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[发明专利]电镀设备-CN202210337391.0在审
发明人：李佳奇;李彪;盛俊威;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25D21/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种电镀设备，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方并插设于膜架的通孔内，其侧壁上开设至少一个第二孔；扩散板，固定于膜架顶部，开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，再通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过第三孔到达基板。本发明能够对流体的流速进行缓冲，有效解决受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高电镀产品的质量。
电镀设备

[发明专利]半导体设备-CN202210340521.6在审
发明人：陆陈华;刁建华;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括喷淋装置和多个工作腔体，喷淋装置包括供液管路、增压装置和压力控制装置，供液管路包括主管路和多个支管路，多个支管路包括第一管路和第二管路，主管路连接第一管路的第一端和第二管路的第一端；增压装置设置于主管路，增压装置根据第一预设压力值对通入主管路中的喷淋液加压，加压后的喷淋液分别进入第一管路和第二管路，第一管路的第二端的喷淋液具有第一预设压力值；压力控制装置根据第二预设压力值调节第二管路内的喷淋液压力，使得第二管路的第二端的喷淋液具有第二预设压力值；其中，多个工作腔体连接第一管路的第二端和第二管路的第二端。本发明具有能够同时对不同液压需求的产品进行处理的优点。
半导体设备

[发明专利]改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法-CN202210344802.9在审
发明人：刘畅;仰庶;张晓燕;王晖;王坚 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提出改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法，属于半导体制备工艺技术领域。包括：保持晶圆旋转，滴胶在已经涂覆有至少一层光刻胶的晶圆中心；对晶圆进行多段式光刻胶边缘修复药液清洗处理，以改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘产生气泡的缺陷；其中，多段式光刻胶边缘修复药液清洗处理包括多区域光刻胶边缘修复药液清洗处理和/或多时段光刻胶边缘修复药液清洗处理；停止光刻胶边缘修复药液清洗晶圆，提高晶圆旋转转速以将晶圆上多余液体去除。本发明的改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法无需对硬件进行改造，通过调整EBR药液对晶圆进行清洗的相关参数，可有效解决晶圆在进行多层涂胶过程中产生气泡问题，简单方便，可操作性高。
改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷方法

[发明专利]改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法-CN202210319328.4在审
发明人：魏雄飞;王文军;张晓燕;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法，在对晶圆执行高温刻蚀工艺之前，先对工艺腔及晶圆载台进行预加热，使得工艺腔内环境以及晶圆载台快速升温至预设的工艺温度，接下来再将晶圆送入工艺腔执行刻蚀工艺，工艺腔及晶圆载台的温度稳定在预设的工艺温度，对刻蚀液的刻蚀速率影响基本持平，同一批晶圆的刻蚀厚度基本一样，消除了传统高温刻蚀工艺升温阶段产生的首片效应以及工艺误差。
改善高温刻蚀工艺中首片效应方法

[发明专利]半导体设备-CN202210344489.9在审
发明人：王先星;李彪;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B66F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括控制器和升降组件，控制器控制升降组件的运动，半导体设备还包括安全组件，安全组件包括安全检测件和可转动的转动件；安全检测件与控制器通信连接，安全检测件通过检测转动件以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动。在一个实施例中，升降组件连接半导体设备的工作腔体的上盖，本发明根据安全检测件检测转动件的结果以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动，从而能够有效阻止工作腔体的上盖异常下降，防止人员受伤。
半导体设备

[发明专利]薄膜沉积装置-CN202210247529.8在审
发明人：王晖;张山;谢素兰;费红财;金京俊;李翰相;白晛祐 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种薄膜沉积装置，具有基板支撑组件，包括：中心轴和设于中心轴顶部的支撑座；旋转轴和设于旋转轴顶部的支撑环，支撑环环绕支撑座设置，支撑座和支撑环分别用于支撑基板的中间区域和边缘区域；第一致动器，与旋转轴相连，用于驱动支撑环旋转；第二致动器，用于驱动支撑环和支撑座在竖直方向相对移动；缓冲部，用于基板与支撑环接触时进行缓冲。缓冲部能够在基板与支撑环接触的瞬间产生一个缓冲力，以吸收部分支撑环与基板接触时两者间形成的冲击力，避免基板因冲击力产生翘曲、碎片以及与支撑座接触不良的问题，使得基板与支撑环的接触更加平稳和可靠，实现基板与基板支撑组件接触时紧密贴合。
薄膜沉积装置

