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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202111332533.6在审
  • 白鹏展 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-11-11 - 2022-03-08 - H01L21/67
  • 本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，所公开的工艺腔室，包括腔室本体、加热基座、顶针、顶针支撑件和调节件，其中：顶针支撑件设于腔室本体的底壁与加热基座之间；加热基座开设有避让孔，调节件连接于顶针支撑件与腔室本体之间，且用于调节顶针支撑件相对腔室本体的位置；在第一状态下，顶针的连接端穿过避让孔、且支撑于顶针支撑件上；在第二状态下，顶针分别与避让孔和顶针支撑件分离，调节件可通过避让孔显露。
  • 半导体工艺设备及其工艺
  • [发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN202111389458.7在审
  • 林源为;董子晗 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-11-22 - 2022-04-08 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，该工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内部的基座和设置于基座上的聚焦环，还包括：多个聚焦环补充结构，多个聚焦环补充结构沿周向环绕设置于聚焦环上方，聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；水平驱动机构，水平驱动机构设置于腔室本体的侧壁且与聚焦环补充结构连接，水平驱动机构用于驱动多个聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各聚焦环补充结构相对于聚焦环在竖直方向上的重叠面积。
  • 工艺半导体工艺设备
  • [发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN202210092374.5在审
  • 王建龙 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-05-06 - H01J37/32
  • 本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，内衬组件环绕下电极组件设置，隔离部件设置于腔室本体的内周壁和内衬组件之间，使等离子体与腔室本体电绝缘；内衬组件的上内衬套设在下内衬的外周，上内衬的顶部和下内衬的底部分别与腔室本体的顶壁和底部电连接本发明提供的工艺腔室及半导体工艺设备能够对等离子体的接地面积进行调节，从而能够提高对等离子体的能量、轰击晶圆的能力以及刻蚀晶圆的速率的可控性，进而能够提高等离子体刻蚀工艺的灵活性，满足低损伤的等离子体刻蚀工艺的需要
  • 工艺半导体工艺设备
  • [发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202210345546.5在审
  • 徐柯柯 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-07-22 - H01L21/67
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：工艺管、腔室组件及尾气装置；腔室组件设置于工艺管内，腔室组件的两端分别形成有传输口及尾气口；尾气装置设置于工艺管内，并且位于尾气口的一侧，尾气装置的壳体上开设有导入口及导出口，导入口与流体通道的一端连通，流体通道与竖直方向形成第一预设夹角，流体通道的另一端与缓冲腔连通，缓冲腔与导出口连通，导出口用于将缓冲腔内的尾气排出；止挡台阶设置于缓冲腔内的与流体通道的连接处，用于防止缓冲腔内的尾气倒流至流体通道内本申请实施例能避免尾气及颗粒倒灌对晶圆造成污染，从而大幅提高外延工艺质量。
  • 半导体工艺设备及其工艺
  • [发明专利]工艺腔室和半导体工艺设备-CN202310389590.0在审
  • 陈志兵;李旭刚 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-08-01 - H01L21/67
  • 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室包括：腔体、第一隔热层、第二隔热层和进气管；第一隔热层和第二隔热层分别设于腔体内，并沿工艺腔室轴向排布，第一隔热层与第二隔热层之间形成燃烧区；进气管的一端穿过第二隔热层延伸至燃烧区，进气管包括进气内管和进气外管，进气内管与进气外管之间具有进气道，进气内管的所述一端封闭并凸出于进气外管，所述进气内管凸出于进气外管的侧壁设有气孔，气孔与管腔连通。
  • 工艺半导体工艺设备
  • [发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN202011299759.6有效
  • 鲁艳成;韦刚;茅兴飞 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-11-19 - 2022-03-22 - H01J37/32
  • 本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室应用于半导体工艺设备，包括：腔室本体、基座及卡盘组件；腔室本体内形成有反应腔，基座位于反应腔内，卡盘组件与基座连接，以用于承载待加工工件；基座包括基座本体和多个悬臂，悬臂分别连接反应腔的内壁和基座本体的外壁，且多个悬臂沿基座本体的周向间隔且均匀设置；腔室本体、基座本体和悬臂为一体成型结构，且由具有导电性和导热性的材质制成。本发明实现了大幅提高工艺腔室的射频回路均匀性及整体温度均匀性，进而大幅提高待加工工件的良率。
  • 工艺半导体工艺设备
  • [发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202010888658.6有效
  • 蒋秉轩 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-08-28 - 2022-10-21 - C23C14/35
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。工艺腔室包括：腔体及设置于腔体内的准直器；准直器包括固定部及活动部，固定部及活动部均呈环状，其上均设置有多个沿腔体轴向延伸的开口，固定部与腔体连接，活动部可移动地嵌套于固定部内，并且活动部能在固定部的轴向上选择性定位本申请实施例实现了在靶材的任意寿命周期内，晶圆上沉积薄膜的均匀性均满足工艺需求，从而大幅提高了半导体工艺设备的正常运行时间，进而降低了应用成本。
  • 半导体工艺设备及其工艺
  • [发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN202110731675.3有效
  • 郭浩 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-06-29 - 2022-11-25 - C23C14/35
  • 本申请公开一种工艺腔室，包括腔体、承载座、内衬组件、靶材和移动烘烤灯组件，靶材设置于腔体的顶部开口上，内衬组件至少部分位于腔体内，且内衬组件的一端设置于靶材和腔体之间，内衬组件的另一端悬空，承载座设置于腔体内上述方案能够解决相关技术中烘烤灯发出的大部分光线被承载座阻挡而导致工艺腔室内的部件得到的照射面积较小，从而导致工艺腔室较难快速形成真空环境的问题。
  • 工艺半导体工艺设备
  • [发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202011494183.9有效
  • 黄其伟;常青 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-12-17 - 2022-10-21 - C23C14/56
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、承载装置以及控温装置，其中，承载装置设置于腔室本体内，且承载装置包括基座及升降机构，基座用于承载待加工工件；升降机构用于带动待加工工件升降，以使待加工工件与基座分离或接触；控温装置包括有承载台，承载台设置于腔室本体内，用以在升降机构带动待加工工件与基座分离时，选择性移动至基座及待加工工件之间，并在升降机构带动待加工工件下降以承载待加工工件并对待加工工件的温度进行控制。本申请实施例实现了快速对晶圆进行冷却，从而提高工艺速率，并且避免人为处理时效低导致晶圆冷却不及时造成的晶圆缺陷。
  • 半导体工艺设备及其工艺
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