专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果93个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]匀气装置及半导体工艺设备-CN202210868666.3有效
  • 魏景峰;朱磊;陈平 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-07-22 - 2023-10-13 - C23C16/455
  • 本发明提供一种匀气装置及半导体工艺设备,包括沿进气方向依次设置的第一匀气盘、第二匀气盘和第三匀气盘,其中,第一匀气盘的中心设置有第一进气孔,第二匀气盘的中心设置有第二进气孔;第一匀气盘和第二匀气盘之间形成有相对于第一匀气盘的中心对称分布的多个第一匀气通道;第二匀气盘与第三匀气盘之间设置有多个第二匀气通道和多个第三匀气通道,且多个第二匀气通道与多个第三匀气通道均相对于第一匀气盘的中心对称分布,且相互隔离;各个连接通道的出气端一一对应地与各个第二匀气通道连通。本发明提供的匀气装置及半导体工艺设备,不仅可以降低加工难度,提高洁净度,而且还可以提高匀气效果和进气效率。
  • 装置半导体工艺设备
  • [发明专利]磁控管旋转结构、磁控管组件及反应腔室-CN201710354815.3有效
  • 佘清;魏景峰;赵梦欣;侯珏 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2017-05-18 - 2023-10-13 - C23C14/35
  • 本发明提供一种磁控管旋转结构,第一旋转臂,其上设置有第一旋转轴和第二旋转轴;所述第一旋转轴,与驱动源相连,用以在驱动源的驱动下旋转并带动所述第一旋转臂旋转;所述第一旋转轴通过传动组件与所述第二旋转轴相连,所述传动组件用以在所述第一旋转轴旋转时带动所述第二旋转轴旋转;第二旋转臂,与所述第二旋转轴连接且其上固定有磁控管;限位件,用于在所述第一旋转轴沿第一方向和第二方向旋转时限制所述第二旋转臂相对所述第一旋转臂的位置,以使所述磁控管沿不同的第一轨道和第二轨道旋转。本发明还提供一种磁控管组件及反应腔室。本发明不仅结构简单,且使得工艺过程简单、容易实现。
  • 磁控管旋转结构组件反应
  • [发明专利]混气装置及半导体工艺设备-CN202210554343.7有效
  • 郑波;朱磊;魏景峰;佘清;刘建民;纪红;何中凯 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-05-20 - 2023-08-18 - B01F25/42
  • 本发明提供一种混气装置,其混气部件中,第一进气通道和第二进气通道的进气端分别与第一进气管路和第二进气管路的出气端连通;第一进气通道和第二进气通道的出气端均与环形混气通道连通;环形混气通道的出气端用于与半导体工艺设备的工艺腔室连通;第一进气通道和第二进气通道的出气方向被设置为能够使分别从第一进气通道和第二进气通道的出气端流入环形混气通道中的气体在混合时,均沿环形混气通道的周向上的同一方向旋转流动。本发明提供的混气装置及半导体工艺设备,其不仅可以缩短混气时间,提高混气效率,而且可以有效提高混合均匀性,提高产品性能。
  • 装置半导体工艺设备
  • [发明专利]半导体工艺腔室和半导体工艺方法-CN202310181532.9在审
  • 王军帅;王冲;魏景峰;赵联波 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-05-26 - C23C16/455
  • 本申请提供一种半导体工艺腔室,包括腔体和设置在腔体中的基座,基座用于承载晶圆,半导体工艺腔室还包括控制装置和基座驱动组件;基座驱动组件与基座固定连接,基座驱动组件用于驱动基座转动以及上升或下降;控制装置用于控制半导体工艺腔室对位于基座上的晶圆进行多步半导体工艺,并在每相邻两步半导体工艺之间控制基座驱动组件驱动基座带动晶圆转动预设角度。在本申请中,旋转驱动模块能够在每相邻两步半导体工艺之间驱动芯轴带动基座转动预设角度,从而每沉积一定厚度薄膜后将晶圆旋转预设角度并再次进行薄膜沉积,进而保证晶圆表面沉积薄膜的均匀性。本申请还提供一种半导体工艺方法。
  • 半导体工艺方法