[发明专利]一种无应力抛光装置-CN201610255687.2有效
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明公开了一种无应力抛光装置，包括晶圆夹、辅助喷头装置和主喷头装置。晶圆夹夹持有晶圆，晶圆夹可水平移动并旋转；辅喷头装置包括辅喷头和辅喷头上的多个喷嘴，辅喷头位于晶圆夹下方，喷嘴面向晶圆的外边缘及晶圆夹喷洒电解液，辅喷头在水平方向上倾斜放置，且在晶圆夹的运动过程中，晶圆边缘在主喷头上方时辅喷头喷洒到晶圆上的液点比晶圆中心在主喷头上方时辅喷头喷洒到晶圆上的液点距圆心的距离远，辅喷头装置还包括遮盖在辅喷头外部的用于挡住喷洒出的电解液的保护罩，保护罩上开有一可供电解液通过的窗口，窗口在辅喷头上水平移动；主喷头装置包括主喷头，主喷头位于晶圆夹的下方，主喷头面向晶圆喷洒电解液。
一种应力抛光装置

[发明专利]基板清洗设备及其翻转装置-CN202210138646.0在审
发明人：李亚洲;王鹤;郭争辉;陶晓峰;贾社娜;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出的基板清洗设备及其翻转装置中，基板翻转装置包括槽、提升机构和翻转机构，提升机构设置在槽一侧，配置为接收基板并带动基板升降；翻转机构设置在槽上，用于翻转基板，配置为相对提升机构在接片位置和取片位置之间移动，接片位置为翻转机构从提升机构中接收基板的位置，取片位置为从翻转机构取出基板的位置。在本发明中，完成槽式清洗的多片基板能够一次性转移到提升机构中，并由翻转机构分多次快速转移到工艺机械手，这不仅使得完成槽式清洗的基板在基板清洗槽内的停留时间减少，提高基板清洗设备的效能，还有利于提高基板翻转装置的传输速度。
清洗设备及其翻转装置

[发明专利]使用基板支撑装置清洗基板背面的方法-CN201911043432.X有效
发明人：王晖;陈福平;张怀东;王文军 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明揭示了使用基板支撑装置清洗基板背面的方法，包括：终端执行器夹持基板至旋转夹盘的上方，第一气体通道和第二气体通道关闭；终端执行器向下移动至基板靠近导柱，打开第二气体通道，通过第二注入口向基板的正面喷射气体；终端执行器释放基板，关闭第二气体通道，第二注入口停止向基板的正面喷射气体，基板沿导柱的侧表面下落至导柱的支撑部并由支撑部支撑；打开第二气体通道，第二注入口喷射出的气体吹浮起基板；终端执行器从旋转夹盘的上方移走，打开第一气体通道，通过第一注入口向基板的正面吹气，利用伯努利效应使基板保持稳定的漂浮状态；旋转夹盘旋转，将至少一个喷嘴移至基板背面的上方，喷嘴向基板背面喷洒清洗液，清洗基板的背面。
使用支撑装置清洗背面方法

[发明专利]半导体基板清洗装置-CN201780087928.X有效
发明人：王晖;陶晓峰;陈福平;贾社娜;王希;张晓燕;李学军 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体基板清洗装置。装置包括腔室(101)、卡盘(102)、液体收集器(104)、围墙(105)、至少一个驱动装置(106)、至少一个内部分配器(111)及至少一个外部分配器(118)。腔室(101)具有顶壁(1011)、侧壁(1012)和底壁(1013)。卡盘(102)设置在腔室(101)内用来保持半导体基板(103)。液体收集器(104)围绕着卡盘(102)。围墙(105)围绕着液体收集器(104)。所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)上下移动，其中，当所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)向上移动时，由液体收集器(104)、围墙(105)、腔室(101)的顶壁(1011)及腔室(101)的底壁(1013)形成密封室(110)。所述的至少一个内部分配器(111)设置在该密封室(110)内。所述的至少一个外部分配器(118)设置在该密封室(110)外。在使围墙(105)向下移动后，所述的至少一个外部分配器(118)能进、出该密封室(110)。
半导体清洗装置

