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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体装置-CN202210551680.0有效
  • 周仁;杨德赞;吴飚;荒见淳一 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-05-18 - 2023-10-20 - C23C16/455
  • 本公开涉及一种半导体装置。在各实施例中，一种半导体装置包括：第一基座，其具有正表面和背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第一分流通道及第一通孔；第二基座，其连接至第一基座的背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第二分流通道及第二通孔；以及基座盖板，其连接至第一基座的正表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第三分流通道及第三通孔，基座盖板经由第一主进气通道接收第一气体且经由第二主进气通道接收第二气体，其中第一气体和第二气体经由第一通孔和第三通孔输送至第一基座的正表面，且第一气体和第二气体经由第一通孔和第二通孔输送至第一基座的背表面。
  • 一种半导体装置
  • [发明专利]半导体多站处理腔体-CN201811581220.2有效
  • 谭华强;周仁;吕光泉;张孝勇;李晶;荒见淳一;金基烈;申思;刘忠武;王卓 - 拓荆科技股份有限公司
  • 2018-12-24 - 2023-09-26 - H01L21/67
  • 本发明揭露一种半导体多站处理腔体，其中每一站包含：由多个壁所定义的一下沉空间，其提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个内壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件包含一喷淋板，该喷淋板与该上盖之间形成用于提供吹扫气体的一第二间隙；及一隔离组件，可升降于该下沉空间与该覆盖组件之间，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的处理区或退回下沉空间中。当该隔离组件包围该处理区时，该站与相邻的另一站形成结构上的隔离。
  • 半导体处理
  • [发明专利]一种加热盘的温度控制方法、加热盘及半导体设备-CN202310836191.4在审
  • 荒见淳一 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-09-01 - G05D23/20
  • 本申请提供一种加热盘的温度控制方法、加热盘及半导体设备，加热盘包括多个调温区域，调温区域包括金属回路。方法包括：在工艺过程中的多个第一固定时间段对每个调温区域进行多次温度采样，以及在工艺结束后的第二固定时间段对每个调温区域进行温度采样，得到每个调温区域的多个采样温度值。将采样温度值和设定温度值进行计算分析，得到每个调温区域的校正温度值。获取每个调温区域的校正温度值和实施校正温度值时金属回路的电流值的对应关系，这样就可以根据对应关系以及实施校正温度值时金属回路的电流值控制每个调温区域的实际温度值。施加校正温度值后得到的实际温度值趋近设定温度值，实现对加热盘每个调温区域的温度准确控制。
  • 一种加热温度控制方法半导体设备
  • [发明专利]真空吸附系统及方法-CN202111579411.7在审
  • 张亚新;荒见淳一 - 拓荆科技股份有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-07-04 - H01L21/683
  • 本申请涉及一种真空吸附系统及方法。该真空吸附系统用于吸附及释放位于反应腔室内的、真空吸附式加热器的承载表面上的晶圆，反应腔室具有抽气口，真空吸附式加热器具有通气口。该真空吸附系统包括：第一管路，其用于将反应腔室的抽气口与真空泵流体耦合；第二管路，其用于将真空吸附式加热器的通气口与真空泵流体耦合；及第三管路，其连接至第二管路且用于将来自气体源的气体供应到该真空吸附系统。利用该真空吸附系统吸附晶圆时，在吸附及释放晶圆的过程中，均可方便地调节加热器内部的吸附管路中的气压，从而调节晶圆背面与正面的压力差，有利于提高作业效率。
  • 真空吸附系统方法
  • [发明专利]真空吸附式加热器-CN202111579514.3在审
  • 张亚新;荒见淳一 - 拓荆科技股份有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-07-04 - H01L21/67
  • 本申请涉及一种真空吸附式加热器，其包括：加热盘，加热盘包括大体为盘状的主体，主体具有用于承载晶圆的上表面且进一步包括：自上表面向下延伸的多个凹槽，多个凹槽中的至少一部分凹槽彼此流体连通；一或多个通孔，其与所述多个凹槽中的至少一者流体连通；以及位于上表面上的多个凸点，其用于支撑所述晶圆。该加热器能够使得放置于承载表面上的晶圆与承载表面之间形成均匀的点接触，因而在操作过程中不仅能够有效地吸附晶圆，防止晶圆在加热器承载表面上发生移动，而且使得整个晶圆均匀受热，因而提高了晶圆的产品质量。
  • 真空吸附加热器
