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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201711096653.4有效
发明人：全辉璨;裵德汉;申宪宗;张在兰;赵文祺;曹永宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的基板；在基板的第一区域上的单元栅图案；在基板的第二区域上的虚设栅图案；在基板的第二区域上且在虚设栅图案之上的电阻器图案；以及联接到每个连接区的连接结构。电阻器图案包括主体区和在主体区的两侧的连接区。当在平面图中看时，虚设栅图案交叠主体区而不交叠连接区。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201810295185.1有效
发明人： 裵德汉;李炯宗;金炫珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。
半导体器件

[发明专利]包括栅接触部的集成电路器件-CN202211566542.6在审
发明人：郑润永;裵德汉;朴柱勋;李宥利;洪秀姸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：衬底，包括器件区和场区；有源区，在器件区中沿第一方向延伸；第一栅结构，在器件区和场区中沿与第一方向相交的第二方向延伸；第二栅结构，在第一方向上与第一栅结构间隔开；第一栅接触部，在器件区中设置在第一栅结构上；以及第二栅接触部，在场区中设置在第二栅结构上，其中，第一栅接触部和第二栅接触部设置在比第一栅结构的上端低的水平处，并且其中，第一栅接触部的第一最小宽度和第二栅接触部的第二最小宽度彼此不同。
包括接触集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN201811324302.9有效
发明人： 裵德汉;罗炫旭;李炯宗;朴柱勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，包括有源图案；器件隔离层，填充一对相邻的有源图案之间的沟槽；栅极电极，在有源图案上；以及栅极接触，在栅极电极上。每个有源图案包括在栅极电极的相反两侧的源极/漏极图案。栅极接触包括第一部分以及第二部分，第一部分与栅极电极竖直地交叠，第二部分从第一部分横向地延伸以使得第二部分与器件隔离层竖直交叠而不与栅极电极竖直交叠。第二部分的底表面相对于第一部分的底表面在基板的远端。第二部分的底表面相对于邻近第二部分的源极/漏极图案的顶部在基板的远端。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210149711.X在审
发明人： 裵德汉;朴柱勳;严命允;李留利;李寅烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202110766100.5在审
发明人：李寅烈;郑润永;金辰昱;裵德汉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极间隔物，沿着栅电极的侧壁在第二方向上延伸；层间绝缘层，接触栅极间隔物的侧壁；沟槽，在层间绝缘层中形成在栅电极上；第一覆盖图案，沿着沟槽的侧壁提供，第一覆盖图案的至少一个侧壁具有倾斜的轮廓；以及第二覆盖图案，在沟槽中提供在第一覆盖图案上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201610223619.8有效
发明人：朴秀蕙;金伦楷;裵德汉;张在兰;全辉璨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。
半导体器件制造方法

[发明专利]集成电路器件及制造集成电路器件的方法-CN202110397525.3在审
发明人： 裵德汉;金盛民;朴柱勋;李留利;郑润永;洪秀妍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，连接到所述源/漏区。所述源/漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源/漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。
集成电路器件制造方法

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202110850759.9在审
发明人：朴秀蕙;金伦楷;裵德汉;张在兰;全辉璨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。
半导体器件制造方法

[发明专利]集成电路器件-CN202110243878.8在审
发明人： 裵德汉;朴柱勋;严命允;张光勇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，在衬底上沿第一水平方向延伸；栅极线，在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸；第一和第二源极/漏极区域，布置在鳍型有源区域上；第一源极/漏极接触图案，连接到第一源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有第一高度的第一区段；第二源极/漏极接触图案，连接到第二源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有小于第一高度的第二高度的第二区段；以及绝缘盖线，在栅极线上沿第二水平方向延伸并包括在第一区段与第二区段之间的不对称盖部分，该不对称盖部分具有在第一水平方向上的可变厚度。
集成电路器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110180664.0在审
发明人：李寅烈;金柱然;金辰昱;朴柱勋;裵德汉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201510395337.1有效
发明人：全辉璨;裵德汉;宋炫升;河承锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及一种制造包括场效应晶体管的具有改善的电特性半导体器件。根据本公开的实施方式，自对准接触插塞可以利用设置在栅部分上的金属硬掩模部分有效地形成。另外，用于形成自对准接触插塞的光致抗蚀剂掩模的工艺裕度可以通过利用金属硬掩模部分而得以改善。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910747076.3在审
发明人： 裵德汉;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。根据示例实施例，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比栅电极层的上表面低的高度处。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件-CN201811337662.2在审
发明人： 裵德汉;金商瑛;柳炳赞;俞宗昊;D-U.全 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。
集成电路器件栅极结构基板图案源极/漏极区域倾斜侧表面延伸源区域鳍型电连接上表面平行垂直

[发明专利]半导体器件-CN201810347421.X在审
发明人：金商瑛;李炯宗;裵德汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；第一栅极结构，其跨越第一有源图案和第二有源图案延伸；第二栅极结构，其与第一栅极结构间隔开；以及节点接触，其在第一栅极结构与第二栅极结构之间，将第一有源图案和第二有源图案彼此电连接。节点接触包括与第一有源图案相邻的第一端和与第二有源图案相邻的第二端。节点接触的第二端在第一方向上相对于节点接触的第一端偏移，从而距离第二栅极结构比距离第一栅极结构更近。
源图案栅极结构节点接触半导体器件第一端电连接偏移延伸衬底

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