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[实用新型]一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台-CN202122533559.9有效
发明人：方迪;涂文骏;罗兴安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台，静电吸附装置包括支撑件、吸附环以及至少一导电件，吸附环设置于支撑件上，吸附环用于承载晶圆；导电件与吸附环电性连接，导电件用于向吸附环供电，以使吸附环以静电吸附的方式吸附晶圆。本申请实施例中，吸附环与晶圆接触，吸附环带电后，晶圆会被吸附在吸附环上，进而使得晶圆的翘曲度变小，让晶圆处于相对平坦的状态，能够让沉积在晶圆表面的薄膜厚度更加均匀，静电吸附装置吸附晶圆的过程简单、易操作且能够节约成本。
一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台

[发明专利]一种膜层生长设备和膜层生长方法-CN202111320299.5在审
发明人： 涂文骏;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种膜层生长设备和膜层生长方法，包括反应腔室和控制器，反应腔室内包括基台和等离子体禁区环，基台用于放置待处理晶圆和等离子体禁区环，等离子体禁区环包括至少一个能够进行长度变化的活动部，待处理晶圆的直径大于等离子体禁区环的直径，以便在待处理晶圆的边缘形成保护膜层，控制器通过控制活动部进行长度变化来调整等离子体禁区环的直径，从而改变等离子体禁区环包围晶圆的范围来改变保护膜层的覆盖范围。由此可见，本申请实施例通过使用直径可调的等离子体禁区环调整保护膜层覆盖晶圆边缘的范围，无需频繁打开膜层生长设备的腔室，更换不同直径的等离子体禁区环，能够降低半导体制造工艺成本。
一种生长设备方法

[发明专利]一种喷淋头、成膜控制方法、控制器及机台-CN202110999875.7在审
发明人：方迪;涂文骏;罗兴安;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供了一种喷淋头、成膜控制方法、控制器及机台，喷淋头可以包括多个通道，多个通道用于通过反应气体，以在待处理晶圆上形成膜层，多个通道分别对应待处理晶圆表面的不同位置，反应气体经过多个通道分别到达待处理晶圆表面上与多个通道对应的区域，多个通道的流量可调，这样可以通过调节通道的反应气体的流量，进而可以控制到达待处理晶圆表面该通道对应的区域的反应气体的量，控制该区域的膜层的生长速度，从而控制该位置膜层的厚度，因此通过控制多个通道的反应气体的流量可以控制待处理晶圆上不同区域的膜层厚度，以满足不同的需求。
一种喷淋控制方法控制器机台

[发明专利]一种机台、成膜控制方法、控制器及系统-CN202110990568.2在审
发明人： 涂文骏;方迪;张高升;罗兴安;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请提供了一种机台、成膜控制方法、控制器及系统，机台可以包括喷淋头和多孔部件，其中喷淋头可以向反应腔室中通入反应气体，以在待处理晶圆上形成膜层，多孔部件位于反应气体的通路中，且具有多个通孔，多个通孔分别对应待处理晶圆表面的不同位置，反应气体经过多个通孔达到待处理晶圆表面上与多个通孔对应的位置，多个通孔的开度可调，这样通过调节通孔的开度，从而调节通孔中的反应气体的流量，进而可以控制到达待处理晶圆表面该通孔对应的位置的反应气体的量，控制该位置的膜层的生长速度，从而控制该位置膜层的厚度，因此通过控制多个通孔的开度可以控制待处理晶圆上的不同位置的膜层厚度，以满足不同的需求。
一种机台控制方法控制器系统

[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202121094104.5有效
发明人： 涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
一种控制弯曲设备

[实用新型]一种气相薄膜沉积装置-CN202120266732.0有效
发明人：董洪旺;罗兴安;张高升;楚明;涂文骏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种气相薄膜沉积装置，包括：腔室，位于所述腔室内的承载部件和气体保持部件；所述承载部件上具有用于放置待处理晶片的晶片放置区域；所述气体保持部件环绕所述晶片放置区域设置，以阻隔气流在所述待处理晶片上方的流动；所述气体保持部件的内壁与所述晶片放置区域的外边界之间存在间隔，所述间隔的宽度大于或等于1.3毫米。
一种薄膜沉积装置

[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202022129472.0有效
发明人： 涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
一种控制弯曲设备

[发明专利]一种CVD机台-CN202011538581.6在审
发明人：楚明;罗兴安;董洪旺;涂文骏;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种CVD机台，包括：等离子体喷头，所述等子立体喷头用于喷出等离子体；等离子体调整装置，所述等离子体调整装置用于使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向。也就是说，该等离子体调整装置使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向，那么就可以极大程度的降低侧壁受到等离子体加工的影响，使侧壁的膜层密度更为酥松；并且，使等离子体更容易到达底部区域，使顶部和底部的膜层密度更大，进而极大程度的拉开平面区域和侧壁区域膜层的密度差；那么，在WET工序中，顶部侧壁的膜层也更容易刻蚀开，并且在顶部侧壁刻蚀开的情况下，底部的膜层也会保持很好的形貌，进而极大程度的提高产品良率。
一种 cvd 机台

[发明专利]一种镁改性SiO2-CN201711307699.6有效
发明人：蔡卫权;涂文骏 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于毒性Cr(VI)吸附的镁改性SiO2薄膜的制备方法。该方法是：首先，在水和乙醇的混合溶液中溶解一定质量的CTAB和六水合硝酸镁；然后，滴加一定质量的正硅酸乙酯和盐酸，继续搅拌得到溶胶；最后，在胶溶上述溶胶的同时加入成膜剂聚乙烯醇，混合搅拌后制得澄清透明的混合溶胶，随后经流延成型、干燥制得SiO2薄膜。该薄膜对Cr(VI)、Cd(II)、Cu(II)、Zn(II)和Ni(II)等混合溶液中的Cr(VI)表现出优异的选择性吸附性能。本方法具有制备工艺简单、条件温和且对重金属离子Cr(VI)吸附性能优异等优点，而且吸附后的薄膜极易从水体中直接分离。
一种改性 sio base sub

[发明专利]一种氧化铝/硅酸钙分等级复合薄膜及其制备方法和应用-CN201910360223.1在审
发明人：蔡卫权;涂文骏 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝/硅酸钙分等级复合薄膜及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：室温下将HMT和CaCl₂分散在水中，溶液澄清透明后倒入水热釜中，放置γ‑Al₂O₃薄膜后进行水热反应，水热完成后将薄膜取出，清洗薄膜表面然后进行干燥；将干燥后的薄膜置于水热釜中，再加入Na₂SiO₃·9H₂O并进行水热反应，取出薄膜并清洗薄膜表面然后干燥即得γ‑Al₂O₃@CS复合薄膜。制备的薄膜对Pb(II)的有较高吸附量和极高的去除率，对初始浓度为80mg/L的Pb(II)去除率达到99.99％，能达到国家对含Pb(II)废水的排放标准，吸附完成后易于从水体中分离，大大节省了分离成本。
薄膜复合薄膜制备方法和应用薄膜表面硅酸钙热反应水热釜氧化铝去除清洗取出澄清透明分离成本排放标准高吸附水热水中吸附制备水体废水

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