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[发明专利]一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法-CN202211720224.0在审
发明人：伍治伦;蔡胜冬;杨秀华;何念君 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法，该晶圆弯曲度的调控方法包括以下步骤：提供一包括介电层及布线层的晶圆，利用弯曲度测量仪器测量晶圆的弯曲度值，并得到与预设弯曲度值的差值，基于差值形成产生对应应力的弯曲度矫正层，重复测量晶圆弯曲值及基于差值形成对应应力的弯曲度矫正层的步骤，直至差值为零，将差值为零的晶圆输送至下一工艺段。本发明通过测量后段抛光工艺之后的晶圆的弯曲度值，并基于弯曲度值与预设弯曲度值的差值，形成对应应力弯曲度矫正层，重复测量弯曲度值及基于差值形成弯曲度矫正层的步骤，直至晶圆平坦，保证了后续工艺的光刻对准，保证了晶圆中器件的性能，提升了后续工艺的晶圆的良率。
一种结构及其弯曲调控方法

[发明专利]一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法-CN202211720668.4在审
发明人： 蔡胜冬;吴寒;张木木;赵波 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆结构及其晶圆弯曲度的调控方法，该晶圆弯曲度的调整方法包括以下步骤：提供一表面平整且包括第一介电层及第一布线层的晶圆；于晶圆的上表面形成依次层叠的第一刻蚀停止层及包括第二布线层的第二介电层，第一刻蚀停止层包括依次向上层叠的第一矫正层及第一阻挡层；利用晶圆弯曲度测量仪器测量形成第二布线层后的晶圆的弯曲度值；基于弯曲度值于第二介电层的上表面形成预设厚度的第二矫正层；于第二矫正层的上表面形成依次层叠的第二阻挡层及第三介电层。本发明通过于第一介电层及第二介电层上表面分别形成第一矫正层及第二矫正层，以使形成第二介电层及第三介电层后的晶圆平坦，提升了后段工艺的良率。
一种结构及其弯曲调控方法

[发明专利]一种应力记忆技术中去除应力氮化硅层的方法-CN202211535729.X在审
发明人：张海欧;王学毅;蔡胜冬;李锋 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种应力记忆技术中去除应力氮化硅层的方法，包括以下步骤：提供具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底；在具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上依次形成氧化硅缓冲层和应力氮化硅层以及氧化硅硬掩膜层；于氧化硅硬掩膜层上形成光刻胶层，并选择性刻蚀以显露PMOS区域；去除PMOS区域的氧化硅硬掩膜层；湿法腐蚀工艺去除PMOS区域的应力氮化硅层。在去除PMOS区域的应力氮化硅层之前，在应力氮化硅层上先形成氧化硅硬掩膜层，通过刻蚀工艺将PMOS区域的氧化硅硬掩膜层去除，再使用湿法腐蚀工艺去除PMOS区域显露的应力氮化硅层，这样既不会出现过刻蚀对器件造成的损伤或破坏，也不会出现因刻蚀不足而引起的应力氮化硅层残留，从而提高器件的电学性能。
一种应力记忆技术去除氮化方法

[发明专利]一种具有栅极电阻的半导体结构制备方法和半导体结构-CN202211514848.7在审
发明人：张海鸥;王学毅;蔡胜冬;魏久雲 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供具有栅极电阻的半导体结构制备方法和半导体结构，所述方法包括：在半导体衬底上制备栅极电阻的材料层，并对所述材料层进行光刻及刻蚀使在半导体衬底上的栅极电阻区形成栅极电阻；在半导体衬底上的栅极区制备栅极结构，得到半导体结构；本发明解决了现有技术中在制备栅极电阻时存在提高了半导体结构整体高度的问题，本发明中的栅极电阻和栅极结构都是以半导体衬底作为基面进行制备完成，降低了半导体结构的整体高度，从而也降低了后续制备接触孔的工艺难度。
一种具有栅极电阻半导体结构制备方法