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[发明专利]存储单元、存储单元装置及存储单元制造方法-CN200480003591.2有效
发明人： F·舒勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本案涉及一种存储单元、存储单元装置以及用以制造存储单元的方法。所述存储单元包含具第一传导形式电荷载子的基板、在所述基板的一第一表面区域中的第一源极/漏极区域，以及在所述基板的一第二表面区域中的第二源极/漏极区域。
存储单元装置制造方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法-CN200510092129.0无效
发明人：翁伟哲;杨青松 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，至少是由基底、存储单元与源极/漏极区所构成的。存储单元设置于基底上，存储单元至少包括第一存储单元与第二存储单元。其中，第一存储单元由基底起包括浮置栅极与第一控制栅极。第二存储单元设置于第一存储单元的一侧壁，第二存储单元包括电荷陷入层与第二控制栅极。源极/漏极区设置于存储单元两侧的基底中。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[发明专利]半导体存储器及其操作方法-CN200610142030.1无效
发明人： K·塞德尔;D·里希特 -专利权人：奇梦达闪存有限责任两合公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种对包含多个存储单元的半导体存储器进行操作的方法，其中各存储单元彼此相邻地设置，此配置以第一存储单元开始，并以最后的存储单元结束，每个存储单元具有第一侧和第二侧，各存储单元在存储单元的第一侧被一位线连接且在此存储单元的第二侧被另一位线连接，存储单元的第一侧与相邻存储单元的第二侧被连接到同一个位线，每个存储单元被同一个字线连接，此方法包含下列步骤：选择用来操作的存储单元，将第一电位施加到连接于设置在此存储单元的第一侧的各存储单元的所有位线，将第二电位施加到连接于设置在此存储单元的第二侧的各存储单元的所有位线，以及对此存储单元执行所希望的操作。
半导体存储器及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器结构-CN201810896154.1在审
发明人：陈明晖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种非易失性存储器结构，包括基底与多个存储单元。多个存储单元至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元。第二存储单元与第三存储单元位于第一存储单元的一侧，且第四存储单元位于第一存储单元的另一侧。每个存储单元包括彼此分离设置在基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区。第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区。第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区。
非易失性存储器结构

[发明专利]存储器及其操作方法-CN202110722171.5有效
发明人：郭路;陶伟;曹坚;陶媛;程泊轩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储器及其操作方法。其中，存储器包括：至少一个存储单元阵列块，其包括多层存储单元以及对应每层存储单元设置的字线层；字线驱动器，其与存储单元阵列块耦接；以及控制电路，用于控制字线驱动器；存储单元阵列块包括：相邻设置的第一存储单元阵列子块和第二存储单元阵列子块；以及子块配置区，其包括设置在第一存储单元阵列子块与第二存储单元阵列子块之间的K层存储单元层和相应的K层字线层，并且其用于控制选择第一存储单元阵列子块和第二存储单元阵列子块，其中K为大于或等于2的整数；通过子块配置区，使第一存储单元阵列子块的用于存储数据的存储单元层数等于第二存储单元阵列子块的用于存储数据的存储单元层数。
存储器及其操作方法

[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法-CN201910009213.3在审
发明人：崔伸浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储设备，包括控制器和具有存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备。所述控制器访问所述存储单元的第一存储单元，当访问所述第一存储单元失败时，从所述参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元，取决于所述第一参考存储单元的读取结果确定坏区，并且将所述存储单元中的属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元
存储单元参考存储单元存储设备非易失性存储设备坏区读取第二存储单元坏存储单元控制器访问读取结果控制器关联失败访问

[发明专利]存储单元阵列及存储单元-CN200610145144.1有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元阵列及存储单元，应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用，一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用，各自大体上为一第一走向，一第三金属层以供一第一多个的第二电压线以及一设置于该第一多个的第二电压线之间的字线用本发明所述的存储单元及存储单元阵列，能提供较低的RC延迟以及较佳的稳定性，此外，其能降低字线的电容。
存储单元阵列

[实用新型]一种模块化存储装置-CN201520790359.3有效
发明人：朱旭;屠克佳;姜蕾 -专利权人：上海浦壹电子科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种模块化存储装置，包括主数据存储单元和数个从数据存储单元，主数据存储单元和从数据存储单元一端设置有USB接头另一端设置有USB插槽，所述主数据存储单元通过USB插槽与从数据存储单元的USB接头连接，主数据存储单元两侧设置有凹槽，从数据存储单元两侧设置有连接条，所述连接条末端设置在凹槽中；所述主数据存储单元内部设置有无线信号接收装置并设置有无线信号指示灯和工作指示灯，从数据存储单元上设置有工作指示灯。本实用新型所述的一种模块化存储装置的优点在于，可以自由扩充、定制和改变，同时可以无线传输数据。
一种模块化存储装置

[发明专利]存储器及其操作方法、存储器系统-CN202211204616.1在审
发明人：郭晓江 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统。其中，存储器包括：至少一个存储单元阵列块及控制逻辑；存储单元阵列块包括多层存储单元以及对应每层存储单元设置的字线层；所述存储单元阵列块被划分为至少两个存储单元阵列子块，每个存储单元阵列子块包括若干层存储单元以及对应每层存储单元设置的字线层；所述控制逻辑与所述存储单元阵列块耦接，所述控制逻辑被配置为：采用块模式或者子块模式对所述存储单元阵列块进行擦除、读取或者编程操作；其中，在采用子块模式对所述存储单元阵列块进行擦除、读取或者编程操作时，至少根据所述两个存储单元阵列子块中一个存储单元阵列子块的状态，确定另一个存储单元阵列子块的操作策略。
存储器及其操作方法系统

