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[发明专利]虚拟场景切换方法、设备、存储介质及装置-CN202310821281.6在审
发明人：朱颢 -专利权人：中国移动通信集团江苏有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明涉及元宇宙技术领域，公开了一种虚拟场景切换方法、设备、存储介质及装置，该方法包括：在接收到虚拟场景切换请求时，获取用户的会员等级和用户对于虚拟场景切换的场景延迟感知，根据会员等级和场景延迟感知确定虚拟场景的切换策略，基于切换策略将用户的虚拟形象从当前虚拟场景切换至目标虚拟场景；由于本发明中基于用户的会员等级和用户对于虚拟场景切换的场景延迟感知设置了不同的切换策略，以适配不同场景中的认证机制和切换机制，从而能够优化虚拟场景切换流程，进而能够提升用户体验。
虚拟场景切换方法设备存储介质装置

[实用新型]一种门体开关结构及测试设备-CN202320462734.6有效
发明人：刘本强;吴海雯;宿博强;张鲁彬;朱颢 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： E05F15/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种门体开关结构及测试设备，门体用于打开和封闭设于设备前侧的开口，门体开关结构包括下门组件和上门组件，下门组件包括下门部和下门驱动部，下门驱动部用于驱动下门部朝远离和靠近开口的方向运动，上门组件设于下门部上，上门组件包括上门部和上门驱动部，上门驱动部用于驱动上门部上下运动，下门部和上门部在远离开口的位置处前后布置以将开口打开，上门部位于下门部在开口处上下布置以将开口关闭。本实用新型能够减少门体开关时间，满足测试设备流水线正前方作业的需求，产品取放更方便。
一种开关结构测试设备

[发明专利]基于拓扑绝缘体极化的非易失性存储器件及其制备方法-CN202111309860.X有效
发明人：张凯;朱颢;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-11-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种基于拓扑绝缘体极化的非易失性存储器件及其制备方法。该基于拓扑绝缘体极化的非易失性存储器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第一高K介质层/拓扑绝缘体层/第二高K介质层叠层，覆盖所述埋栅，其中，所述拓扑绝缘体层封装于两层高K介质层之间，且所述拓扑绝缘体层长度与所述埋栅长度相当；二维沟道层，形成在所述第二高K介质层上，完全覆盖所述拓扑绝缘体层；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，基于所述拓扑绝缘体层的极化反转实现非易失性存储。
基于拓扑绝缘体极化非易失性存储器及其制备方法

[发明专利]一种超高压输电线路故障监测和应急处置方法-CN202310496542.1有效
发明人：孙国图;朱颢;李彬;李建元;姜荣贵 -专利权人：山东恩光能源科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本发明涉及故障监测的技术领域，揭露了一种超高压输电线路故障监测和应急处置方法，包括：在后台服务器构建配电网络中输电塔站距离估计模型，得到配电网络中输电塔站分布距离网络；构建多因素输电线路长度修正模型对输电线路长度进行修正；构建输电线路故障修正模型；采集故障行波到达的时刻信息，并利用输电线路故障修正模型分析得到线路故障位置；利用关键点约束的快速路径规划算法对故障位置进行最优应急故障路径规划。本发明所述方法基于重力因素以及温度因素对估计得到的输电线路长度进行修正，实现输电线路长度的准确计算，基于修正后故障行波到达的具体时刻信息，实现输电线路具体故障位置的准确定位，并进行最优应急故障路径规划。
一种超高压输电线路故障监测应急处置方法

[发明专利]一种部分埋入式载流子存储层结构IGBT器件-CN202310437248.3在审
发明人：朱颢;王常昊;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种部分埋入式载流子存储层结构IGBT器件及其制备方法。该器件自下而上依次包括集电极，集电区，场阻止层，漂移区，基区，高掺杂的载流子存储层形成在基区中，沟槽栅贯穿基区和载流子存储层，发射区形成在基区上部，位于沟槽栅的两侧，发射极覆盖器件表面。
一种部分埋入载流子存储结构 igbt 器件

