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[发明专利]非接触式晶圆退火装置及其退火方法-CN201610937787.3有效
发明人：杨翠柏;杨光辉;陈丙振;方聪 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式晶圆退火装置及其退火方法，所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头及控制器，其中，气浮载台均匀密布多个气孔，气体从所述气孔通入，形成气垫，支撑所述晶圆；光源设置在晶圆的正上方，通过辐射对晶圆进行加热；红外测温探头设置在气浮载台正下方，通过设置在气浮载台直径处的测温孔测量晶圆温度；控制器与红外测温探头相连。采用本发明操作简便，退火温度均匀，测量精度高，能够避免晶圆损伤且在不损伤晶圆已成型的正面及边缘的同时可以对晶圆背面进行退火，且能实现自动化操作。
接触式晶圆退火装置及其方法

[实用新型]非接触式晶圆退火装置-CN201621164041.5有效
发明人：杨翠柏;杨光辉;陈丙振;方聪 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非接触式晶圆退火装置，所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头及控制器，其中，气浮载台均匀密布多个气孔，气体从所述气孔通入，形成气垫，支撑所述晶圆；光源设置在晶圆的正上方，通过辐射对晶圆进行加热；红外测温探头设置在气浮载台正下方，通过设置在气浮载台直径处的测温孔测量晶圆温度；控制器与红外测温探头相连。采用本实用新型操作简便，退火温度均匀，测量精度高，能够避免晶圆损伤且在不损伤晶圆已成型的正面及边缘的同时可以对晶圆背面进行退火，且能实现自动化操作。
接触式晶圆退火装置

[发明专利]一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板-CN202110198203.6在审
发明人：吴诗嫣;刘军 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶相结构的判断方法，所述方法包括：提供晶相标定模板，所述晶相标定模板包括N个同心的晶相标定圆，不同所述晶相标定圆用于标定不同晶面间距的晶相结构；其中，N为大于或等于1的正整数；获取待判断样品的晶格衍射图像；将所述晶相标定模板放置在所述待判断样品的晶格衍射图像上，并使所述N个同心的晶相标定圆的圆心与所述晶格衍射图像的中心重合；基于所述晶格衍射图像中的衍射光斑与所述晶相标定圆的相对位置关系，确定所述待判断样品的晶相结构
一种结构判断方法标定模板

[发明专利]环管式低压化学气相沉淀腔-CN201610885384.9在审
发明人：吕耀安 -专利权人：无锡宏纳科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种环管式低压化学气相沉淀腔，包括腔体，所述腔体中内置有导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构，所述导气结构为一环形腔套，所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的导气管，所述支撑结构包括一支撑轴，所述支撑轴轴向设置于所述环形腔套中，支撑轴的周壁上借助卡夹夹持晶圆，所述导气管置于相邻的晶圆之间。本发明采用环状形的导气结构及置于该导气结构中的支撑轴，支撑轴采用放射方式固定晶圆，大大降低晶圆的支撑体积，减小整个沉淀腔的体积，并提高反应气体与晶圆的接触均匀度。
环管式低压化学沉淀

[实用新型]利用废气热能增温操作气体的反应炉-CN202023141200.9有效
发明人：吴铭钦;刘峰 -专利权人：苏州雨竹机电有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型为一种利用废气热能增温操作气体的反应炉，适用于气相沉积反应的技术，反应炉包括一反应腔内设有一晶圆承载装置，及一废气汇集环提供环设于反应腔的侧壁。一气体输送管沿着废气汇集环设置，气体输送管连通操作气体供给单元及晶圆承载装置，以输送操作气体供给单元提供的操作气体至晶圆承载装置，以驱动晶圆承载装置转动晶圆。由于气体输送管沿着废气汇集环设置，使操作气体能吸收废气汇集环中高温废气的热能，以产生与反应炉反应温差较小的操作气体，从而降低操作气体对于反应炉温度的影响，维持制作晶圆的品质。
利用废气热能增温操作气体反应炉

[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及工艺-CN202111178509.1在审
发明人：黄俊凯;程然;何赛灵 -专利权人：深圳市德金元科技有限公司
申请日： 2021-10-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及工艺，属于半导体技术领域。晶圆级芯片封装结构及工艺包括，将光刻胶均匀涂布在所述第一芯片的钝化层上，经热盘软烤定型成膜，通过曝光‑显影方式，利用显影液暴露第一焊盘，然后通过物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、溅射、电镀、化学镀或者植球工艺中的至少一种制备得到金属凸块本发明结合晶圆级芯片封装与系统集成方法相结合的优势，减小封装结构的面积、降低制造成本、提高了晶圆级芯片封装结构及工艺的良率。
一种晶圆级芯片封装结构工艺

[发明专利]浮栅的制作方法和分裂栅闪存-CN201810882364.5有效
发明人：黄冲;李志国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供浮栅的制作方法和分裂栅闪存，该方法包括建立样本：在炉管中采用低压化学气相淀积工艺在晶圆上生长多晶硅，并对该多晶硅进行相同剂量的离子注入作为浮栅，采集炉管中各位置的晶圆形成闪存器件后在高电平时的沟道电流值，建立晶圆在炉管中各位置对应的样本沟道电流值；离子注入剂量调配：在炉管中采用低压化学气相淀积工艺在后续批次晶圆上生长多晶硅浮栅时，根据炉管中各位置样本沟道电流值调整后续批次晶圆在炉管中各位置的离子注入剂量，以使后续批次晶圆在炉管中各位置生长的浮栅在形成闪存器件时，具有一致性稳定的沟道电流值。
制作方法分裂闪存

