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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法-CN202110196845.2在审
发明人：王建涛;张聪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法，包括：步骤一、在硅片上形成包含有对准标记的零层图形；步骤二、在形成有零层图形的硅片表面上形成氮掺杂的栅氧化层；步骤三、进行第二次光刻工艺在栅氧化层表面上形成第二层光刻胶图形，第二层光刻胶图形和零层图形的对准标记对准；在第二次光刻工艺的曝光对准过程中同时获得对准指标参数；步骤四、根据对准指标参数在硅片上的面内分布对步骤二中的栅氧化层的形成工艺的参数进行调整。本发明不仅能提高栅氧化层的厚度均一性，还同时能保证栅氧化层后一光刻层次的对准过程无异常并从而能改善套刻精度，提高产品良率。
掺杂氧化形成工艺监控方法

[发明专利]一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法-CN201210424730.5有效
发明人：陈刚;柏松;李理 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法，该方法包括以第一光刻胶层（3）作为阻挡层，采用三氟化氮作为刻蚀气体刻蚀碳化硅外延层（2）以形成栅凹槽（5）；和对所述碳化硅外延层（2）的表面进行高温氧化处理以形成牺牲氧化层（6）并进一步去除所述牺牲氧化层（6）。本发明的减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法可以有效地减少刻蚀表面的碳残余物，从而获得光滑的刻蚀表面，并且通过高温氧化的方法对轻损伤的碳化硅表面进行氧化处理，进一步减小了栅凹槽因刻蚀产生的损伤和粗糙，提高了肖特基栅金属与碳化硅之间接触的性能。
一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性方法

[发明专利]半导体结构及形成半导体结构的方法-CN202211020661.1在审
发明人：孙雨萌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及形成半导体结构的方法，其中，所述方法包括：提供基底，所述基底至少包括衬底、覆盖所述衬底的顶表面的第一栅氧化层、位于部分所述第一栅氧化层的表面的栅极结构和位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；刻蚀所述第一栅氧化层和所述衬底，形成阶梯状的衬底和具有第一预设宽度的栅氧化层；其中，所述第一预设宽度为所述栅极结构与所述第一侧墙在第一方向的尺寸之和；所述栅氧化层位于所述阶梯状的衬底的台阶上。
半导体结构形成方法

[发明专利]沟槽栅超结器件及其制造方法-CN201710768095.5在审
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结器件，沟槽栅的沟槽即栅沟槽沿长度方向上所述栅沟槽还延伸到过渡区中形成宽度变大的栅引出沟槽；在栅沟槽的侧面的顶部部分形成有栅氧化层、侧面底部和底部表面形成有厚度更厚的第一氧化层；栅引出沟槽的侧面和底部表面也形成有第一氧化层；栅沟槽中填充多晶硅栅和栅引出沟槽中填充栅引出多晶硅相接触并在栅引出多晶硅的顶部形成接触孔连接到由正面金属层组成的栅极，形成具有非台阶结构的栅引出结构，具有非台阶结构和和厚度更厚的第一氧化层的栅引出结构能提高栅的可靠性从而提高器件的鲁棒性本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能提高栅的可靠性，从而提高器件的鲁棒性。
沟槽栅超结器件及其制造方法

[发明专利]快闪存储器的形成方法-CN201610655903.2有效
发明人：徐涛;曹子贵;王卉;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种快闪存储器的形成方法，包括：提供有字线位线区和源线浮栅区的半导体衬底；在部分半导体衬底上形成横跨字线位线区和源线浮栅区的浮栅氧化层和浮栅层；在半导体衬底中形成位于浮栅氧化层和浮栅层两侧的隔离层；之后形成覆盖字线位线区的介质层，介质层间有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；之后去除第一开口底部的浮栅层和浮栅氧化层，形成第二开口；在第一开口和第二开口中、第一侧墙和介质层上形成源线膜；研磨去除第一侧墙和介质层上的源线膜，研磨中的过研磨量根据隔离层顶部表面到浮栅层的顶部表面的高度获取；去除字线位线区的介质层、浮栅层和浮栅氧化层后，在字线位线区形成字线结构。
闪存形成方法

[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件-CN201821124764.1有效
发明人：张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池包括：衬底；所述衬底的正面设有前场，所述衬底的背面设有发射极；所述前场的上表面设有第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层与正面栅线对应区域的表面设有第一多晶硅层；所述第一隧穿氧化层与吸光区对应区域的表面设有第一减反膜，所述第一多晶硅层的表面设有正面栅线；所述发射极表面设有第二隧穿氧化层；所述第二隧穿氧化层的表面设有第二多晶硅层；所述第二多晶硅层的表面设有背面栅线，所述第二多晶硅层中除与背面栅线对应区域的表面设有第二减反膜
隧穿氧化层多晶硅层太阳能电池衬底太阳能电池组件本实用新型背面栅线正面栅线发射极表面光伏发电发射极上表面吸光区背面

