电铸工序，并利用第二图形层作为一电铸生长围墙，以在基板上形成至少一该压模板
制作具有微结构图形模板方法

[发明专利]张应力低温退火诱导非晶合金材料多形相变检测方法和装置-CN202010143577.3在审
发明人：葛健芽;张正中;杨晓红;常春涛;贺爱娜;王金生;李文忠 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明涉及材料检测领域，提供一种张应力低温退火诱导非晶合金材料多形相变检测方法，该方法包括：调用拍摄装置获取非晶合金材料微结构图像；将非晶合金材料微结构图像输入到模型中，确定是否符合合格标准，其中，所述模型为使用多组数据通过机器学习训练得到，多组数据包括第一类数据和第二类数据，第一类数据中的每组数据包括非晶合金材料微结构图像和符合合格标准的标签，第二类数据中的每组数据包括非晶合金材料微结构图像和不符合合格标准的标签；在非晶合金材料微结构图像不符合合格标准
应力低温退火诱导合金材料形相检测方法装置

[发明专利]一种超材料的制备方法和超材料-CN201110296190.2有效
发明人：刘若鹏;缪锡根;李春来 -专利权人：深圳光启高等理工研究院
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种超材料的制备方法，该制备法方法包括：在结构陶瓷衬底上形成一层固化树脂膜；在所述固化树脂膜上雕刻出具有预设微结构图形的凹槽；在所述凹槽中注入功能陶瓷浆料；采用烧结的方式去除固化树脂膜，并将功能陶瓷浆料烧结成所述预设微结构图形本发明另一实施例还提供了一种超材料，该超材料包括：结构陶瓷衬底；以及与结构陶瓷衬底上表面粘结在一起的功能陶瓷，该功能陶瓷具有预设微结构图形。以实现具有高机械强度、热稳定性、以及电磁特性的超材料。
一种材料制备方法

[发明专利]一种LED光子晶体结构的单元图形及其使用方法-CN201410498866.X有效
发明人：张家锦;章磊;熊威 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光子晶体工艺层的光刻拼接方法，其特征在于，包括：步骤一、定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为一距图形中心间距均为s，内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R；步骤二、根据所述光子晶体结构图形特征形成以光子晶体结构；步骤三、在光子晶体结构中提取六边形结构作为单元图形；步骤四、将含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域。本发明还公开了一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，一种LED光子晶体工艺层的制作方法以及一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版的制作方法。
一种 led 光子晶体结构单元图形及其使用方法

[实用新型]一种使用辅助阴极的微电镀装置-CN202223272641.1有效
发明人：尹谭;王艳;孙云娜;丁桂甫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：电镀池；阳极金属板，其位于所述电镀池的顶部；金属电镀液，其分布于所述电镀池中；片外辅助阴极，其设置在所述电镀池的下部，且被配置为分散阴极基板的电流；阴极基板，其位于所述电镀池的底部，并且其上具有器件微结构图形；片内辅助阴极，其设置在所述器件微结构图形的拐角处，且被配置为分散器件微结构图形拐角处的电流。通过在该装置中添加片内和片外辅助阴极，分散阴极表面和电镀池内部的电流，提升电镀的器件微结构的镀层均匀性。
一种使用辅助阴极电镀装置

[发明专利]OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法-CN201711464502.X有效
发明人：汪牡丹;俞海滨;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；步骤S2：选择具有第一SRAF类型的结构图形，并在结构图形中选取图形周期恰可加入1根和2根第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；步骤S3：通过模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定第二SRAF类型不会曝在晶圆上；步骤S5：基于具有第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。
opc 建模分辨率辅助图形确定方法

[发明专利]在成像数据集之间对发现的匹配-CN201480042949.6有效
发明人： E·科昂索拉尔;G·R·曼科维奇;钱悦晨;T·D·D·S·马博杜瓦纳 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：一种方法包括：检测观察者对图像的集合中的解剖结构图像的注意焦点；基于检测到的注意焦点来确定所述解剖结构图像中的位置包括具有感兴趣发现的组织；从早前采集的成像数据集中识别具有与所显示的图像相同的组织部分的解剖结构图像；与所显示的图像同时地视觉显示识别所述早前采集的图像的图形标记。
成像数据之间发现匹配

[发明专利]自对准金属层的制造方法、半导体器件及电子设备-CN202010721282.X有效
发明人：张利斌;韦亚一;冯耀斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：该方法包括：对金属层的设计掩模进行工艺可制造拆分；提供衬底，包括用于制作金属层的目标薄膜层；利用第一子掩模在目标薄膜层上形成第一结构图案，并贴着第一结构图案的侧壁形成侧墙；利用第二子掩模进行光刻和刻蚀，在第一结构图案所在的掩模涂层基于自对准效应形成对应的第二结构图案；去除第一结构图案，留下侧墙和第二结构图案；以侧墙和第二结构图案为掩模，对目标薄膜层进行图案化；在图案化后的目标薄膜层中形成金属层。本方案通过在第一次光刻刻蚀之后，施加侧墙工艺，有效保护了多重光刻图形之间的最小间距，降低了金属层的套刻偏差，提升了工艺制造良率。
对准金属制造方法半导体器件电子设备

[发明专利]一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片-CN201910559900.2在审
发明人：丁一明;胡耀军;王新;王天立 -专利权人：无锡明祥电子有限公司;上海一滴微电子技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片，其中绝缘封装方法包括，步骤一：根据芯片晶圆的尺寸制作用于覆盖芯片终端结构图形区域的绝缘隔片；步骤二，绝缘隔片对准位置覆合在芯片的终端结构图形区域并高温固化后划片本发明针对封装过程中需要芯片背面的终端结构图形区域和金属框架绝缘封装，采用绝缘隔片进行封装具有种成本低，工艺简单，可靠性高等优点。
绝缘隔片绝缘封装半导体芯片边缘金属框架图形区域终端结构芯片封装对准位置封装过程高温固化结构图形芯片焊接芯片终端塑封料覆合划片晶圆成型覆盖制作

[发明专利]基于SVG图形技术的电力线路条图管理方法-CN201510956973.7在审
发明人：王克杰;戴金源;靳继斌;颜平丽;孙志松;吴艳玲 -专利权人：国网安徽省电力公司淮北供电公司;国家电网公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SVG图形技术的电力线路条图管理方法，解决了现有的问题，其特征在于包括图形转换，文件上传，图元定义，图形查看、编辑，图形设备关联，图形输出等步骤。本发明将SVG图形技术与当前电网结构绘图采用的CAD图形技术相结合，提供了一种便捷的图形化技术来管理电网结构图形，同时又能和以往的CAD图形实现无缝衔接，实现图形标准化的平滑过渡。
基于 svg 图形技术电力线路条管理方法