[实用新型]晶圆盒载运系统-CN201721370897.2有效
发明人：郑吉宸;叶秀珢 -专利权人：华景电通股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆盒载运系统。所述系统包含承载装置及气帘装置，所述承载装置包含平台、充气模块及控制模块，所述平台用以设置晶圆盒，所述充气模块用以对设置于平台上的晶圆盒进行充气作业，所述控制模块电性连接充气模块，气帘装置邻近于平台设置，气帘装置电性连接控制模块，控制模块能控制气帘装置的启闭，气帘装置被启动时，其能对设置于平台的晶圆盒的一活动门所处位置进行吹气，控制模块能在设置于平台的晶圆盒的活动门被开启时，控制气帘装置动作，以对晶圆盒原设置有活动门的位置进行吹气本实用新型的应用，可有效的避免晶圆盒内部空间受外部环境的影响。
晶圆盒气帘装置控制模块充气模块活动门本实用新型承载装置载运系统吹气电性连接控制充气作业电性连接平台设置所处位置外部环境启动时启闭圆盒种晶邻近应用

[发明专利]晶圆化学气相淀积反应装置-CN201610885352.9在审
发明人：吕耀安 -专利权人：无锡宏纳科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆化学气相淀积反应装置，包括腔体，所述腔体中内置有导气管及用于支撑晶圆的支撑架，所述腔体的内腔包括上部的反应腔及下部的增压腔，所述导气管及支撑架位于所述反应腔中，支撑架包括一固定杆及安装于固定杆上端的夹头，晶圆安装于夹头中；所述导气管位于所述晶圆的下方并与所述增压腔连通，所述增压腔与腔体外的增压泵连接。
化学气相淀积反应装置

[发明专利]硅晶圆表面凹槽的填平方法-CN202211180066.4在审
发明人：李天成;叶武阳;刘佳晶;孙宣;刘耀聪 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶圆表面凹槽的填平方法，包括如下步骤，S1、通过化学气相沉积的方法在硅晶圆上沉积一层阻挡层；S2、在硅晶圆上沉积一层填充层；S3、采用化学机械研磨的方法，控制研磨温度在30°‑40°之间，利用研磨液，对硅晶圆表面除凹槽内部之外的填充层进行抛磨，由阻挡层保护硅晶圆；S4、不断地重复步骤S2与步骤S3，直到凹槽内部被阻挡层与填充层填满；S5、采用干法刻蚀，将阻挡层与多余的填充层去除。通过采用高选择比的研磨液，在填充凹槽时，不受晶圆尺寸的限制并且晶圆中心部分和边缘部分的均匀性也能得到控制。
硅晶圆表面凹槽填平方法

[发明专利]气相沉积设备及其加热器-CN202211100831.7在审
发明人：周仁;荒见淳一;安超;柴智;侯彬 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请公开了气相沉积设备及其加热器。加热器具有加热平面，加热平面上设置有至少三个阻挡件，至少三个阻挡件在加热平面上间隔设置，至少三个阻挡件在加热平面上围设有容纳区域，容纳区域用于容纳晶圆。通过上述方式，本申请能够提高晶圆镀膜的质量。
沉积设备及其加热器

[实用新型]晶圆取放手臂机构-CN201120308117.8有效
发明人：林连生;洪俊豪 -专利权人：新群科技股份有限公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型是一种晶圆取放手臂机构，主要是在一手臂本体上设置一软质弹性体，该手臂本体内部设有连接真空源的第一气道，该软质弹性体内部设有与该第一气道相通的第二气道，软质弹性体具有一接触端用以承载一晶圆；当对该第一气道及该第二气道抽真空，该接触端可随晶圆表面幅度产生变形，而服贴于该晶圆表面；藉由软质弹性体的变形能力以及做为手臂本体与晶圆间的介质，可避免在抽真空过程中，晶圆与手臂本体产生挤压而导致晶圆破片。
晶圆取放手臂机构

[发明专利]一种晶圆键合方法及晶圆键合结构-CN202310890090.5在审
发明人：王新龙 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法及晶圆键合结构。键合方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆的键合面形成第一键合环层；提供第二晶圆，在第二晶圆的键合面形成第二键合环层，该第二键合环层与第一键合环层相对应；在第二晶圆的第二键合环层内形成第一凹腔；形成贯穿至少一个晶圆的气路通道，该气路通道位于晶圆的非功能器件区；键合并形成键合环。键合结构包括第一晶圆、第二晶圆、第一凹腔、气路通道和键合环。本发明与传统器件相比，通过在晶圆上形成气路通道，使得在抽真空和回填气体时，气体交换更加充分，真空度更接近真值且均匀性更好，回填气体更纯，封装气压能做到更低，提高了器件的性能。
一种晶圆键合方法结构

[发明专利]晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法-CN202210771732.5有效
发明人：史仁先;王国峰 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法，用于使晶圆在晶圆载具上生长氮化硅介质膜，晶圆载具包括：底座，底座内设置有间隔分布的多个容置槽，容置槽用于承载晶圆；以及盖体，盖体盖合于底座，盖体和底座盖合后形成用于容纳晶圆的腔体，盖体上开设有与多个容置槽分别对应的多个进气槽，腔体内通过进气槽通入硅烷和氨气的混合气体，进气槽沿其对应晶圆的周向方向延伸。本申请提供的晶圆载具，在晶圆上生长氮化硅介质膜的时候，设置了可以盖合的底座和盖体，在底座和盖体之间的腔体放置晶圆，使得晶圆载具较为密闭，颗粒度容易控制，另外，由于进气槽沿其对应晶圆的周向方向延伸，提升了均匀性
晶圆载具氮化介质制备方法

[发明专利]一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法-CN201610355204.6有效
发明人：冯奇艳;许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合
一种优化 cmos 图像传感器边缘缺陷方法

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