[发明专利]一种神经突触仿生器件及其制备方法-CN202310492962.2在审
发明人：祝心怡;朱颢;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种神经突触仿生器件及其制备方法。该神经突触仿生器件包括：相互连接的写晶体管和读晶体管，所述写晶体管/读晶体管包括：背栅电极，形成在衬底中，上表面与衬底表面齐平；背栅介质层，覆盖所述衬底表面；异质氧化物薄膜叠层，形成在所述背栅介质层上，包括底层氧化物薄膜和顶层氧化物薄膜，底层氧化物薄膜与顶层氧化物薄膜界面间形成二维电子气沟道；源电极和漏电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层两侧，与二维电子气沟道相接触；顶栅电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层上；其中，写晶体管的漏电极与读晶体管的顶栅电极互连。
一种神经突触仿生器件及其制备方法

[发明专利]一种具有自偏置pMOS的CSTBT及其制造方法-CN202310492965.6在审
发明人：朱颢;郭剑斌;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种具有自偏置pMOS的CSTBT及其制造方法。该具有自偏置pMOS的CSTBT自下而上依次包括金属集电极，P+集电区，N型场阻止层，N型漂移区，N型掺杂的载流子存储层和P阱区；沟槽栅和深槽发射极，贯穿P阱区和N型掺杂的载流子存储层，且深槽发射极形成在沟槽栅两侧；P型补偿层，分别形成在沟槽栅和深槽发射极的第一侧；P型埋层，分别形成在沟槽栅和深槽发射极的底部的外围区域；N+发射区和P+发射区，形成在P阱区上部，且位于沟槽栅和深槽发射极之间，P+发射区与P型补偿层相接；绝缘介质层，形成在沟槽栅和深槽发射极上方；金属发射极，覆盖绝缘介质层，N+发射区和P+发射区。有效解决了传统CSTBT的击穿电压小、导通功耗大、开关断损耗过高等问题。
一种具有偏置 pmos cstbt 及其制造方法

[发明专利]基于氧化物二维电子气晶体管的3D DRAM阵列及其制备方法-CN202310437227.1在审
发明人：祝心怡;朱颢;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于氧化物二维电子气晶体管的3D DRAM阵列及其制备方法。该方法包括以下步骤：形成以氧化物异质薄膜界面的二维电子气为沟道的氧化物二维电子气晶体管；将两个氧化物二维电子气晶体管分别作为写晶体管和读晶体管，互连形成2T0C DRAM单元；利用低K介质实现DRAM阵列的层间隔离，然后重复单层DRAM器件的工艺步骤进行DRAM阵列的堆叠；通过接触孔引出晶体管电极，通过通孔连接各层DRAM阵列的布线层，为堆叠的各层DRAM阵列提供电气连接，获得基于氧化物二维电子气晶体管的3D DRAM阵列。
基于氧化物二维电子晶体管 dram 阵列及其制备方法

[发明专利]基于氧化物二维电子气的非易失性存储器及其制备方法-CN202310437241.1在审
发明人：朱颢;祝心怡;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开一种基于氧化物二维电子气的非易失性存储器及其制备方法。该基于氧化物二维电子气的非易失性存储器包括：Si衬底；底层氧化物薄膜，形成在所述Si衬底上；栅介质叠层，自下而上依次包括隧穿氧化层，电荷俘获层和阻挡氧化层，形成在所述底层氧化物薄膜上，其中，隧穿氧化层与底层氧化物薄膜界面处形成有二维电子气沟道；栅电极，形成在所述栅介质叠层上；源/漏电极，分别形成在栅电极两侧，与栅介质叠层侧壁相接触。有效提高了存储器件的存储窗口和擦写速度，同时提高了器件的保持性和耐久性。
基于氧化物二维电子非易失性存储器及其制备方法

[实用新型]一种配电柜转运装置-CN202223351636.X有效
发明人：朱颢;姜荣贵;部先锋;魏德敏 -专利权人：山东恩光能源科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B65G13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种配电柜转运装置，包括两块对称设置的安装板，两块所述安装板的两端底部均构造安装有连接耳，设置于同一侧的两块所述连接耳之间居中旋转安装有转轴，所述转轴的外缘面上固定安装有驱动辊，所述驱动辊的外缘面上粘接固定有防滑垫一，所述转轴的一端延伸穿出连接耳并连接有固定安装于连接耳一侧的电动机，所述电动机的电机轴一端与转轴固定连接，两块所述安装板相向的一面底部等距可旋转安装有承载辊，所述承载辊的外缘面上粘接固定有防滑垫二，两块所述安装板相背的一面顶部均等距固定安装有电动伸缩杆一，该配电柜转运装置，结构合理，有利于降低搬运过程中的安全隐患，实用性强。
一种配电柜转运装置