  • [发明专利]反应腔室及半导体加工设备-CN201811524839.X有效
  • 魏景峰;傅新宇;荣延栋 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2018-12-13 - 2023-02-14 - H01L21/687
  • 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,包括第一环体、第二环体、多个对位组件和承载基片的基座,第一环体和第二环体在基座的升降方向上相对设置,且基座在上升或下降的过程中使第一环体和第二环体相互靠近或远离;多个对位组件沿第一环体的周向间隔设置在第一环体底部,或沿第二环体的周向间隔设置在第二环体顶部;多个对位组件用于在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中,通过第一环体和第二环体的挤压,朝靠近第一环体或第二环体的圆心方向发生形变,以将基片限定在与基座的承载面对中的位置。本发明提供的反应腔室及半导体加工设备能够避免基片在工艺过程中相对于基座发生移动,从而提高基片的边缘排除区域的均匀性,提高产品的良率。
  • 反应半导体加工设备
  • [发明专利]一种数控机床G代码数据无损压缩方法-CN202010080647.5有效
  • 李国发;王彦博;何佳龙;张云峰;王军见;杨海吉;魏景峰 - 吉林大学
  • 2020-02-05 - 2022-10-21 - G06F16/174
  • 本公开实施例提供了一种数控机床G代码数据无损压缩方法,属于数据处理技术领域,该方法包括:确定待压缩的目标数据;确定压缩参数的取值,其中,所述压缩参数包括步长、初始平滑率、局部缓冲区的语法模型的最大元数、缓冲区长度、全局缓冲区的语法模型的最大元数、随机种子和自适应上下文树加权算法的阶数;根据所述压缩参数初始化数据压缩模型,其中,所述数据压缩模型包括基于自适应指数平滑估计算法的全局缓冲区模型和基于自适应上下文树加权算法的局部缓冲区模型;得到所述目标数据的压缩结果。通过本公开的方案,提供一种基于前馈神经网络的适用于数控机床G代码数据的整数算术编码,有效的提高了数据的压缩率。
  • 一种数控机床代码数据无损压缩方法
  • [发明专利]半导体设备及其工艺腔室-CN202010573086.2有效
  • 纪克红;王帅伟;魏景峰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-06-22 - 2022-10-21 - H01J37/32
  • 本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室内设置有可升降的基座,基座用于承载晶圆;基座上沿周向均布有多个导向滑块,导向滑块能沿基座的径向滑动;工艺腔室内壁上设置有盖环支架,盖环支架上搭设有盖环,盖环位于基座的上方且与基座同心设置,盖环底部对应于导向滑块设置有多个导向件;在基座上升至工艺位置的过程中,导向件能带动导向滑块沿基座的径向向基座的中心滑动,使导向滑块推动承载在基座上的晶圆,对晶圆与盖环进行对中,基座上升至工艺位置后,盖环压覆于晶圆的边缘上。本申请实施例使晶圆能够自动对中,从而大幅提高工艺良率。
  • 半导体设备及其工艺
  • [发明专利]半导体工艺设备及其气体输送装置-CN202110713403.0有效
  • 朱磊;纪红;魏景峰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-06-25 - 2022-09-16 - B01F25/42
  • 本申请公开一种半导体工艺设备及其气体输送装置,气体输送装置用于向半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体,其包括混气件和分气件,分气件设置在工艺腔室的盖板上的安装通孔中,分气件与安装通孔配合形成分气通道,混气件设置在盖板上,其中设置有混气腔,分气通道连通混气腔和工艺腔室;混气腔内安装有多个阻挡件,且多个阻挡件形成至少两组沿混气腔的轴向分布的气体阻挡层;任一气体阻挡层均包括至少两个围绕轴向间隔设置的阻挡件;对于任意相邻的两组气体阻挡层,其中一个气体阻挡层的至少一个阻挡件在轴向的投影覆盖另一气体阻挡层中相邻两个阻挡件之间的间隔区域。上述气体输送装置能够提升气体中不同组分的混合程度。
