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[实用新型]一种等离子体增强原子层沉积成膜装置-CN202320254507.4有效
发明人：明自强;赵茂生;王韫宇;田玉峰 -专利权人：厦门韫茂科技有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体增强原子层沉积成膜装置，涉及等离子体发生装置技术领域，包括真空腔室、反应腔室以及工艺腔室，工艺腔室置于真空腔室内；反应腔室内置有线圈，该反应腔室的侧壁上设有多个进气口，且各进气口通过气体分流器控制进气比例；反应腔室相对所述侧壁的另一端为敞口，该敞口置于真空腔室内，并与工艺腔室连通；工艺腔室设有与反应腔室连接的进气端以及与真空泵连通的排气端，以使反应腔室内的等离子体源流向工艺腔室；工艺腔室内置有支架，所述支架上设有若干个用以放置待加工基片的放置层，各放置层的布设方向与等离子体源的流动方向平行，以确保各层基片与等离子体源均匀接触，从而提高各基片间的均一性以及工艺稳定性。
一种等离子体增强原子沉积装置

[实用新型]一种多腔室等离子刻蚀机-CN201920234290.4有效
发明人：马立;蒋秀林;汤海洋 -专利权人：晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多腔室等离子刻蚀机，包括腔室、真空装置和刻蚀装置，还包括水平传输装置，所述的水平传输装置位于所述腔室的底面，并延伸至所述腔室两侧；所述腔室的两侧面设有腔室门，所述的腔室通过隔门分隔成依次排列的进料缓冲腔、工艺腔和出料缓冲腔，所述的进料缓冲腔、工艺腔和出料缓冲腔分别安装有所述的真空装置；所述的工艺腔中设有工位，所述工位上安装所述的刻蚀装置。这种新型多腔室等离子刻蚀机可省去在刻蚀工艺中需要反复手动操作的过程，有效提高生产效率。
腔室工艺腔等离子刻蚀机水平传输装置进料缓冲腔刻蚀装置真空装置多腔室缓冲腔出料工位本实用新型刻蚀工艺生产效率依次排列两侧面腔室门底面分隔隔门延伸

[发明专利]工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备-CN202210860054.X在审
发明人：史晶 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该方法在半导体工艺腔室闲置时，对半导体工艺腔室进行气体吹扫，且实时监测半导体工艺腔室中的异常气体浓度，得到相应的第一浓度值，异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正相关；若第一浓度值大于所述第一阈值，则在气体吹扫的基础上，将预设气体通入半导体工艺腔室中，使得预设气体与半导体工艺腔室中的潜在工艺颗粒源发生化学反应，生成相应的反应物颗粒，且反应物颗粒在气体吹扫下进入与半导体工艺腔室连通的尾排处理器。本技术方案，可在半导体工艺处理过程中，有效清除半导体工艺腔室中的工艺颗粒，避免出现工艺颗粒超标影响产品良率的问题。
工艺颗粒监测处理方法半导体工艺设备

[发明专利]传送腔室和包括传送腔室的晶片处理模块-CN202310113768.9在审
发明人：朴时贤;章准桓;朴仁煌 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供了一种传送腔室，其设置在缓冲单元和工艺腔室之间以传送晶片，缓冲单元提供晶片在被传送之前所停留的空间，工艺腔室中的每个提供执行晶片处理工艺的空间，传送腔室包括：主机器人，用于在缓冲单元和工艺腔室之间或者在工艺腔室之间传送晶片；导轨，连接到主机器人以供主机器人移动；以及框架，限定传送腔室的主机器人和导轨操作的空间，其中，多个封闭件连接到框架以封闭由框架形成的多个开放区域。
传送包括晶片处理模块