[发明专利]一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法-CN202211628020.4在审
发明人：徐航;杨雅芬;朱颢;张卫 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P‑区，在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在顶层硅的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖除源极和漏极外的顶层硅表面。通过在N+区附近增加了浅p阱区，消除了由曲率效应引起的边缘击穿现象，同时保证了侧向PN+结发生雪崩倍增，实现了吸收区和倍增区分离。
一种基于 soi 结构雪崩光电二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种快速拆安的举升井架及其安装方法-CN202310059257.3在审
发明人：安杰;彭太锋;张振勇;金宗祥;刘爽;刘泽华;朱颢;王荣修;朱中平;肖渊 -专利权人：中石化四机石油机械有限公司;中石化石油机械股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B66C13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速拆安的举升井架，包括由下至上依次穿销连接的井架底段、井架下段、井架中段和井架上段，井架底段的下方设置有在竖直方向伸缩的举升油缸，举升油缸的活塞杆的顶端设置有用于连接井架下段、井架中段或井架上段的底端的平衡梁，井架底段顶部竖直设置有用于井架下段和井架中段导向的底部导轨，井架中段和井架下段的顶端一侧均布置有可分别与井架上段和井架中段底端的挂钩连接并实现井架中段和井架下段在水平方向转动的连接轴。本发明产生了提高井架安装效率、减少井架安装所需的占地面积、消除高空坠物的风险和避免井架各段之间磨损的效果。
一种快速井架及其安装方法

[发明专利]一种便捷搬迁平移的石油钻机及其安装方法-CN202211520457.6在审
发明人：王荣修;彭太锋;朱颢;陈学权;张振勇;安杰;刘爽 -专利权人：中石化四机石油机械有限公司;中石化石油机械股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E21B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种便捷搬迁平移的石油钻机，包括底座、井架、绞车、电控房、平移机构和起升系统；底座包括底座基座、底座立柱和钻台，底座基座包括底座前基座、底座中基座和底座后基座，井架底端铰接于底座中基座上，绞车和电控房布置于底座后基座上，电控房集成有绞车、转盘传动装置和顶驱的电控单元，钻台底部通过等长的底座立柱支撑于底座中基座上，底座立柱的两端均通过销轴铰接，井架、钻台和底座立柱均采用前倒放安装形式，底座前基座上设置有用于支撑倾斜状态的钻台和井架的支架，平移机构布置于底座基座的端头，并通过油缸与底座基座连接，底座上布置有通过缆绳起升井架的起升系统。本发明产生了提高钻机搬迁平移的效率和稳定性的效果。
一种便捷搬迁平移石油钻机及其安装方法

[发明专利]车辆控制系统和方法-CN201810569263.2有效
发明人：赵汗青;朱颢;翁雨键;曾杰瑜;王影 -专利权人：蔚来（安徽）控股有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B60R25/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种车辆控制系统和方法，属于车辆控制技术领域。本发明的车辆控制系统包括：接收感应模块，其设置于车辆，且用于接收来自设置于车辆用户服务终端的电子钥匙所发送的车门解锁信号；车辆控制模块，其设置于车辆，且基于所述车门解锁信号来打开车辆的至少一个车门；其中，所述车辆用户服务终端为所述车辆的车主以外他人所持有的终端。该系统在确保用户车辆安全性的前提下，不仅能够简化车辆用户服务终端持有者的工作、使得其明显提高工作效率，而且为车辆用户节省了时间、并提供极大的便利性。
车辆控制系统方法

[发明专利]一种雪崩光电二极管器件及其制备方法-CN202211627567.2在审
发明人：徐航;杨雅芬;朱颢;张卫 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
一种雪崩光电二极管器件及其制备方法

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