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[实用新型]一种集成RPD和PVD的镀膜设备-CN202220227449.1有效
发明人：杨星;李长江;周文彬;徐全军;王文静 -专利权人：昆山晟成光电科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该集成RPD和PVD的镀膜设备主要包括：自动化设备、载板、上料腔室、RPD工艺腔室、移载腔室、PVD工艺腔室以及下料腔室。其中，载板上设置有卡槽，卡槽被配置为放置太阳能电池，上料腔室连通于第一抽真空装置、下料腔室连通于第二抽真空装置。RPD工艺腔室、移载腔室和RPD工艺腔室呈“U型”结构排列，RPD工艺腔室与上料腔室连通，PVD工艺腔室通过移载腔室连通于RPD工艺腔室，且下料腔室连通于PVD工艺腔室。
一种集成 rpd pvd 镀膜设备

[发明专利]半导体工艺设备-CN202210589076.7有效
发明人：鲁艳成 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括传输腔室和至少一组工艺腔室，每组工艺腔室沿传输腔室的一侧依次分布，工艺腔室包括反应腔室、真空组件和至少一个容纳盒，真空组件设置在对应的反应腔室下方，容纳盒用于容纳实现半导体工艺设备功能的功能模块，容纳盒设置于真空组件背离传输腔室的一侧，且能够沿对应组内的工艺腔室的腔室排布方向移动。在本发明中，容纳盒能够沿腔室排布方向移动，灵活利用维护通道容纳功能模块，相邻工艺腔室之间无需预留用于容纳功能模块的空间，缩小了传输腔室及其机械手的尺寸以及半导体工艺设备的占地面积。
半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备-CN202110321586.1有效
发明人：曹丽梦;刘学庆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括晶片传输模块和至少一个工艺腔室，每个工艺腔室均包括多个反应腔室，晶片传输模块用于向每个工艺腔室中的多个反应腔室中放入晶片，还包括控制装置，用于在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的工艺腔室中的反应腔室数量时，控制晶片传输模块向工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片。在本发明中，控制装置能够在当前批次的剩余待加工晶片数量小于工艺腔室中的反应腔室数量时，根据各反应腔室种的副产物镀膜调整优先级顺序，使镀膜厚度较小的反应腔室优先接收晶片并进行半导体工艺，提高了半导体工艺设备的腔室匹配性能，进而提高了各反应腔室产出晶片之间的一致性。
半导体工艺设备

[发明专利]立式周向循环连续式气相沉积设备-CN201810018496.3在审
发明人：郎文昌;王向红;刘伟 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种立式周向循环连续式气相沉积设备，包括主腔室、进料腔室及进料口开合系统、工艺腔室及气相沉积组件、转架系统、腔室升降系统、真空系统及真空管道，真空系统将主腔室、进料腔室及工艺腔室通过各自独立的真空管道进行真空处理，进料腔室及工艺腔室通过气动升降机构驱动进料腔室及工艺腔室升降，将进料腔室及工艺腔室在与主腔室联通的状态及独立真空腔室的状态之间切换，气相沉积组件侧向安装于各工艺腔室，并通过可收缩的波纹管道连接于真空室外转架系统包括转盘、双转盘转动机构、转盘转动机构驱动转盘公转或定点自转，将工件在进料腔室及工艺腔室之间传递及定点镀膜，实现周向快速连续式真空镀膜。
工艺腔室进料腔室主腔室气相沉积设备气相沉积真空管道真空系统周向循环连续式镀膜腔室转架连续式真空镀膜气动升降机构转盘转动机构波纹管道侧向安装独立真空开合系统驱动转盘升降系统真空处理转动机构进料口可收缩双转盘自转联通转盘升降室外驱动传递

[实用新型]半导体工艺设备-CN202220241848.3有效
发明人：杨钦淞;郭雪娇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室、腔室加热组件、冷却管路、工艺气体输入通道和气体加热装置，其中：腔室加热组件设置于工艺腔室的外部；冷却管路设置于工艺腔室的外部，以对腔室加热组件进行冷却；工艺气体输入通道与工艺腔室连通；气体加热装置与冷却管路的出口端连通，工艺气体输入通道设置于气体加热装置中，冷却管路用于将通入的流体介质与腔室加热组件进行热交换后，流体介质进入气体加热装置内，流体介质对工艺气体输入通道中的工艺气体进行加热上述方案可以解决工艺腔室内的高温料源遇到温度较低的工艺气体时容易发生凝结而附着在工艺腔室的内壁上，从而会影响工艺腔室内的工艺环境的问题。
半导体工艺设备

[发明专利]一种薄膜沉积设备-CN201410443115.8有效
发明人：白志民;张伟;杨玉杰;李强;邱国庆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。
一种薄膜沉积设备