[发明专利]于工艺腔室表面或部件上形成保护涂层的方法-CN202080062730.8在审
发明人：吉蒂卡·巴贾;尤吉塔·巴瑞克;普莉娜·松特海利亚·古拉迪雅;安库尔·凯达姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本揭露内容的实施方式提供在工艺腔室表面和/或部件上制造或以其他方式形成包含氧化铈的保护涂层的方法，工艺腔室表面和/或部件例如是暴露于工艺腔室内的等离子体的表面。在一个或多个实施方式中，在工艺腔室内形成保护涂层的方法包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将氧化铈层沉积在腔室表面或腔室部件上。ALD工艺包括在一个ALD周期中，将腔室表面或腔室部件依次暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和净化气体，以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。
工艺表面部件形成保护涂层方法

[发明专利]立式光伏电池钝化沉积装置-CN202011574823.7在审
发明人：陈庆敏;李丙科;孙志宇;张海洋;景程 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种立式光伏电池钝化沉积装置，具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，工艺腔室顶端通过上法兰密封组与腔室上盖紧密连接，底端与外部的气体处理装置连通，在工艺腔室内配套使用多个石墨盘，每个石墨盘上承载若干个硅片后逐层叠放在工艺腔室内。本发明具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，通过立式的工艺腔室实现光伏电池钝化工艺。该装置占地面积小，布局更加合理，集约程度高，提高生产效率，降低生产成本。
立式电池钝化沉积装置

[实用新型]立式光伏电池钝化沉积装置-CN202023231522.2有效
发明人：陈庆敏;李丙科;孙志宇;张海洋;景程 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种立式光伏电池钝化沉积装置，具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，工艺腔室顶端通过上法兰密封组与腔室上盖紧密连接，底端与外部的气体处理装置连通，在工艺腔室内配套使用多个石墨盘，每个石墨盘上承载若干个硅片后逐层叠放在工艺腔室内。本实用新型具有一个竖向设置的主机室，主机室内至少具有一个竖向设置的工艺腔室，通过立式的工艺腔室实现光伏电池钝化工艺。该装置占地面积小，布局更加合理，集约程度高，提高生产效率，降低生产成本。
立式电池钝化沉积装置

[实用新型]热处理装置及太阳能电池的制备设备-CN202223402948.9有效
发明人：董刚强;郁操;冉孝超;赵宇;王琦;姜昊 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：一种热处理装置，用于太阳能电池的制备设备，该热处理装置包括：沿物料流动方向设置的进料腔室、工艺腔室和出料腔室；进料腔室的出料端与工艺腔室的进料端之间通过第一门阀相连，工艺腔室的出料端与出料腔室的进料端之间通过第二门阀相连；进料腔室、工艺腔室和出料腔室分别通过管路与抽真空装置连接，所述管路上设置有调节阀；工艺腔室通过气体输送管道与保护气体源连通，用于进料腔室中注入保护气体。
热处理装置太阳能电池制备设备

[发明专利]一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法-CN201710692556.5有效
发明人：张晓朋;李翠双;魏双双;张建旗;尚琪 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。由于盛放硅片的石墨舟可以快速地进入和传出工艺腔室，本发明实施例能够快速地对硅片的镀膜效果进行检测，进而快速判定出影响镀膜效果的因素，可以提高生产效率。
一种硅片 pecvd 镀膜效果检测方法

[发明专利]物料调度方法-CN202010628425.2在审
发明人：吴洁 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种物料调度方法，包括：根据所有工艺模块中工艺腔室的当前属性对物料队列中的物料依次进行分组，并标记每个物料所要进入的工艺模块标识，其中，当前属性包括可用和禁用，分组形成的每个物料组中的物料个数对应所标记工艺模块中当前属性为可用的工艺腔室的个数；根据分组结果将被标记为同一工艺模块标识的物料同时传入对应工艺模块中当前属性为可用的工艺腔室中；在传入过程中，实时监测每个工艺腔室的占用状态变化，根据每个工艺腔室的当前占用状态对未被传入工艺腔室的物料重新分组并重新标记所要进入的工艺模块标识
物料调度方法

