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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体工艺方法及半导体工艺设备-CN202210902215.7在审
发明人：李凯;白帆;王晓丹;曹广岳;李一曼;马兵 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体工艺方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该半导体工艺方法包括以下步骤：在工艺腔室对晶圆进行相应的半导体工艺处理的过程中，监测工艺腔室是否处于闲置状态；若监测到工艺腔室处于闲置状态，则每间隔预设时间，对工艺腔室进行一次腔室预处理操作，腔室预处理操作包括将工艺腔室的室内温度控制在预设温度值，及向工艺腔室中通入工艺气体，并电离工艺气体形成等离子体，其中，工艺气体包括氮元素，且不含氟元素。本技术方案，可在半导体工艺处理过程中，有效延缓工艺腔室中承载装置的陶瓷层的表面电阻的降低速度，进而提高该承载装置的使用寿命。
半导体工艺方法工艺设备

[发明专利]工艺腔室共享电源方法及设备-CN201410178128.7有效
发明人：韩盼盼 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室共享电源方法及设备，其中方法包括如下步骤接收工艺腔室发出的申请使用电源命令；检测电源的工作状态；当电源的工作状态为空闲状态时，工艺腔室获取电源使用权，控制工艺腔室与电源的连接电路导通；工艺腔室使用电源进行工艺任务；当工艺腔室使用电源进行工艺任务完毕后，控制工艺腔室与电源的连接电路断开，释放电源。其通过多个工艺腔室轮流使用一个电源，在确保正常完成工艺的同时，减少了电源的使用个数，有效地解决了工艺成本增加的问题。
工艺共享电源方法设备

[发明专利]腔室清洁方法及装置-CN201911226305.3有效
发明人：刘学庆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室清洁方法及装置，该腔室清洁方法包括：S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁应用本发明既可实现工艺腔室的自动清洁、减少工作人员对腔室进行维护的工作负担，也能保证同批次晶圆的工艺结果一致性。
清洁方法装置

[发明专利]双腔室真空制膜设备-CN201310453429.1无效
发明人：崔慧敏;张海林;刘国霞;滕玉朋 -专利权人：青岛赛瑞达电子装备股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种双腔室真空制膜设备，它包括送料腔室、活动密封机构、工艺腔室、送料装置，其中送料腔室上设置进出料口，送料腔室与工艺腔室连接，送料腔室与工艺腔室之间设置活动密封机构，送料装置位于送料腔室和工艺腔室内，送料腔室及工艺腔室上均设置真空机构；其优点在于本发明所述双腔室真空制膜设备可以避免产品进出料发生交叉污染、可提高产品质量、减少对大气污染及操作人员健康危害的双腔室真空制膜设备。
双腔室真空设备

[实用新型]双腔室真空制膜设备-CN201320606145.7有效
发明人：崔慧敏;张海林;刘国霞;滕玉朋 -专利权人：青岛赛瑞达电子装备股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双腔室真空制膜设备，它包括送料腔室、活动密封机构、工艺腔室、送料装置，其中送料腔室上设置进出料口，送料腔室与工艺腔室连接，送料腔室与工艺腔室之间设置活动密封机构，送料装置位于送料腔室和工艺腔室内，送料腔室及工艺腔室上均设置真空机构；其优点在于本实用新型所述双腔室真空制膜设备可以避免产品进出料发生交叉污染、可提高产品质量、减少对大气污染及操作人员健康危害的双腔室真空制膜设备。
双腔室真空设备

[发明专利]半导体工艺腔室及其形成方法、半导体工艺装置-CN201811324255.8在审
发明人：代恒双;靳航;胡广严;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体工艺腔室及其形成方法、半导体工艺装置，半导体工艺腔室包括：外腔室，位于外腔室内的内腔室，所述内腔室和外腔室之间具有夹层空间；位于夹层空间内的隔热结构。半导体工艺腔室的形成方法包括：提供外腔室和位于外腔室内的内腔室，所述内腔体和外腔体之间具有夹层空间；在所述夹层空间内形成隔热结构。所述隔热结构使得内腔室内部的热量限定在内腔体内部，从而减少热量损失，提高了半导体工艺腔室的隔热性能。
半导体工艺腔室夹层空间隔热结构内腔室外腔室半导体工艺外腔室内隔热性能腔体内部热量损失内腔体室内部外腔体内腔

[发明专利]多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备-CN202110411361.5在审
发明人：王松涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，其中，控制方法包括以下步骤：S1、根据多个工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数；S2、向各个工艺腔室的压力控制装置分别输出各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数。本发明提供的多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，能够提高多个工艺腔室在半导体工艺中的压力一致性。
工艺压力控制方法半导体工艺设备

[发明专利]具有集成等离子体处理的束线架构-CN202080041476.3在审
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;克里斯多福·A·罗兰德;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种束线架构包括：晶片搬送腔室；真空加载锁，耦合到晶片搬送腔室以利于在大气环境与晶片搬送腔室之间传送工件；等离子体腔室，耦合到晶片搬送腔室且容纳等离子体源，以用于对工件执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、等离子体退火工艺、预加热工艺、及刻蚀工艺中的至少一者；工艺腔室，耦合到晶片搬送腔室且适于对工件执行离子植入工艺；以及阀门，设置在晶片搬送腔室与等离子体腔室之间，以用于将等离子体腔室与晶片搬送腔室及工艺腔室密封隔绝，其中等离子体腔室内的压力与工艺腔室内的压力能够彼此独立地改变。
具有集成等离子体处理架构

