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[发明专利]一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统-CN201610360059.0有效
发明人：佘鹏程;彭立波;陈特超;毛朝斌;陈立宁 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统，包括机架、真空腔体和真空获得系统，真空腔体包括预真空室和工艺腔室，预真空室位于工艺腔室的上方且与工艺腔室连通，工艺腔室内分别设有溅射靶组件、加热组件、扫描小车、射频清洗台以及可从工艺腔室上升至预真空室的基片架，基片架上设有可隔断预真空室和工艺腔室的底板，扫描小车用于承接基片架上的基片盘并带动基片盘在溅射靶组件、加热组件、射频清洗台之间移动，真空获得系统用于对预真空室和工艺腔室抽真空。
一种用于薄膜混合集成电路生产型多靶磁控溅射系统

[发明专利]对半导体基板进行湿处理的装置和方法-CN201680090186.1有效
发明人：王晖;王希;程成;吴均 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：装置包括：工艺腔室(1005)、设置在工艺腔室内保持半导体基板(1001)的卡盘(1002)、驱动卡盘旋转的旋转驱动器(1004)、包围工艺腔室的腔室护罩(1006)、至少一个竖直驱动器驱动腔室护罩上下移动当保护罩向下遮盖工艺腔室时，腔室护罩向上移动与保护罩配合，密封工艺腔室，防止液体飞溅出工艺腔室。
对半导体进行处理装置方法

[发明专利]具有温度控制设备的原子氧与臭氧清洁装置-CN202280015306.7在审
发明人：吴半秋;伊莱·达甘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及具有UV辐射产生器温度控制的氧清洁腔室及原子氧清洁基板的方法。原子氧清洁腔室包括工艺腔室和耦接至工艺腔室的冷却腔室以及将工艺腔室从冷却腔室密封地分隔的分隔件。紫外线(UV)辐射产生器设置在冷却腔室中，并且提供UV辐射通过分隔件进入工艺腔室中。气体分配组件在工艺腔室中的基座的上表面之上分配臭氧，并且冷却剂分配组件将冷却气体分配至冷却腔室中以冷却UV辐射产生器。
具有温度控制设备原子臭氧清洁装置

[实用新型]工艺腔室和包括其的解耦等离子体氮化设备-CN202221915988.0有效
发明人：施路遥;钱迪 -专利权人：盛吉盛半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工艺腔室和包括其的解耦等离子体氮化设备，其中该工艺腔室包括：腔室本体、腔室盖板、进气装置和分气装置；腔室盖板盖设在腔室本体上，进气装置设置于腔室盖板朝向腔室本体的一侧，以向腔室本体内通入工艺气体；腔室本体的下部设置有载台，以将晶圆放置于载台上；分气装置设置于腔室本体内，位于进气装置与载台之间，分气装置与晶圆对应的位置处设置有供工艺气体流通的分气通道。本实用新型通过在进气装置与载台之间增设分气装置，使得流经放置于载台的晶圆的表面的工艺气体更加均匀。
工艺包括等离子体氮化设备

[发明专利]用于仪表的连接件及其制备方法-CN202310403653.3在审
发明人：牛艳颖;汪晨辉;齐云飞;程岳;高文迦;焦少阳;郑越;王超 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： F16L41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于仪表的连接件及其制备方法，包括：主腔室、与主腔室连接的微孔腔室，主腔室与微孔腔室联通，主腔室用于连接工艺管道，主腔室与工艺管道联通，微孔腔室用于与仪表的探测机构密封连接，探测机构的探测区位于微孔腔室内本发明中的用于仪表的连接件采用整体连接，采用一体化仪表连接件将测量仪表连接至核电厂工艺管道上，减少了仪表接头、仪表接头与测量仪表之间的连接件，同时取消了仪表接头在工艺管道上的焊接，将仪表接头纳入工艺管道范围，主腔室两端与工艺管道焊接类似于工艺管道与工艺管道之间的焊接，属于成熟的焊接技术，有利于提高各测量仪表的监测精度以及工艺系统管道的运行安全性。
用于仪表连接及其制备方法

[发明专利]清洁工艺腔室的方法-CN201810723869.7有效
发明人：李宗霖;林艺民;叶致宏;王子元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开清洁工艺腔室的方法。一种清洁工艺腔室的方法包括以下步骤。在所述工艺腔室的内部表面上交替地形成多个工艺膜及多个非工艺膜。执行清洁操作，以从所述工艺腔室的所述内部表面除去所述多个工艺膜及所述多个非工艺膜。
清洁工艺方法

[发明专利]工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置-CN202211219788.6有效
发明人：阮正华;顾锐 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的，基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，基于目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，在异常排除的情况下基于工艺腔室中反应气体的当前种类和含量以及当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断恢复，能够提高晶圆良品率。
工艺环境配置过程中断恢复方法装置

