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[实用新型]化学气相沉积系统-CN202222595527.6有效
发明人：刘丹增 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种化学气相沉积系统，包括主机台和驱动机台，所述主机台用以进行化学气相沉积，所述驱动机台用以移动晶圆至所述主机台。所述化学气相沉积系统还包括晶圆承载腔室以及加热装置。所述晶圆承载腔室用以容置晶圆，且所述加热装置用以加热所述晶圆承载腔室，从而防止位于所述晶圆承载腔室内的晶圆的表面凝结。本申请通过对化学气相沉积系统上层晶圆承载腔室增加加热装置，能够大幅改善晶圆表面凝结产生的缺陷问题。
化学沉积系统

[发明专利]化学气相沉积的预处理方法-CN200810041181.7有效
发明人：翟志刚;陈彤;李瑞秋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种化学气相沉积的预处理方法，用于挡片晶圆与产品晶圆的同步化学气相沉积，主要步骤在于：对表面薄膜成分与产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜成分不相同的挡片晶圆表面沉积一层与产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜成分相同的薄膜通过使用本发明所提供的预处理方法，能减小不同批次产品晶圆的化学气相沉积薄膜的厚度差异，提高产品的制程能力指数。
化学沉积预处理方法

[发明专利]化学气相沉积设备保养后复机方法-CN201310261364.0在审
发明人：沈建飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种化学气相沉积设备保养后复机方法，包括：将虚拟晶圆放入所述化学气相沉积设备的反应腔中；对所述虚拟晶圆淀积一硅层；对所述虚拟晶圆淀积一锗化硅层。采用本发明的化学气相沉积设备保养后复机方法，在进行正常的工艺沉积时，即在所述化学气相沉积设备中放入产品晶圆，在所述产品晶圆上淀积锗薄膜或锗化硅薄膜时，可以降低所述化学气相沉积设备中剥落缺陷的发生，使得化学气相沉积设备中的微粒处于可控范围
化学沉积设备保养复机方法

[发明专利]一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法-CN201810503740.5有效
发明人：谢素兰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法，涉及半导体制造工艺技术领域。所述化学气相淀积机台包括基座和传送装置，所述传送装置用于带动一晶圆朝靠近或远离所述基座的方向运动，以使所述晶圆靠近所述基座并在所述基座上进行成膜反应，或使所述晶圆远离所述基座。当机台触发报警时，所述化学气相淀积机台暂停工作，所述传送装置将晶圆抬起，使晶圆和基座保持分离；解除报警，所述传送装置将晶圆传回基座上，化学气相淀积机台恢复工作。所述化学气相淀积机台及处理机台报警的方法可防止机台触发报警后，高温基座继续加热晶圆，防止反应腔内的残留气体在晶圆表面进行成核反应，逐渐形成缺陷，最终导致晶圆报废。
一种化学气相淀积机台处理报警方法

[发明专利]改善气液两相雾化清洗均匀性的装置和方法-CN201610623802.7有效
发明人：滕宇 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善气液两相雾化清洗均匀性的装置和方法，根据气液两相雾化清洗喷嘴在晶圆表面的位置变化信息，通过改变气体和/或液体清洗介质的流量，并使气体和/或液体清洗介质的流量从晶圆中心到晶圆边缘逐渐减小，在晶圆表面的清洗液膜由晶圆中心向晶圆边缘逐渐变薄状态下，可实现从气液两相雾化清洗喷嘴喷射的气液两相雾化清洗介质微液滴在整个晶圆表面范围内形成相同大小的物理作用力，可提高气液两相雾化清洗的均匀性，改善工艺效果
改善两相雾化清洗均匀装置方法

[发明专利]加工半导体结构的装置-CN201410513602.7有效
发明人：金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明揭示了一种加工半导体结构的装置，包括第一机械手、晶圆缓存台、第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔、清洗腔、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔。第一机械手在晶圆缓存台、预加热腔及后冷却腔之间传送晶圆；晶圆缓存台放置晶圆；第二机械手在晶圆缓存台、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔之间传送晶圆；膜厚测量装置寻找晶圆上的缺口并测量晶圆上金属层的厚度；电化学抛光腔电化学抛光晶圆；清洗腔清洗和干燥晶圆；预加热腔加热晶圆；第三机械手在预加热腔、干法气相刻蚀腔及后冷却腔之间传送晶圆；干法气相刻蚀腔干法气相刻蚀晶圆；后冷却腔冷却晶圆。
加工半导体结构装置

[发明专利]一种晶圆传送装置、气相沉积系统及使用方法-CN202110868458.9在审
发明人：沈捷;袁群艺 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆传送装置、气相沉积系统及使用方法，所述晶圆传送装置，用于气相沉积设备中晶圆和晶圆托盘的移动，包括：晶圆盒组，与气相沉积设备的负载锁定腔室相对设置，用于存储晶圆；托盘台，用于承载晶圆托盘；第一传送机构，用于将晶圆托盘在托盘台和负载锁定腔室之间进行传送；第二传送机构，用于从晶圆托盘上将沉积后晶圆取出；第三传送机构，其包括承载臂，用于将沉积后晶圆放入晶圆盒组以及将未沉积晶圆从晶圆盒组中取出；夹持臂，用于将未沉积晶圆放入晶圆托盘中。本发明既可以实现晶圆传输的自动化，又可以避免未沉积的晶圆上表面被接触污染，极大提高了晶圆的传输效率及晶圆上表面的洁净度。
一种传送装置沉积系统使用方法

