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[发明专利]选择性蚀刻的自对准通孔工艺-CN201811534548.9有效
发明人：林永臣;周清军;张郢;何扬·大卫·黄;乌代·米特拉;瑞加娜·弗雷德 -专利权人：微材料有限责任公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成自对准通孔的方法包含使包含第一导线集合的第一金属化层凹陷，所述第一导线在基板上的第一绝缘层上沿着第一方向延伸。第二绝缘层形成在第一绝缘层上。通过第二绝缘层形成到第一导线中的一个导线的通孔。还公开了包含自对准通孔的半导体装置和用于形成自对准通孔的设备。
选择性蚀刻对准工艺

[发明专利]一种串联芯片间的数据同步优化方法、系统、设备及终端-CN202310403880.6在审
发明人： 周清军;乐万德 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明属于芯片控制技术领域，公开了一种串联芯片间的数据同步优化方法、系统、设备及终端，使用串联芯片组的首颗芯片时钟进行计数并产生信息编码；将信息编码依次串行后传输给后级芯片，后级芯片接收到编码后使用自身的时钟对编码进行计数；通过计算CNT与CNT0之比，计算得到后级每颗芯片时钟与首颗芯片时钟的偏差值；后级芯片使用偏差值对芯片待同步的数据以及持续的时间段进行校正，实现后级芯片的数据以及时间段均与首颗芯片同步。将本发明的串联芯片间的数据同步优化方法应用于多核SoC芯片，测试结果表明，优化后的多核SoC芯片在时钟偏差15％以内，串联芯片组持续运行二十四小时，最大时间累积偏差从之前的7.2小时减小到17.28秒，优化效果明显。
一种串联芯片数据同步优化方法系统设备终端

[发明专利]一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端-CN202310381852.9在审
发明人： 周清军;曹敬馨 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明属于存储器测试技术领域，公开了一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端，从外部接口将数据写入SRAM；逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM；逻辑复位，复位后逻辑自动从EEPROM将数据读出并写入SRAM；从芯片外部再次发送同样的数据，发送过程中逻辑自动从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比。本发明的嵌入式EEPROM的可测性设计方法，使用SRAM作为EEPROM的辅助存储空间，可以大大提高芯片对外接口的读写速度，并可以快速对EEPROM的读写功能进行测试，从而节省EEPROM的测试时间，解决了现有嵌入式EEPROM存在测试时间较长的问题。
一种嵌入式 eeprom 可测性设计方法系统终端

[发明专利]一种长输管道根焊的焊接方法-CN202211368253.5在审
发明人：郑明高;赵桂敏;李旭;周清军;阴有贵;谢江平 -专利权人：中石化石油工程技术服务有限公司;中石化江汉油建工程有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23K9/167 文献下载
摘要：本发明提出一种长输管道根焊的焊接方法，采用U型小坡口窄间隙组对，用于长输管道的环焊缝焊接施工，钨极氩弧自动焊外根焊实现了外根焊的自动化，U型坡口、窄间隙组对减少了焊接填充量，气保护实心焊丝下向焊接极大提高了焊接工效，该工艺保证了环焊缝的质量，本发明适用性强，设备投入小，施工灵活性强，具有焊缝金属填充量少、焊接质量稳定、焊接效率高、人员劳动强度小的优点。
一种管道焊接方法

[发明专利]沟槽刻蚀方法-CN202211005989.6在审
发明人：杨光;何忠义;张建坤;蒋中伟;王京;周清军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、去除步和沉积步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，其可以改善深度负载效应，避免沟槽顶部的宽度过大，从而可以保证线条尺寸(Line CD)满足工艺要求，进而可以获得更垂直的刻蚀形貌。
沟槽刻蚀方法