[发明专利]存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备-CN200810171402.2有效
发明人： R·斯特伦茨;W·兰海因里希;M·罗里克;R·韦斯纳;A·格拉茨;T·克恩;G·坦佩尔;岑柏湛 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备。在本发明的实施例中，存储单元装置包括衬底和至少一个包括电荷保存存储单元结构和选择结构的存储单元。该存储单元装置还包括设置在衬底之内的第一掺杂阱、第二掺杂阱和第三掺杂阱，其中电荷保存存储单元结构设置在第一掺杂阱之内或之上，第一掺杂阱设置在第二掺杂阱之内，第二掺杂阱设置在第三掺杂阱之内。该存储单元装置还包括与存储单元耦合的控制电路，其用于控制存储单元，这样通过至少第一掺杂阱对电荷保存存储单元结构进行充电或放电，来使电荷保存存储单元结构被编程或擦除。
存储单元装置控制方法存储器阵列电子设备

[发明专利]NOR型存储器位线故障的修复方法及装置-CN201710992665.9有效
发明人：张建军;张赛;许梦 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR型存储器位线故障的修复方法及装置，包括：检测主阵列存储单元和功能阵列存储单元的位线是否有异常，找出与故障位线连接的存储单元，记为故障存储单元；存储故障存储单元的地址、故障存储单元的修复使能位和故障存储单元的类别标识位，设置故障存储单元的修复使能位为0或1；建立故障存储单元与冗余存储单元的映射关系；若要访问的存储单元对应的修复使能位为1，则要访问的存储单元为需要修复的故障存储单元；选择与故障存储单元对应的冗余存储单元替代故障存储单元本发明实施例的技术方案，通过增加类别标识位的方法，对故障存储单元进行修复，从而提高了产品良率以及对冗余存储单元的利用率。
nor 存储器故障修复方法装置

[发明专利]存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法-CN202210431632.8在审
发明人：林弘璋;李嘉富;史毅骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储单元，包括存储电路和乘法电路。乘法电路包括被配置为输出输出信号的输出节点、第一晶体管和初始化电路。第一晶体管连接输出节点与存储电路，并且被配置为接收至少第二信号。存储电路被配置为存储第一存储节点的第一信号的第一值。乘法电路连接存储电路。乘法电路被配置为响应于第一信号和第二信号产生输出信号。输出信号对应于第一信号和第二信号的乘积。本发明的实施例还提供了一种存储单元阵列。本发明的实施例还提供了一种操作存储单元的方法。
存储单元阵列操作方法

[发明专利]打印装置及打印装置的控制方法-CN201410218447.6在审
发明人：长田知明 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：在该打印装置中，在特定片材存储单元中的片材的特定类型的登记能够防止便利性降低。该打印装置被配置为从多个片材存储单元中的任一片材存储单元中进给片材，所述打印装置包括：设置单元，其用于将所述多个片材存储单元中包括的一片材存储单元设置为在用户尚未指定用于作业的片材存储单元的情况下要使用的特定片材存储单元；指定单元，其被配置为指定要被存储在所述多个片材存储单元中包括的一片材存储单元中的片材的类型；以及控制单元，其执行控制，使得所述指定单元不在所述设置单元设置的片材存储单元中指定特定类型。
打印装置控制方法

[发明专利]存储装置及半导体器件-CN202110519049.8在审
发明人：桂文明;张祥建 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种存储装置及半导体器件，其中，存储装置包括存储单元层、与存储单元层堆叠设置的控制单元层、及外接触点，且相邻的存储单元层和控制单元层通过层间导电柱电连接；控制单元层包括控制单元，控制单元与外接触点电连接；存储单元层包括多个间隔设置的存储单元、及布设于存储单元之间的间隔区并与存储单元的通信接口电连接的通信总线；其中，每一控制单元至少对应两个存储单元设置，通信总线通过导电柱与控制单元的通信接口电连接。通过将存储单元和控制单元堆叠设置，利用层间导电柱电连接，同时，将通信总线布设于存储单元之间的间隔区，使得用一个控制单元可以控制相互连接的N个存储单元，从而降低控制单元的数量。
存储装置半导体器件

[发明专利]半导体NROM存储装置-CN200910056018.2有效
发明人：权彛振;柯罗特;董智刚;邱雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：一种半导体NROM存储装置，包括：存储单元阵列，用于存储数据和指令，包括多个存储单元和设置在预定数目个存储单元之间的连接单元；寄存器，用于缓存接收的数据信息；操作单元，用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行操作；控制单元，用于控制所述操作单元，按照预定的访问顺序并根据存储单元与所述连接单元的距离，对所述存储单元阵列的每个存储单元进行操作。本发明按照存储单元与连接单元的距离或者偏置电压，在每次对存储单元进行操作时，选择不同的存储单元作为初始单元，从而避免了以固定的存储单元作为初始单元导致其相较于其它存储单元更容易损坏，有利于保证存储装置的稳定性和寿命的延长
半导体 nrom 存储装置

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