[发明专利]降低复晶硅层的反射率的方法-CN02129780.0无效
发明人：李世达 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2002-08-13 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种降低复晶硅层的反射率的方法，首先提供一半导体基底；接着，将半导体基底放置于单一晶圆式化学气相沉积的反应器；然后，导入含硅气体于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，在半导体基底的表面形成复晶硅层；导入氢气于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，以调整复晶硅层上表面的晶粒尺寸；导入氧气于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，在复晶硅层上方形成二氧化硅薄膜。具有降低复晶硅层的反射率的功效。
降低复晶硅层反射率方法

[发明专利]针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法-CN201510375630.1有效
发明人：范荣伟;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法。针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔包括封闭真空腔室、安装在所述封闭真空腔室的侧壁上的等离子体喷头、用于对所述等离子体喷头进行供电的电源、布置在所述封闭真空腔室内用于加热晶圆的加热板、以及布置在所述封闭真空腔室内的等离子体挡板在晶圆被布置在所述加热板上的状态下，所述等离子体挡板遮挡晶圆而仅仅暴露晶圆的晶圆边缘。
针对晶圆晶边化学沉积工艺方法

[发明专利]一种薄膜沉积方法和沉积薄膜-CN201710662220.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：载入承载有晶圆的晶舟至低压化学气相沉积炉内；预先加热晶圆，对低压化学气相沉积炉进行第一升温操作，在预热升温斜率下达到第一反应温度；形成薄膜于晶圆上，包含在低压化学气相沉积炉内导入反应气体、进行化学反应并沉积在晶圆的基板表面，在沉积过程时，对低压化学气相沉积炉内的温度进行在緩升/降温斜率下至少一段的緩升/降温反应操作，以使薄膜在晶圆上的中央区域与周边区域具有一致的沉积厚度；及在冷却降温斜率下冷却晶圆本发明通过控制沉积过程中缓升/降温斜率，可改变晶圆从中央区域到周边区域的薄膜厚度差，改善晶圆表面的平坦度和均匀度，从而形成具有良好平坦度和均匀度的沉积薄膜。
一种薄膜沉积方法

[发明专利]一种改善薄膜缺陷的方法-CN201911364401.4在审
发明人：米魁;程刘锁 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善薄膜缺陷的方法，包括：将气相物传输至反应腔中的晶圆表面；气相物发生化学反应后形成反应分子；反应分子吸附在所述晶圆表面，并在晶圆表面成核逐步变大淀积成薄膜；淀积完成后，将气态副产物抽离反应腔；对晶圆表面进行NH3等离子体处理以减少晶圆表面缺陷产生。本发明对化学气相沉淀完成后以N2作为载气通入NH3等离子体，对晶圆表面进行处理用以中和悬挂键，可以明显减少氮化硅缺陷数量，提高产品良率。
一种改善薄膜缺陷方法

[发明专利]化学气相沉积装置及化学气象沉积方法-CN202110397430.1在审
发明人：蒋镇宪;白国斌;高建峰;王桂磊;丁明正;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置及化学气象沉积方法，其中化学气相沉积装置包括：供气头、载件和机箱；载件位于机箱内，载件用于承托晶圆，载件位于供气头朝向沉积方向的一侧，供气头朝向沉积方向的表面开设有喷射口，供气头用于通过喷射口向载件喷射反应气体，以对载件所承托的晶圆进行化学气相沉积；供气头朝向沉积方向的一端的外围周侧套接有保护套，喷射口位于保护套内；保护套的内壁与供气头朝向沉积方向的表面形成一反应凹槽；在供气头对载件上的晶圆进行化学气相沉积时，载件用于承托晶圆的一端位于反应凹槽内，载件与保护套间隙配合。本发明能够提高晶圆化学气相沉积的均匀性，进而提高晶圆的质量。
化学沉积装置气象方法

[发明专利]化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备-CN202310761233.2在审
发明人：厉冰峰 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备，该化学气相沉积设备的抽气控制方法包括：当化学气相沉积工艺进入抽气阶段时，控制化学气相沉积设备的节流阀开启预设开度；控制抽气泵抽取化学气相沉积设备的反应腔室内的气体本发明解决了气相沉积工艺在抽气阶段易在晶圆表面附着颗粒物，导致晶圆缺陷，降低晶圆良率的问题。
化学沉积设备控制方法装置介质

[实用新型]用于化学气相成膜的晶圆传送腔室及晶圆镀膜设备-CN201721059382.0有效
发明人：胡广严;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于化学气相成膜的晶圆传送腔室及晶圆镀膜设备，所述晶圆传送腔室包括腔室本体；腔室盖，固定设置于所述腔室本体，与所述腔室本体围成适于容纳晶圆的容纳腔；加热元件，固定设置在所述腔室盖，能够升温以加热所述腔室盖因此，当晶圆在反应腔室中被镀膜后，传输机构将晶圆从反应腔室传送至传送腔室的过程中，化学气相镀膜过程中所剩余的气相化合物和生成的附加产物会扩展至传送腔室内，此时，通过控制加热元件升温，从而能够加热腔室盖，当腔室盖具有较高的温度时，不易使气相化合物和附加产物冷凝成为杂质而粘附在腔室盖的内表面，因而能够避免污染晶圆。
用于化学相成传送镀膜设备

[发明专利]半导体工艺方法-CN202310448059.6在审
发明人：郑志威 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：S1：提供具有多个工艺栈点的化学气相沉积腔室；S2：于固定的装载位置将部分晶圆一一对应放置于工艺栈点上；S3：对化学气相沉积腔室进行旋转，以将未放置有晶圆的工艺栈点移动到装载位置；S4：将余下的晶圆一一对应放置于工艺栈点上；S5：对化学气相沉积腔室内的所有晶圆进行惰性气体吹扫；S6：对所有晶圆进行第一次化学气相沉积；S7：对化学气相沉积腔室进行旋转；S8：对所有晶圆进行第二次化学气相沉积
半导体工艺方法

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