[发明专利]对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备-CN202210856952.8在审
发明人：钟涛;何忠义;周清军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备，控制方法包括：将晶圆传送至静电卡盘上，对晶圆进行吸附；待对晶圆进行工艺处理后，向反应腔室中通入解吸附气体，控制腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将解吸附气体激发为等离子体；在维持等离子体后的第一设定时长内，将晶圆抬升至设定高度；在抬升之后，在第二设定时长内，将上电极的功率从第一设定功率逐渐降至0，实现对等离子体的灭辉；同时将腔室压力从第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对晶圆的解吸附。本发明能够解决工艺过程中晶圆在吸附和解除吸附过程中产生的颗粒问题，提高产品良率。
进行吸附解吸控制方法半导体工艺设备

[发明专利]铜互连结构的制备方法-CN202210869989.4在审
发明人：杨光;何忠义;蒋中伟;王京;周清军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请公开一种铜互连结构的制备方法，属于半导体工艺技术领域。铜互连结构的制备方法包括第一刻蚀步骤、保护层沉积步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤为：以硬掩膜层为掩膜，利用刻蚀气体对铜层的表面进行刻蚀，以在铜层的表面形成沟槽，直至沟槽达到第一预设深度，刻蚀气体包括氢气；保护层沉积步骤为：对沟槽的侧壁面和底壁面沉积保护气体，以使保护气体在侧壁面和底壁面形成用于阻挡刻蚀气体的保护层，保护气体包括氮气；第二刻蚀步骤为：继续利用刻蚀气体对沟槽的底壁面进行刻蚀，直至沟槽达到第二预设深度，第二预设深度大于第一预设深度。如此，保护层能阻挡氢气的等离子体进入铜层的晶格结构内，避免造成空洞缺陷，保证铜层的性能。
互连结构制备方法

[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备-CN202210257183.X在审
发明人：王伟;庄岩;周清军;彭宇霖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。上述方案可提升反应腔室中内衬的接地性能。
反应半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备及控制方法-CN202210159206.3在审
发明人：王伟;沈浩;周清军;彭宇霖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体工艺设备及控制方法，所述半导体工艺设备包括半导体腔室和工艺管路(100)，所述半导体腔室与所述工艺管路(100)相连通，所述半导体工艺设备还包括颗粒物检测件(200)和报警器(300)；所述颗粒物检测件(200)设置于所述工艺管路(100)，用于检测所述工艺管路(100)内的颗粒物的数量，所述报警器(300)与所述颗粒物检测件(200)电连接，当所述颗粒物检测件(200)检测到的颗粒物的数量大于或等于预设数量的情况下，所述报警器(300)发出报警信号，以使所述半导体工艺设备停止工艺。上述方案能够解决半导体工艺设备在工艺过程中大量晶圆被污染的问题。
半导体工艺设备控制方法

[发明专利]图形片及半导体中间产物-CN202010306855.2有效
发明人：谢秋实;史小平;周清军;李东三;王春;张轶铭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种图形片及半导体中间产物，图形片包括自上而下依次层叠设置的第一掩膜层、第二掩膜层、介质层和衬底层，第一掩膜层为光刻胶层；第一掩膜层具有第一图形孔，第一图形孔沿第一掩膜层的厚度方向贯穿第一掩膜层，第一掩膜层的厚度为d1，第二掩膜层的厚度为d2，介质层的厚度为d4，衬底层与第一掩膜层的选择比为S1，衬底层与第二掩膜层的选择比为S2，介质层与第一掩膜层的选择比为S3，介质层与第二掩膜层的选择比为S4，第二掩膜层与第一掩膜层的选择比为S5；其中，d1·S5＞d2，且d2≥(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4；或者，d1·S5＝d2，且d2＞(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4。采用上述技术方案可以在衬底层上形成深度较大的孔，以满足使用需求。
图形半导体中间产物

[实用新型]一种移动型通信工程用通信设备-CN201921820412.4有效
发明人：王莹;周清军 -专利权人：王莹
申请日： 2019-10-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动型通信工程用通信设备，箱体的下侧壁固定安装有底座，外板的内侧壁滑动连接有第一弹簧，挡板的另一侧均对称的铰接有传动杆的一端，挡板滑动连接在外板的内侧壁，支撑板的下侧壁通过垫块固定连接有第二弹簧的一端，连接杆的另一端通过转轴活动连接有滚轮，当使用者需要将通信设备外出携带的时候，通过两个合页将箱体可以折叠起来，通过第二固定块带动支撑板向下移动，使得第一弹簧在外板内滑动，然后支撑板两端的第一固定块和第二固定块均通过连接杆带动滚轮从通孔内穿出，然后通过把手拉动箱体，利用滚轮进行移动，使得通信设备更加方便的进行携带，给使用者的出行带来了便利。
一种移动通信工程通信设备

