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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种NMOS器件及其制作方法-CN201410532290.4有效
发明人：王志强;康峰;张琨鹏;闵天圭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种NMOS器件及其制作方法，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区
一种 nmos 器件及其制作方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN201410323156.3有效
发明人：吴常明;刘世昌;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件，包括控制栅极结构、存储器栅极结构、电荷存储层、第一间隔件、第二间隔件、第一漏极/源极区以及第二漏极/源极区，其中，控制栅极结构位于衬底上方；存储器栅极结构位于衬底上方，其中，存储器栅极结构包括存储器栅电极和存储器栅极间隔件，并且存储器栅电极是L形结构；电荷存储层形成在控制栅极结构和存储器栅极结构之间；第一间隔件沿着存储器栅极结构的侧壁；第二间隔件位于存储器栅极结构的顶面上方；第一漏极/源极区形成在衬底中并且邻近存储器栅极结构；以及第二漏极/源极区形成在衬底中并且邻近控制栅极结构。
存储器件及其制造方法

[发明专利]一种硅基显示面板及制备方法-CN202010966305.3有效
发明人：冯亚青;王龙;闫岩;陆涵;史晓波;冯敏强;廖良生 -专利权人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该面板包括硅基衬底，衬底多个侧面上设置多个凹槽结构；设置于衬底上的多个呈阵列排布的像素单元；位于衬底一侧的栅极金属层，位于衬底一侧的源极金属层；栅极和源极驱动电路。本方案凹槽结构包括栅极及源级凹槽结构，栅极金属层包括多条栅极走线，源极金属层包括多条源极走线；在栅极凹槽结构内设置有栅极连接结构，在源极凹槽结构内设置有源极连接结构；然后栅极走线与栅极连接结构的第一端电连接；栅极驱动电路与栅极连接结构的第二端电连接；源极走线与源极连接机构的第一端电连接，源极驱动电路与源极连接结构的第二端电连接。如此通过凹槽结构内的连接结构实现了各栅极及源级走线的正常引出。
一种显示面板制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202111338518.2在审
发明人：郑英琪;黄郁仁;陈信宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件以及一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件包括基底以及栅极结构。基底具有沟槽。栅极结构设置于沟槽中，且包括遮蔽栅极、控制栅极、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。遮蔽栅极包括下部栅极以及上部栅极。下部栅极包括由多个电极组成的阶梯式结构，且多个电极中的一者的宽度随着越远离上部栅极而越小。上部栅极设置于下部栅极上，且上部栅极的宽度小于最靠近上部栅极的下部栅极中的电极的宽度。控制栅极设置于遮蔽栅极上。第一绝缘层设置于遮蔽栅极与基底之间。第二绝缘层设置于遮蔽栅极上，以将遮蔽栅极与控制栅极分隔。第三绝缘层设置于控制栅极与基底之间。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料-CN00805123.2无效
发明人： E·耶 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-11-07 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提出一种用于形成晶体管栅极结构(41，42)的方法。形成栅极氧化物层。在栅极氧化物层(41)上淀积栅极材料(42)。在栅极材料(42)上淀积氧氮化硅层(43)。蚀刻氧氮化硅层(43)、栅极材料(42)以及栅极氧化物层(41)以形成栅极结构(41，42)。在栅极结构(41，42)的顶部留有氧氮化硅区(43)。进行湿式化学处理以从栅极结构(41，42)的顶部去掉氧氮化硅区(43)。在完成湿式化学处理之后，在栅极结构(41，42)周围形成隔离物(61，62)。
栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氮化材料

[发明专利]MOSFET及其制造方法-CN201110322087.0有效
发明人：殷华湘;马小龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极侧墙结构两侧衬底中的源漏区，其特征在于：栅极侧墙结构包括第一栅极侧墙和第二栅极侧墙，第二栅极侧墙的材质为依照本发明的高应力MOSFET及其制造方法，采用高应力的DLC薄膜作为栅极侧墙，缩短了应力层与沟道区的距离，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。
mosfet 及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910438083.5有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构的每个在第一方向上延伸。第一栅极通孔设置在第一栅极结构上。第一栅极通孔具有第一尺寸。第二栅极通孔设置在第二栅极结构上。第二栅极通孔具有大于第一尺寸的第二尺寸。第三栅极通孔设置在第三栅极结构上。第三栅极通孔的第三尺寸小于第二尺寸但大于第一尺寸。第一源极接触件设置为邻近第一栅极通孔的第一侧。第一漏极接触件设置为邻近第一栅极通孔的与第一侧相对的第二侧。第二漏极接触件设置为邻近第三栅极通孔的第一侧。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201810844288.9在审
发明人：闵庚石;金东权;金哲;吴怜默;李正允;郑铉澔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端
栅极结构半导体器件栅极隔离源图案上表面图案绝缘填充集成度上端延伸衬底横越相交隔离

[发明专利]变容晶体管及其制造方法-CN201610512157.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该变容晶体管包括：具有第一导电类型的半导体鳍片；包绕半导体鳍片的一部分的彼此分离的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括：在半导体鳍片的边缘上的伪栅极结构、以及与伪栅极结构间隔开的第一栅极结构，每个栅极结构包括：在半导体鳍片的一部分表面上的栅极绝缘物层、在栅极绝缘物层上的栅极、以及用于栅极的间隔物；以及在半导体鳍片上且在伪栅极结构与第一栅极结构之间的抬升的源极或漏极；其中伪栅极结构所包括的栅极与抬升的源极或漏极电连接到相同电位
晶体管及其制造方法

[发明专利]栅极间隙壁、其形成方法及半导体装置-CN202210060076.8在审
发明人：程德恩;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露有关于一种栅极间隙壁、其形成方法及半导体装置，栅极间隙壁的形成方法包含以下步骤。形成鳍部于基材上。虚设栅极结构横跨鳍部。间隙壁层沉积于虚设栅极结构上。间隙壁层具有在虚设栅极结构的孔洞内的第一部分，以及在虚设栅极结构的孔洞外的第二部分。间隙壁层的第二部分被处理成具有不同于间隙壁层的第一部分的材料组成，且然后被蚀刻以形成于虚设栅极结构侧壁上的栅极间隙壁。对虚设栅极结构进行蚀刻制程，以形成栅极沟槽于栅极间隙壁之间。蚀刻制程以快于蚀刻栅极间隙壁的蚀刻速率蚀刻间隙壁层的第一部分。栅极结构形成于栅极沟槽内。
栅极间隙形成方法半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110180664.0在审
发明人：李寅烈;金柱然;金辰昱;朴柱勋;裵德汉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510393338.2有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该存储器包括存储单元，存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器及其制造方法

[实用新型]非易失性存储器-CN201520483612.0有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，其中堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910015643.6在审
发明人：张邦圣;尹煜峰;王朝勋;赵高毅;杨复凯;王美匀;张峰瑜;高承远;洪嘉阳;张家胜;孙书辉;谢志宏;潘昇良;郭国凭;吴少均 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。
金属栅极结构栅极电极导电层插塞部件氧化层栅极介电层金属元素顶表面

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110194028.3在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：根据本公开的半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构沿着方向对准，第一金属层设置在所述第一栅极结构上方，第二金属层设置在所述第二栅极结构上方，和栅极隔离结构在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间以及在所述第一金属层和所述第二金属层之间延伸
半导体器件及其形成方法

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