[发明专利]等离子体增强原子层沉积设备及方法-CN202110380765.2有效
发明人：秦海丰;郑波;史小平;兰云峰;张文强;王昊;任晓艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种等离子体增强原子层沉积设备及方法，该设备包括：前驱体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室提供前驱体或吹扫气体；反应气体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室提供反应气体；射频装置，与两个工艺腔室连接，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室输出射频功率；压力调节装置，与两个工艺腔室的排气口连通，用于独立地分别控制两个工艺腔室的腔室压力本发明实施例提供的等离子体增强原子层沉积设备及方法，增加了工艺调试手段，而且无需为每个腔室配备前驱体供应装置，从而降低了设备成本。
等离子体增强原子沉积设备方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理装置的工艺管理方法-CN202211275175.4在审
发明人：梁映轘 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了基板处理装置及基板处理装置的工艺管理方法，涉及掌握设置在基板处理设备的多个工艺腔室的每一个的工艺现况，将处理预定基板投入到各个工艺腔室，并保管在设于传输腔室的储存室中，根据相应工艺腔室的工艺进行情况，将保管在所述储存室中的基板移送到相应工艺腔室的基板处理设备的工艺管理技术。基板处理装置包括：多个工艺腔室，执行针对基板的工艺工序；传输腔室，具备储存室和移送机器人，所述储存室配置在所述多个工艺腔室之间并临时保管处理预定基板，所述移送机器人将基板移送到所述储存室；以及控制模组。基板处理装置的工艺管理方法包括工艺现况监视步骤、休息预定判断步骤、基板保管步骤、基板供应安排步骤、基板移送步骤。
处理装置工艺管理方法

[发明专利]半导体设备及腔室压力控制方法-CN202011026988.0在审
发明人：王晶 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备及腔室压力控制方法。该半导体设备包括：传输腔室和至少一个工艺腔室，传输腔室与每个工艺腔室之间均设有承压阀；工艺腔室包括：第一抽真空气路；传输腔室包括：第二抽真空气路和充气气路，充气气路包括第一充气模式和第二充气模式；第一充气模式用于对传输腔室以第一充气速率进行升压；第二充气模式用于在传输腔室的压力小于等于工艺腔室的压力时，对传输腔室以第二充气速率进行升压，直到传输腔室的压力大于工艺腔室的压力，且传输腔室与工艺腔室之间的压差在预设范围之内，其中，第二充气速率小于第一充气速率本发明可以控制传输腔室的压力大于工艺腔室的压力，且二者的压力差在安全的差值范围内。
半导体设备压力控制方法

[发明专利]工艺腔室及应用该工艺腔室的等离子体处理设备-CN201010282719.0有效
发明人：管长乐 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室，包括腔室侧壁及附着于侧壁上的内衬，所述侧壁上具有抽气窗，所述内衬上对应该抽气窗的区域内具有第一通孔，并且在所述侧壁和内衬之间还具有与抽气窗相连通的间隙，在所述内衬上与所述间隙相对应的区域内具有用于配合所述间隙而对工艺腔室进行抽真空的第二通孔在工艺过程中，本发明工艺腔室通过上述第一通孔和第二通孔而同时对工艺腔室进行抽真空，因而在不增大抽气腔室体积和真空泵功率的情况下能够有效提高腔室的抽真空能力。此外，本发明同时还提供了一种应用上述工艺腔室的等离子体处理设备。
工艺应用等离子体处理设备

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[发明专利]基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法-CN202110356712.7在审
发明人：金永大;金眞锡;朴种熙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：该基底加工设备包括：第一工艺腔室，在第一工艺腔室中加工目标基底；第一罐，连接到第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到第一工艺腔室；第二工艺腔室，在第二工艺腔室中加工目标基底；以及第二罐，连接到第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。
基底加工设备显示面板制造方法

[发明专利]半导体工艺设备-CN202011155612.X在审
发明人：王伟;马恩泽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室、负载腔室及传输腔室；工艺腔室内设置有用于承载晶圆的基座,基座上设置有聚焦环；负载腔室内设置有多个子腔室，每个子腔室内均设置有支撑组件，支撑组件用于承载晶圆及聚焦环，至少一个子腔室内的支撑组件还用于承载聚焦环；多个工艺腔室及多个负载腔室环绕设置于传输腔室的外周，与传输腔室选择性连通，传输腔室内设置有机械手结构，机械手结构用于在负载腔室及工艺腔室之间传送晶圆或聚焦环。本申请实施例大幅减少了负载腔室的状态切换时间，从而大幅提高了传输腔室的传输效率以及半导体工艺设备可以挂接工艺腔室的数量，进而大幅提高了半导体工艺设备的生产效率。
半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备-CN202011154664.5有效
发明人：王帅伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。
半导体工艺设备中的工艺

[发明专利]腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备-CN202111435874.6在审
发明人：宋兴亮;李强;方林;杨帆 -专利权人：西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪，打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀，使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通，启动目标气体分析仪，使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下，输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中，多个工艺腔室可以共享气体分析仪，因此可以在半导体工艺设备中设置较少的气体分析仪，降低半导体工艺设备的成本。
泄漏检测方法半导体工艺设备