[实用新型]一种结合光通信的融合通信装置-CN201921819347.3有效
发明人：孙文莉;胡鑫华;王泳森;周清军 -专利权人：兰州朗青交通科技有限公司
申请日： 2019-10-26 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H04B10/27 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结合光通信的融合通信装置，包括壳体，壳体的外侧壁四角处均固定安装有橡胶块，同侧橡胶块之间滑动装配有活动板，壳体的左右两侧均上下对称固定安装有弹簧片，活动板的内侧壁固定安装有固定杆，固定杆的内端固定安装有限位板，壳体的内腔左右侧壁均上下对称固定安装有固定块，壳体的内腔上侧壁固定安装有第一限位块和第二限位块，第一限位块的内侧壁开设有光纤接口，第二限位块的内侧壁嵌入安装有无线接收器，壳体的内腔下侧壁固定安装有第三限位块，本实用新型利用弹性对外壳进行有效保护，同时对内部电路板进行限位固定，起到良好的对外壳及其内部电路板的保护，令此装置不易受到损坏。
一种结合光通信融合通信装置

[发明专利]去除高深宽比结构中的Ⅲ-V材料的方法-CN201910331618.9在审
发明人：鲍新宇;张郢;周清军;林永振 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积操作以通过在基板处理环境中沉积第III‑V族半导体材料来在第一鳍片的剩余部分的表面上形成特征；以及执行蚀刻操作以用蚀刻气体来蚀刻特征，以在相邻的介电材料结构之间形成多个开口，其中所述蚀刻操作在与沉积操作相同的腔室中执行。
鳍片沉积蚀刻介电材料基板去除半导体材料半导体器件高深宽比基板处理蚀刻气体蚀刻特征鳍片结构腔室开口暴露

[发明专利]多色自对准触点选择性蚀刻-CN201910183568.4在审
发明人：林永振;周清军;张郢;黄和湧 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。
选择性蚀刻自对准氧化铝触点半导体装置金属栅极氮化硅氧化硅氧化锆多色应用

[实用新型]一种自动行走式双丝气保焊枪夹持工装-CN201821138606.1有效
发明人：胡相伟;钱燕波;王颖;吴海荣;朱庆祥;刘永忠;计雄岗;陶实;徐进;陈锁;周清军;袁双先;杨崇军 -专利权人：云南建投钢结构股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： B23K9/12 文献下载
摘要：一种自动行走式双丝气保焊枪夹持工装，包括行走机构、支承系统和焊枪调节机构；行走机构包括行走小车、控制盒、带水平滑槽的滑板、安装于滑板前端的焊接导向轮、设置于行走小车前端面的焊接飞溅挡板；支承系统包括安装在行走小车台面上的支承竖杆、支承横梁、焊丝支承座、送丝机支撑板、两台送丝机；焊枪调节机构为三维的螺杆调节架，包括横向X轴螺杆、水平Z轴螺杆、下层横向X轴螺杆、竖直Y轴螺杆；气保焊枪通过角度调节器安装于下层横向X轴螺杆上，连接于气保焊枪后端的送丝软管与送丝机连接。本实用新型可辅助气保焊枪实现自动气保焊接，焊接效率高且使用方便。
气保焊枪行走小车送丝机焊接焊枪调节机构自动行走式夹持工装行走机构支承系统滑板双丝下层焊丝本实用新型角度调节器飞溅挡板焊接效率螺杆调节水平滑槽送丝软管支承横梁支承竖杆焊枪导向轮辅助气控制盒支撑板支承座螺杆气保竖直三维

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