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[发明专利]外延生长装置的工艺腔室-CN201980097920.0在审
发明人：岡部晃;竹永幸生 -专利权人：爱必克股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种外延生长装置的工艺腔室，其是反应处理半导体基板的工艺腔室，具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴向方向上移动
外延生长装置工艺

[发明专利]腔室沉积和蚀刻工艺-CN202080092245.5在审
发明人：马骏;A·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体处理的示例性方法，可包括以下步骤：在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料。处理区域可至少部分地由基板支撑件和面板限定。方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成蚀刻剂前驱物的等离子体。方法可包括以下步骤：蚀刻基板的边缘区域。
沉积蚀刻工艺

[发明专利]半导体设备的工艺腔室-CN202210761713.4在审
发明人：余江浦;王岩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备的工艺腔室，腔室本体上开设有供晶圆传输的传输通道；承载部件设置在腔室本体内，具有用于承载晶圆的承载面；顶针组件设置在承载部件的内部空间中，并能够贯穿承载部件至承载面；驱动组件设置在承载部件的内部空间中，与顶针组件连接，用于驱动顶针组件上升或下降；内门组件设置在腔室本体内；同步组件设置在承载部件的内部空间中，分别与驱动组件和内门组件连接，用于在驱动组件驱动顶针组件上升或下降的同时，同步带动内门组件下降或上升本发明提供的半导体设备的工艺腔室，能够提高半导体设备的工作效率及工作稳定性，并能够降低半导体设备的成本。
半导体设备工艺

[发明专利]工艺腔室流量控制装置-CN202110929036.8在审
发明人：陈正堂;王振东;赵寒阳 -专利权人：北京七星华创流量计有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： F16K1/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种工艺腔室流量控制装置。该工艺腔室流量控制装置包括：阀体组件设置于阀座组件上，阀体组件的一端开设有滑动槽，滑动槽的开口与阀座组件内的流体通道连通，滑动槽与阀座组件相对的内壁上开设有导向孔，导向孔与滑动槽同轴设置；阀芯组件可滑动地设置于滑动槽内
工艺流量控制装置

[发明专利]电感耦合线圈和工艺腔室-CN201710426975.4有效
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01F38/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合线圈和工艺腔室。所述电感耦合线圈用于将射频能量通过介质窗耦合到工艺腔室内，所述线圈包括至少一个线圈绕组，所述线圈绕组包括至少两个线圈分支，所述至少两个线圈分支分别位于具有预设高度差的不同的水平面内，且通过线圈过渡段相连该结构的电感耦合线圈通入射频源时，能够改善耦合到工艺腔室内的电场强度的分布，从而能够改善等离子体分布的均匀性，提高等离子体刻蚀晶片良率，提高产品良率。
电感耦合线圈工艺

[发明专利]晶片传输装置和工艺腔室-CN201410305032.2有效
发明人：叶华;郭浩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明还提供一种包括上述晶片传输装置的工艺腔室。通过以上设计，达到精确定位卡盘上的晶片或托盘的目的。
晶片传输装置工艺

[发明专利]匀流件和工艺腔室-CN201711284928.7有效
发明人：李新颖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种匀流件和工艺腔室。所述匀流件包括本体，所述本体沿进气方向依次设置有至少两级匀流腔，且至少两级所述匀流腔的容积依次增大；相邻两级所述匀流腔之间相互连通，最后一级所述匀流腔用于与工艺腔室连通，以将经过至少两级匀流腔匀流后的工艺气体引入至所述工艺腔室中本发明的匀流件，至少两级匀流腔的容积依次增大，可以使得工艺气体受到压力变化的作用膨胀、扩散。因此，可以改善工艺气体在匀流件内的分布，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内分布更加均匀，进而可以提高工艺腔室中晶片的加工良率，降低制作成本，提高经济效益。
匀流件工艺

[发明专利]角度定位组件和工艺腔室-CN201711014019.1有效
发明人：李萌 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了角度定位组件和工艺腔室。所述角度定位组件，适用于工艺腔室，所述工艺腔室包括腔室本体、相对腔室本体可旋转的接地电极板以及设置在所述腔室本体内的基座，所述基座用于承载晶片，所述角度定位组件包括角度定位件，所述角度定位件与所述腔室本体固定连接，且能够用于限定所述接地电极板相对所述腔室本体的水平旋转角度，以使得所述接地电极板在所述基座上的正投影能够完全覆盖所述晶片。
角度定位组件工艺

[发明专利]工艺腔室及半导体设备-CN201911017045.9有效
发明人：赵联波;王宽冒;郑金果;郭浩;王涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室包括腔室本体和设于所述腔室本体内基座及进气管路，所述进气管路包括主进气通道和多条分流通道，多条所述分流通道均设于所述基座内，并分别与所述主进气通道连通，且各所述分流通道的出气口均位于所述基座的外周面上应用本发明，可以有效减弱了冷泵偏置抽气对沉积薄膜均匀性的影响，使工艺区的气体运动更均匀，改善了沉积薄膜的均匀性，提升了设备的工艺能力和产品品质。
工艺半导体设备