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210401500.7有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710588496.2有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]P型MOSFET的制造方法-CN201210505742.0在审
发明人：徐秋霞;许高博;周华杰;朱慧珑;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上限定P型MOSFET的有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层；在高K栅介质层上形成金属栅层；在金属栅层中注入掺杂离子；在金属栅层上形成多晶硅层；将多晶硅层、金属栅层、高K栅介质层和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；以及形成源/漏区。利用源/漏退火时使得金属栅中的掺杂离子在界面处堆积和生成合适极性的电偶极子，分别实现对P型MOSFET的金属栅有效功函数的调节。
mosfet 制造方法

[发明专利]N型MOSFET的制造方法-CN201210506466.X在审
发明人：徐秋霞;许高博;周华杰;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种N型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上限定N型MOSFET的有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层；在高K栅介质层上形成金属栅层；在金属栅层中注入掺杂离子；在金属栅层上形成多晶硅层；将多晶硅层、金属栅层、高K栅介质层和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；以及形成源/漏区。利用源/漏退火时使得金属栅中的掺杂离子在界面处堆积和生成合适极性的电偶极子，分别实现对N型MOSFET的金属栅有效功函数的调节。
mosfet 制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510465605.2有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：在第一区域衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，在第二区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层以及伪栅层，在第三区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层以及伪栅层；在衬底表面形成层间介质层；刻蚀去除第一区域、第二区域和第三区域的伪栅层；刻蚀去除第一区域的第一氧化层；对暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；刻蚀去除第二区域的第一阻挡层和第一氧化层；采用氧化工艺在第一区域衬底表面形成第二氧化层，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化层，且所述第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201811154668.6在审
发明人：康俊龙;成鑫华;郝艳霞;尹俊;聂广宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧化层；对栅氧化层表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；以及，对栅氧化层进行氘气退火工艺，以采用氘气退火工艺填补界面层的“悬挂”键，从而改善衬底与栅氧化层之间的界面层的“悬挂”键。
衬底半导体器件退火工艺栅氧化层界面层对栅氘气半导体半导体集成电路制造氧化层表面悬挂激光处理快速退火氧化层制造激光填补

[发明专利]倒梯形替代栅极及倒梯形金属栅电极的制作方法-CN201010292584.6有效
发明人：张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层、第一氮化层和氧化层；对所述氧化层进行刻蚀形成矩形沟槽，所述矩形沟槽底露出第一氮化层表面；沉积第二氮化层，所述第二氮化层覆盖矩形沟槽的底部、侧壁和所述氧化层；对所述第二氮化层和第一氮化层依次进行刻蚀形成倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽底露出栅氧化层表面；在所述倒梯形沟槽内形成倒梯形替代栅极；去除倒梯形替代栅极两侧的氧化层、第一氮化层和第二氮化层本发明还提供了一种倒梯形金属栅电极的制作方法。本发明能够形成理想形状的倒梯形替代栅极以及倒梯形金属栅电极。
梯形替代栅极金属电极制作方法

[发明专利]一种神经突触仿生器件及其制备方法-CN202310492962.2在审
发明人：祝心怡;朱颢;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该神经突触仿生器件包括：相互连接的写晶体管和读晶体管，所述写晶体管/读晶体管包括：背栅电极，形成在衬底中，上表面与衬底表面齐平；背栅介质层，覆盖所述衬底表面；异质氧化物薄膜叠层，形成在所述背栅介质层上，包括底层氧化物薄膜和顶层氧化物薄膜，底层氧化物薄膜与顶层氧化物薄膜界面间形成二维电子气沟道；源电极和漏电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层两侧，与二维电子气沟道相接触；顶栅电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层上；其中，写晶体管的漏电极与读晶体管的顶栅电极互连。
一种神经突触仿生器件及其制备方法

[发明专利]一种铅板栅表面原位生长三氧化铝和氧化铅陶瓷涂层的方法-CN201310689711.X有效
发明人：唐辉;王超;徐豹;陈磊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：发明公开了一种板栅表面原位生长三氧化铝和氧化铅陶瓷涂层的方法，利用碱液处理在铅栅板表面形成化学转化膜层，并将碱液处理后的铅栅板置于含铝酸钠的电解液中，铝酸钠水解形成的胶团会吸附在化学转化膜层的表面，形成完整的阻挡层微弧氧化过程中在铅板栅表面产生微等离子体放电，使铅栅板表面处于微等离子体的高温高压的作用下而发生复杂的物理化学变化，在铅栅板基体表面生长具有较好耐蚀性能的陶瓷涂层；经过测试，本发明可以得到的三氧化铝和氧化铅陶瓷涂层厚度为三氧化铝和氧化铅陶瓷涂层与基体即铅板栅结合良好，拉伸强度≥30MPa，剪切强度为15MPa～25MPa。
一种铅板表面原位生长氧化铝氧化铅陶瓷涂层方法

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