[发明专利]一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法-CN201310631819.3有效
发明人：顾梅梅;朱玉传;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。通过优化氮化硅薄膜工艺的传片方式：将“第一片硅片传入预热腔室等待工艺腔室SDC结束”，优化为“第一片硅片停留在装载端口里等待工艺腔室SDC结束”，以此减少首片硅片在预热腔室的等待时间，后续重复此类条件跑货
一种有效降低硅片小丘缺陷方法

[发明专利]基板处理设备及基板处理方法-CN202110855238.2在审
发明人：李智暎;郑映大;郑智训;金泰信;金源根 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种基板处理设备和基板处理方法，该基板处理设备包括第一工艺腔室组，该第一工艺腔室组包括多个工艺腔室，每个工艺腔室包括将激光光束施用至基板以加热基板的激光光束发射单元；一个激光光束发生器，该一个激光光束发生器通过包括在第一工艺腔室组中的多个工艺腔室中的每个工艺腔室的激光光束发射单元产生施用至基板的激光光束；以及光束移动模块，该光束移动模块包括对应于包括在第一工艺腔室组中的多个工艺腔室的一个或多个镜一个或多个镜中的每个镜被移动到镜形成激光光束的朝向多个工艺腔室中的预定的一个工艺腔室的光路的位置。
处理设备方法

[实用新型]等离子体气相沉积设备-CN202022125134.X有效
发明人：张斌;李王俊 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体气相沉积设备，包括至少两个依次密封对接的工艺腔室；任一所述工艺腔室的与相邻工艺腔室对接的侧壁设有开口；相邻两个所述工艺腔室中，其一设有可密封其靠近另一的侧壁的开口的阀门。上述等离子体气相沉积设备，将阀门设于工艺腔室内，故无需在相邻两个工艺腔室之间再设置阀门密封室，即两个工艺腔室可直接密封对接，从而减少相邻两个工艺腔室之间的密封结构，从而减少相邻两个工艺腔室之间的密封失效的风险
等离子体沉积设备

[发明专利]下射频电源的功率控制方法和装置、半导体工艺设备-CN202111126996.7在审
发明人：卫晶;陈星;张宇;韦刚;单国道;钟晨玉;尤艳艳;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明提供一种下射频电源的功率控制方法和装置、半导体工艺设备，该方法包括：在工艺腔室开始进行半导体工艺时，利用预设的功率补偿关系式，并根据预先获取的参照腔室的第一射频回路参数组和进行半导体工艺的当前工艺腔室的第二射频回路参数组，获得获得当前工艺腔室相对于参照腔室的功率补偿系数；根据功率补偿系数和当前工艺腔室的下射频电源的功率设定值，计算获得当前工艺腔室相对于参照腔室的功率补偿值；控制下射频电源输出功率补偿值。本发明的技术方案可以提高不同工艺腔室的工艺结果一致性。
射频电源功率控制方法装置半导体工艺设备

[发明专利]净化腔室及半导体工艺设备-CN202011155222.2在审
发明人：程晨;孙晋博;杨帅;姚晶;韩子迦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种净化腔室及半导体工艺设备，其中，净化腔室用于半导体设备中与半导体设备中的工艺腔室连接，净化腔室包括腔室本体、第一腔室盖和第二腔室盖，腔室本体至少开设有第一腔室口和第二腔室口，第一腔室口用于与工艺腔室传输待加工工件，第二腔室口背离第一腔室口，第一腔室盖和第二腔室盖分别用于开闭第一腔室口和第二腔室口；净化腔室还包括密封结构，密封结构至少密封设置于腔室本体位于第一腔室口的端部，用于在第一腔室盖闭合第一腔室口时，对腔室本体位于第一腔室口的端部与第一腔室盖之间进行面密封本发明提供的净化腔室及半导体工艺设备，能够提高净化腔室的密封性，改善工艺结果。
净化半导体工艺设备

[发明专利]一种工艺腔室的压力控制方法和装置-CN201510309750.1有效
发明人：马平 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种工艺腔室的压力控制方法，其中，所述的方法包括：获取所述工艺腔室的压力偏差值；若所述压力偏差值小于预设阈值，则读取所述工艺腔室的当前压力值；当所述工艺腔室的当前压力值不等于预设的目标压力值与所述压力偏差值之和时，调整所述工艺腔室的压力。本申请实施例在压力偏差值处于可接受的范围时，根据所述工艺腔室的当前压力值、预设的目标压力值以及压力偏差值三者之间的关系，调整所述工艺腔室的压力，从而实现了在工艺规可能存在偏差的情况下，准确地控制了工艺腔室的压力，使工艺腔室的压力达到目标压力，而且，无需对工艺规进行硬件调零，避免了造成工艺规的损耗。
一种工艺压力控制方法装置

[实用新型]一种晶圆工艺腔室氮气帘结构-CN202223571856.3有效
发明人：杨志勇;王恒;刘京;管健 -专利权人：扬州思普尔科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆工艺腔室氮气帘结构，属于半导体制造技术领域。包括：上腔道，位于工艺腔室门洞上侧的壁厚内，并通过上狭缝与工艺腔室连通；下腔道，位于工艺腔室门洞下侧的壁厚内，并通过下狭缝与工艺腔室连通；上、下狭缝位置对应；气路管道，一端连接氮气源，另一端分别连通上、本实用新型通过给工艺腔室门增加氮气帘，可以隔绝或减少大气进入工艺腔室，提高了工艺效率，提升了产品良率。
一种工艺氮气结构

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