[发明专利]半导体设备及其工艺腔室-CN202010573086.2有效
发明人：纪克红;王帅伟;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室内设置有可升降的基座，基座用于承载晶圆；基座上沿周向均布有多个导向滑块，导向滑块能沿基座的径向滑动；工艺腔室内壁上设置有盖环支架，盖环支架上搭设有盖环，盖环位于基座的上方且与基座同心设置，盖环底部对应于导向滑块设置有多个导向件；在基座上升至工艺位置的过程中，导向件能带动导向滑块沿基座的径向向基座的中心滑动，使导向滑块推动承载在基座上的晶圆，对晶圆与盖环进行对中，基座上升至工艺位置后，盖环压覆于晶圆的边缘上。本申请实施例使晶圆能够自动对中，从而大幅提高工艺良率。
半导体设备及其工艺

[发明专利]下电极组件及工艺腔室-CN202010614772.X有效
发明人：王福来 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开一种下电极组件及工艺腔室，该下电极组件包括承载盘和设置于承载盘的中心区域的转盘，转盘的周向设有叉指，转盘能够相对于承载盘转动和带动叉指升降，其中：转盘包括上下叠置的压盘和固定盘，以及设置于压盘和固定盘之间的至少一个高度调节组件通过调节每个高度调节组件的升降高度，来调节每个叉指的升降高度，从而能够单独调节每个叉指的升降高度，避免由于转盘上叉指高度不一致而导致的晶片上翘而影响工艺结果。
电极组件工艺

[实用新型]工艺腔室及半导体设备-CN201922387055.3有效
发明人：马恩泽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室，应用于半导体设备，包括腔室主体以及设置于腔室主体内的载台结构，载台结构设置于腔室主体的中部；载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；第一悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁连接；第二悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁抵顶；第一悬臂与第二悬臂结构相同、规格相同、且位置相对于载台主体对称设置。应用本实用新型，工艺气体可以从晶圆的周侧均匀向下流动，使气流更加均匀稳定，使得进行工艺处理后的晶圆均匀性更好，从而提高了晶圆的表面质量；还可以有效改善腔室下方抽气的空压能力，缩短工艺时间，增加机台的工作效率等
工艺半导体设备

[实用新型]半导体设备及其工艺腔室-CN202222743894.6有效
发明人：王德志 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体设备及其工艺腔室，该工艺腔室包括腔体和设置于腔体上方的进气装置，进气装置包括进气组件和匀流盖板，匀流盖板设置于进气组件的朝向腔体的一侧，进气组件具有进气通道，匀流盖板具有匀流结构，进气通道通过匀流结构与工艺腔室内部连通，其中，匀流盖板包括中心区域以及环绕中心区域设置的边缘区域，边缘区域的厚度大于中心区域的厚度。本技术方案，其可在工艺过程中，尽可能降低匀流盖板各区域的温度差异，以提升半导体设备的工艺腔室的工艺稳定性。
半导体设备及其工艺

[实用新型]半导体设备的工艺腔室-CN202223186216.0有效
发明人：邓雅天;许金基;叶琦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种半导体设备的工艺腔室。半导体设备的工艺腔室包括腔体、内衬以及内门组件；内衬设于腔体内，内衬设有传片口；内门组件包括内门，内门用于遮挡或者避让传片口；内门的内部具有内门气道，内衬的内部具有内衬气道，内门气道和内衬气道均具有进气口和出气口本实用新型提供的半导体设备的工艺腔室，通过降低加热器功率和吹扫散热的双控手段降低工艺腔室的温度，不但缩短了工艺流程时长，使得刻蚀工艺晶圆产率较高，而且提高了晶圆启辉等工艺条件的一致性，使得晶圆的刻蚀一致性较高
半导体设备工艺

[发明专利]原位腔室处理与沉积工艺-CN200980134897.4有效
发明人：保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩;梅·张;史蒂文·H·金;吴典晔;诺曼·M·纳卡西玛;马克·约翰逊;罗亚·帕拉科德迪 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种用于在例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的气相沉积工艺期间，处理工艺腔室的内表面和在其上沉积材料的方法。在一实施例中，于预处理工艺期间，该工艺腔室的内表面和该基板可暴露至试剂，例如，氢化配体化合物。该氢化配体化合物可为与自后续沉积工艺期间使用的金属有机前驱物所形成的自由配体相同的配体。该自由配体通常在沉积工艺期间通过氢化或热解来形成。在一范例中，于实施气相沉积工艺前，该工艺腔室和基板在预处理工艺期间暴露至烷基胺化合物(例如，二甲胺)；该气相沉积工艺使用金属有机化学前驱物，其具有烷胺配体，例如，五(二甲胺)钽(PDMAT)。
原位处理沉积工艺