  • [发明专利]处理设备和晶圆处理方法-CN202310167005.2在审
  • 周仁;荒见淳一;安超;柴智 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-06-06 - H01J37/32
  • 本申请公开了一种处理设备和晶圆处理方法。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通。安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道，封闭处理腔。通过上述方式，本申请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。
  • 处理设备方法
  • [发明专利]气体流量校准装置及方法-CN202310036683.5在审
  • 荒见淳一 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-04-11 - C23C16/52
  • 本公开涉及一种气体流量校准装置及方法。在一实施例中，气体压力校准装置包括：一或多个处理腔室，一或多个处理腔室中的每一者包含一或多条输气管路，其中一或多条输气管路中的每一者包含计量阀；主进气管路，其连接至一或多条输气管路中的每一者；流量控制线，其串联连接至主进气管路；以及校准线，其并联连接至流量控制线，且经配置以校准一或多条输气管路中的每一者的气体流量。
  • 气体流量校准装置方法
  • [发明专利]一种桨杆-CN202210204132.0有效
  • 荒见淳一;毛文瑞;严大 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-03-14 - B63H16/04
  • 本发明提供了一种桨杆，包括：固定段、连接段和支撑段；连接段设置于固定段，支撑段设置于连接段远离固定段的一侧；支撑段设有镂空部和凹槽，镂空部沿支撑段延伸的方向设置。本发明的桨杆通过设置连接段对支撑段和固定段进行连接，降低支撑段与固定段连接处的脆性，提升桨杆的负载能力。通过将镂空部沿支撑段延伸的方向设置，能够降低支撑段的整体重量，降低自重对固定段的影响，保证桨杆的负载能力。由于支撑段的支点位于固定端，在支撑段承载待加工半导体时，支撑段承重或受热时会发生变形，通过在支撑段设置凹槽，能够在支撑段发生变形时提供支撑段分子结构的变形空间，降低支撑段内部的应力，能够提升桨杆的负载能力。
  • 一种
  • [发明专利]原子层沉积设备及其方法-CN202211483957.7在审
  • 荒见淳一 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-10 - F17D3/01
  • 本申请实施例涉及一种原子层沉积设备及其方法。该原子层沉积设备包含：沉积腔室，其经配置以容纳待沉积的半导体晶片；气体控制组件，其经由第一输出端口将第一源供应到沉积腔室；以及第二源控制组件，其连接到沉积腔室以将第二源供应到沉积腔室。与现有技术相比，本申请提供的一种原子层沉积设备及其方法，不仅减少了腔室内的气压波动过大且不稳定的问题，同时还可以有效去除阀体组件的死区、确保其良好的应答性以及较大的流量值。
  • 原子沉积设备及其方法
  • [发明专利]镀膜设备及其控制方法-CN202211391978.6在审
  • 荒见淳一;许所昌;黎微明;李翔;吴飚 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-02-03 - C23C16/44
  • 本申请涉及一种镀膜设备及其控制方法，包括反应腔和抽气系统，反应腔具有排气部，抽气系统包括排气管阀组件、第一泵体及第二泵体，第一泵体的入口侧和第二泵体的入口均经由排气管阀组件连接至排气部，第一泵体的出口侧连通大气，其中，第二泵体的真空度大于第一泵体的真空度，且第二泵体的出口侧经由排气管阀组件连接至第一泵体的入口侧。本申请通过第二泵体能够实现较高真空度的要求，强化反应腔内挥发性有机物质、湿气等杂质的抽离，提高反应腔的洁净度，减小薄膜中的杂质含量，提高所制备的薄膜质量。同时，第一泵体的设置不仅可以降低第二泵体的负载、且进行预抽气，提高第二泵体的使用寿命，避免第二泵体过载而影响抽真空。
  • 镀膜设备及其控制方法
  • [实用新型]一种气体分配装置-CN202221216309.0有效
  • 杨德赞;周仁;荒见淳一;吴飚 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-05-18 - 2023-01-24 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及一种气体分配装置。在各实施例中，一种装置包括：第一喷淋板，其经配置以输入第一反应气体和第二反应气体；第一匀气板，其经配置以将所述第二反应气体分配至第二气体第一分配区以及与所述第二气体第一分配区连通的第二气体第二分配区；第二匀气板，其经配置以将所述第一反应气体分配至第一气体第一分配区以及与所述第一气体第一分配区连通的第一气体第二分配区；以及第二喷淋板，其经配置以输出所述第一反应气体和所述第二反应气体。
  • 一种气体分配装置
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