  • 半导体工艺设备及其气体输送装置
  • [发明专利]半导体工艺设备及其匀气装置-CN202210617730.0在审
  • 郑帅;魏景峰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-06-01 - 2022-08-12 - F15D1/02
  • 本发明提供一种半导体工艺设备及其匀气装置,匀气装置的上匀气件的第一匀气槽部与中匀气件的第二匀气槽部相对,形成连通上匀气件的第一进气通道,及中匀气件的第一排气通孔部的第一匀流通道部,上匀气件的第二进气通道连通中匀气件的第三进气通道,中匀气件的第三匀气槽部与下匀气件的第四匀气槽部部相对,形成与第一排气通孔部错位设置,并连通第三进气通道,及下匀气件的第三排气通孔部的第二匀流通道部,下匀气件的第二排气通孔部连通第一排气通孔,并与第三排气通孔部错位设置。本发明提供的半导体工艺设备及其匀气装置能够降低匀气装置的加工难度,提高加工精度,提高洁净度,从而改善匀气装置的质量和使用寿命,并改善半导体工艺结果。
  • 半导体工艺设备及其装置
  • [发明专利]匀气装置和半导体处理设备-CN201811268107.9有效
  • 李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2018-10-29 - 2022-07-22 - C23C16/455
  • 本发明公开了一种匀气装置和半导体处理设备。包括进气件、匀流件和排气件,进气件上设置有至少两个进气通道;匀流件的第一表面上设置有至少一个第一分配部以及若干个第一匀流部,第一分配部分别连通对应的进气通道和第一匀流部;第二表面上设置有至少一个第二分配部以及若干个第二匀流部,第二分配部分别连通对应的进气通道和第二匀流部;排气件上设置有若干个第一排气部以及若干个第二排气部,第一排气部用于分别连通对应的第一匀流部和工艺腔室,第二排气部用于分别连通对应的第二匀流部和工艺腔室。可以达成至少两种工艺气体相互独立且均匀输送、均匀分布到工艺腔室的效果。
  • 装置半导体处理设备
  • [发明专利]半导体工艺设备及其混合进气装置-CN202110679808.7有效
  • 魏景峰;郑波;朱磊;纪红;赵可可 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-06-18 - 2022-07-22 - C23C16/455
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其混合进气装置。该混合进气装置包括:混合进气块及盖体组件;混合进气块内具有第一环形腔及多个进气通道,第一环形腔与顶部与多个进气通道连通,底部与盖体组件中的混气通道连通;多个进气通道均沿第一环形腔的切向延伸设置,并且多个进气通道的出气口沿第一环形腔的周向均匀分布;盖体组件的顶部居中位置设置有上述混合进气块,盖体组件的底部盖合于工艺腔室顶部,盖体组件中设置有上述混气通道,用于将混合进气块内的工艺气体再次混合并匀流后输入工艺腔室内。本申请实施例实现了在工艺气体到达晶圆表面前有效地改善工艺气体浓度分布,从而能够在有效缩短工艺时间的同时大幅改善晶圆成膜均匀性。
  • 半导体工艺设备及其混合装置
  • [发明专利]基座调节装置及腔室-CN201811444994.0有效
  • 李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2018-11-29 - 2022-06-17 - C23C16/458
  • 本发明提供的基座调节装置及腔室,基座调节装置包括:第一调节件、第二调节件以及推拉组件;推拉组件分别连接第一调节件和第二调节件,其中,第一调节件用于固定基座,第一调节件与第二调节件连接并且能在推拉组件的驱动下相对第二调节件沿第一水平方向移动;其中,第二调节件与腔室底壁连接并且能在推拉组件的驱动下相对腔室底壁沿第二水平方向移动。通过推拉组件以推拉的方式分别驱动第一调节件和第二调节件移动,仅需要调节两次即可完成基座的水平位置的调整,整体调节性高,操作简单。
  • 基座调节装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top