[发明专利]半导体工艺设备-CN202210574363.0在审
发明人：茅兴飞;杨纪鹏;杨瑞;李岩;陈星;金光浦;王伟;戴庚霖;姚卫杰;杨延铭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、介质窗、射频腔室和气流引入装置，介质窗设于工艺腔室的上方，射频腔室设置于工艺腔室上方，且介质窗朝向射频腔室的内部，射频腔室设有通气口，在气流引入装置的作用下，外部气体由通气口进入射频腔室内，并在射频腔室内自上而下流向介质窗的控温气流，射频腔室的侧壁开设有散热孔。如此设置，即使介质窗处于高功率射频条件下，采用该半导体工艺设备能够对介质窗快速降温，使介质窗降温至适宜温度范围内。
半导体工艺设备

[发明专利]沉积设备以及物理气相沉积腔室-CN201610407585.8有效
发明人：张军;董博宇;赵晋荣;武学伟;郭冰亮;徐宝岗;张鹤南;王桐;刘绍辉;王军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积设备，包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境，以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一腔室通过第三腔室直接传输至第二腔室。本发明还提供一种物理气相沉积腔室，包括腔室本体、靶材、承载底座以及热源；承载底座设置于腔室本体内，用以承载基板；热源设置于腔室本体内，热源经配置用以将腔室本体加热至高温环境，以对基板进行排气工艺以及溅射工艺本发明提供的沉积设备以及物理气相沉积腔室，可省去额外的预热/排气腔室并进而达到减少设备体积与成本的效果。
沉积设备及物理气

[发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN201611044444.0在审
发明人：徐春晖;万成;陈伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，通过在腔体上相对设置第一进气口和第二进气口，再利用第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体，从而在工艺腔室内产生对流，加快对工艺腔室的清洁，缩短工艺腔室的清洁时间。
工艺半导体工艺设备

[发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备-CN202011149186.9在审
发明人：徐刚;郑波;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室用于半导体工艺设备，工艺腔室用于与半导体工艺设备的传输腔室连接，其包括：腔体及控温装置；腔体上形成有并列设置的多个容置腔，容置腔用于容置待加工件以执行处理工艺；控温装置设置于腔体的壁体内，用于对容置腔进行加热；腔体上还具有散热部，散热部设置于相邻两个容置腔之间的壁体内，散热部用于隔绝两个相邻的容置腔之间的热量传递。本发明实现了有效隔绝两个容置腔之间的热量传递，因此可以避免两个容置腔之间出现热量堆积，从而提高了工艺腔室的温度均匀性。另外，散热部还避免控温装置对两个相邻的容置腔造成影响，从而进一步提高了工艺腔室的温度均匀性。
工艺半导体工艺设备

[发明专利]工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法-CN201810482466.8在审
发明人：吴振;马静霞;王晓尉 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明是关于一种工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法。该工艺腔室包括腔体与至少一个观察窗，所述工艺腔室还包括截止组件；所述截止组件用于使得所述至少一个观察窗与所述腔体内部阻隔或连通。该技术方案中，在工艺腔室采用LPCVD工艺进行膜层沉积时，截止组件可以阻隔观察窗与腔体内部环境，避免了化学物质对观察窗的污染，提高了观察窗的使用寿命；在工艺腔室完成LPCVD工艺之后，截止组件可以连通观察窗与腔体内部，便于用户通过观察窗观察工艺腔室的工艺进程，提高了用户体验。
观察窗工艺腔室截止组件腔体内部连通阻隔工艺进程工艺控制化学物质膜层沉积生产设备使用寿命用户体验腔体观察污染

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202011278607.8在审
发明人：李渊;吴仪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备及其工艺腔室，该半导体工艺腔室包括承载装置和设置于承载装置上方的多相流喷嘴阵列，承载装置用于承载待清洗件，多相流喷嘴阵列用于朝向待清洗件的待清洗表面喷淋清洗介质，其中，多相流喷嘴阵列在待清洗件径向上的最大尺寸大于或等于待清洗件的半径
半导体工艺设备及其工艺

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202111146244.7在审
发明人：郭春 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，涉及半导体加工设备技术领域。该工艺腔室包括腔体、盖体和内衬，腔体的进气侧具有开口端，开口端设置有安装台，安装台凸出并环设于腔体的内侧壁；盖体盖合于开口端，且盖体与开口端密封配合；内衬设置于腔体内，内衬与安装台可拆卸连接。该方案能解决工艺腔室内的维护难度大的问题。
半导体工艺设备及其工艺

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202111151623.5在审
发明人：刘珂;马恩泽;李广 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体和设置于腔体中的基座、静电卡盘、第一下电极悬臂和第二下电极悬臂，静电卡盘设置在基座上，基座通过第一下电极悬臂固定在腔体的内壁上，并通过第一下电极悬臂的内腔与腔体外部的外设件连接本发明还提供一种半导体工艺设备。
半导体工艺设备及其工艺

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