专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果7个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202211737277.3在审
  • 张海欧;王学毅;伍治伦;赵靖祎 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-12-30 - 2023-05-16 - H01L21/28
  • 本发明提供一种半导体结构及其制作方法,该制作方法包括以下步骤:提供半导体衬底,形成栅介质层于半导体衬底上;对栅介质层进行解耦等离子体氮化处理,使用的气体包括NxOy;对栅介质层进行后氮化退火处理;形成栅导电层于栅介质层上。本发明对栅介质层进行解耦等离子体氮化处理所使用的气体包括NxOy,利用NxOy等离子体取代常规的N2等离子体,好处在于可以用较低的剂量达到相同的氮浓度来提高栅介质层的K值,同时,NxOy等离子体中的氧得以填补栅介质层中的氧空位缺陷,降低缺陷产生几率,从而有利于提升器件的可靠性。另外,本发明的半导体结构的制作方法不需要增加原物料及工艺步骤,从而不会增加生产成本及工艺复杂度。
  • 一种半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法-CN202211720224.0在审
  • 伍治伦;蔡胜冬;杨秀华;何念君 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-25 - H01L21/02
  • 本发明提供一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法,该晶圆弯曲度的调控方法包括以下步骤:提供一包括介电层及布线层的晶圆,利用弯曲度测量仪器测量晶圆的弯曲度值,并得到与预设弯曲度值的差值,基于差值形成产生对应应力的弯曲度矫正层,重复测量晶圆弯曲值及基于差值形成对应应力的弯曲度矫正层的步骤,直至差值为零,将差值为零的晶圆输送至下一工艺段。本发明通过测量后段抛光工艺之后的晶圆的弯曲度值,并基于弯曲度值与预设弯曲度值的差值,形成对应应力弯曲度矫正层,重复测量弯曲度值及基于差值形成弯曲度矫正层的步骤,直至晶圆平坦,保证了后续工艺的光刻对准,保证了晶圆中器件的性能,提升了后续工艺的晶圆的良率。
  • 一种结构及其弯曲调控方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top