[发明专利]用于薄膜沉积的炉管、薄膜沉积方法及加工设备-CN202210081260.0在审
发明人：王晖;张山;周冬成;沈辉;吕策;朴载成;金宗焕;张大海;张晓燕;王俊;贾社娜;王坚 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛帷半导体设备（上海）有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于薄膜沉积的炉管，包括：工艺管；晶舟，设置于工艺管内部，晶舟沿工艺管的长度方向上设置有多层支撑件；供气管，设置于工艺管内部，供气管沿工艺管的长度方向上设置有多层供气孔；工艺管的侧壁沿其长度方向上设置有多层排气孔；其中，供气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，排气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小。本发明通过设置多层供气孔和多层排气孔，使得供气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，排气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，从而实现了每层供气孔的供气量相同，每层排气孔的排气量相同，使得每层基板上沉积薄膜的均匀性保持一致。
用于薄膜沉积炉管方法加工设备

[发明专利]伯努利夹盘可靠性的测试方法-CN202111649531.X在审
发明人：贾福金;王文军;张晓燕;邓雪飞;韩阳;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明提出的伯努利夹盘可靠性的测试方法，先通过激光位移计对伯努利夹盘的水平和跳动进行检测，排除伯努利夹盘本身结构和装配对伯努利夹盘的水平和跳动性能的影响，再通过激光位移计对伯努利夹盘夹持测试片作业时测试片的水平和跳动进行检测，排除伯努利夹盘气路对伯努利夹盘的水平和跳动性能的影响，采用该方法对伯努利夹盘可靠性进行测试，一方面有效简化了操作流程，另一方面提高了伯努利夹盘测试和检修的准确度。
伯努利夹盘可靠性测试方法

[发明专利]薄片晶圆传输方法-CN202111651982.7在审
发明人：仲召明;何西登;闵少敏;刘鑫;陆圣平;张炜;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提出的薄片晶圆传输方法，针对不同厚度的薄片晶圆，在不同传输阶段，伯努利机械手采用不同的气体流量，解决晶圆在传输过程中碎片问题。具体地，在晶圆从晶圆盒搬出的过程中，伯努利机械手采用较小的气体流量，减小对晶圆的吸附力，削弱晶圆的翘曲形变，从而降低晶圆在搬出晶圆盒过程中产生隐裂或碎片的风险；在晶圆从晶圆盒搬出之后，传输至处理室的过程中，伯努利机械手采用较大的气体流量，增大对晶圆的吸附力，以确保晶圆在传输过程中能够稳定的吸附在伯努利机械手上，避免出现滑片。
薄片传输方法

[发明专利]储液装置及电镀设备-CN202111572890.X在审
发明人：王晖;王坚;于洁;杨宏超;贾照伟 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种储液装置及电镀设备，储液装置包括储液槽本体，储液槽本体包括用于向多个工作腔室供液的多个工作循环排液口以及用于使加热后的溶液通入储液槽本体内的热循环注液口，储液槽本体相对的两侧壁上均设有工作循环排液口，连接两侧壁的一侧壁设有热循环注液口，且热循环注液口靠近该一侧壁的长度的中间位置处，储液装置还包括导流件，导流件设置于储液槽本体内，导流件与热循环注液口连通，从热循环注液口进入的溶液通过导流件通入储液槽本体内，并流向各个工作循环排液口处。本发明具有单个储液装置通入不同工作腔室的溶液的温度和流速趋于相等的优点。
装置电镀设备

[发明专利]清洗电镀装置的方法-CN202111550193.4在审
发明人：李佳奇;王坚;贾照伟;刁建华;杨宏超;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种清洗电镀装置的方法，在清洗电镀装置时，采用分隔板替代离子膜骨架使阴极腔和阳极腔隔离，实现阴极腔和阳极腔的独立清洗，且在电镀腔清洗完成后，采用抽排管将阳极腔及设置在阳极腔侧壁内部的进液通道中的残留清洗液排空，使得清洗电镀腔后无清洗液残留，进而消除了在电镀液配制工序中，清洗液残留对电镀液离子浓度配比的影响。
清洗电镀装置方法

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