[发明专利]一种立式双室热丝CVD系统及其使用方法-CN202211432334.7在审
发明人：吴向方;梁玉生;孔祥鹏;吴煦;梁家禄;蔡豫 -专利权人：鹏城半导体技术（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种立式双室热丝CVD系统及其使用方法，涉及化学沉积镀膜设备技术领域，进样室具有预处理腔。工艺室具有工艺腔，工艺腔与预处理腔相连通。若干个传动辊设置于预处理腔和工艺腔底部。插板阀用于插设于进样室靠近工艺室的一侧，将预处理腔和工艺腔隔离开。还用于拔出插板阀时，将预处理腔和工艺腔之间连通。样品车位于传动辊上，且沿着传动辊在预处理腔和工艺腔之间移动；样品车具有安装腔，安装腔用于安装基片。热丝用于在样品车移动至工艺腔内时，位于安装腔内，且基片位于热丝的一侧或者两侧。进气管路设置于工艺腔顶部，进气管路用于通入混合气体。抽气系统用于抽真空，与预处理腔和工艺腔底部相连通。本发明用于基片镀膜。
一种立式双室热丝 cvd 系统及其使用方法

[发明专利]晶圆传输控制方法-CN202010364592.0在审
发明人：王松涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆传输控制方法，方法包括：向工艺腔室输入目标气体并进行真空排气，以使工艺腔室维持在第一压力；依次打开工艺腔室和过渡腔室的门阀，并将晶圆从处于第二压力的过渡腔室内传送至处于第一压力的工艺腔室内升起的支撑针组件上，其中，第二压力大于第一压力，且二者的差值在预设范围内；依次关闭过渡腔室和工艺腔室的门阀，并停止向工艺腔室输入目标气体；保持真空排气至预设时长，以降低工艺腔室内的目标气体浓度；控制支撑针组件带动晶圆下降
传输控制方法

[发明专利]立式热处理设备-CN202011247176.9有效
发明人：杨帅;杨慧萍 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该立式热处理设备用于对待加工工件进行热处理工艺，包括：机箱、工艺腔室、加热腔室及检测组件，检测组件包括发射传感器，发射传感器设置于加热腔室的顶部，机箱内部的底面上相对发射传感器设置有第一反射部；工艺腔室的顶部具有透光部及第一遮光部，透光部位于发射传感器发射的光束的路径上，第一遮光部环绕透光部设置；通过判断发射传感器是否能接收到第一反射部反射的光束，用以检测工艺腔室是否与加热腔室同心设置。本申请实施例实现了对工艺腔室及加热腔室的同心度检测，并且避免现有技术中由于间接调整造成的累积误差，从而大幅提高了工艺腔室与加热腔室同心度的精确性。
立式热处理设备

[发明专利]工艺腔室的派货方法和系统-CN201410440424.X有效
发明人：李红;张昊;肖柯 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室的派货方法和系统，通过将具体的派货规则细化到机台中的每个工艺腔室，并对并行模式的工艺腔室和串行模式的工艺腔室分别采取有针对性的方式进行派货，并且还通过一派货系统实现派货规则的自动化执行，从而解决了现有技术中当发生堆货情况时，进行人工派货而可能引起的工艺腔室利用率不高、产能下降等问题，在一定程度上提高了机台中每个工艺腔室的利用率。
工艺方法系统

[发明专利]基材保护膜成形装置-CN202211735683.6在审
发明人：徐飞;恽旻杨 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基材保护膜成形装置，包括工艺腔室、抽真空装置和等离子发射器，所述工艺腔室用于容置基材，所述工艺腔室内安装有热板；所述抽真空装置连通所述工艺腔室，用于对所述工艺腔室进行抽真空操作；所述等离子发射器位于所述工艺腔室外，用于将通入其内的工艺气体电解分离为等离子体，其等离子体发射口连通所述工艺腔室；其中，所述等离子体进入所述工艺腔室内并冲击所述基材，以在所述基材表面生成保护层。
基材保护膜成形装置