[发明专利]存储单元、存储单元装置及存储单元制造方法

摘要

本案涉及一种存储单元、存储单元装置以及用以制造存储单元的方法。所述存储单元包含具第一传导形式电荷载子的基板、在所述基板的一第一表面区域中的第一源极/漏极区域，以及在所述基板的一第二表面区域中的第二源极/漏极区域。在所述基板的一表面区域中乃有一信道区域，所述信道区域乃位在所述第一与第二元及/漏极区域间，而一电荷储存区域则位在所述信道区域上。另外，在所述电荷储存区域上则有一控制栅极，所述控制栅极与所述电荷储存区域电性绝缘。在基板中还具有一沟渠结构。所述沟渠结构包含传送电荷载子的材料，以及位在所述基板与所述传送电荷载子的材料的至少一部分间的一绝缘区域，其中，所述材料乃包含具有第二传导形式的电荷载子。

主权项

1.一种存储单元，具有包含第一传导形式电荷载子的基板；在该基板的一第一表面区域中具有一第一源极/漏极区域，并在该基板的一第二表面区域中具有一第二源极/漏极区域；介于该第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域间，在该基板的一表面区域中具有一信道区域；在该信道区域上具有一电荷储存区域；在该电荷储存区域上具有一控制栅极，其与该电荷储存区域电力绝缘；具有形成在该基板中的一沟渠结构，该沟渠结构具有一电荷载子供应材料，其带有一第二传导形式的电荷载子，以及介于该基板与至少该电荷载子供应材料的一部份间的一绝缘区域；该第一传导形式与该第二传导形式不同，因此在该基板与该沟渠结构的电荷载子供应材料间形成一二极管接合处；该存储单元是以对该存储单元施加可预定电位的方式设定，电性电荷载子可从该沟渠结构的电荷载子供应材料引入该电荷储存区域。