专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]编程电压产生电路-CN202310943219.4在审
  • 杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-20 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种编程电压产生电路,包括:第一电压产生单元,第一输入端连接参考电压,第二输入端连接反馈电压,输出端输出编程电压;第一反馈电路的输入端连接编程电压,输出端输出反馈电压。检测电路,用于检测编程电压和存储单元的字线栅的第一阈值电压的第一差值并输出一个检测信号。第一反馈电路的控制端连接检查信号并根据检查信号调节反馈电压的大小并从而调节编程电压的大小并使第一差值的大小得到保持,使编程电压随第一阈值电压的漂移同步变化。本发明能在存储器中的各存储单元的字线栅的第一阈值电压发生较大的漂移时,也能保证编程电压比漂移后的第一阈值电压大,从而能极大的提高编程窗口。
  • 编程电压产生电路
  • [发明专利]flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片-CN202311145380.3在审
  • 李文菊 - 上海芯存天下电子科技有限公司
  • 2023-09-06 - 2023-10-13 - G11C16/34
  • 本申请公开了一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片,属于半导体集成电路技术领域,其中所述擦除方法包括以下步骤:获取第一cycle次数和第二cycle次数,所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数,所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数;若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域,则将该备用区域转换为待擦除的使用区域;对待擦除的使用区域进行擦除操作。本申请的擦除方法,能解决芯片中边角容量被浪费的问题,从而能有效利用边角容量以延长芯片的使用寿命。
  • flash芯片擦除方法装置
  • [发明专利]半导体存储装置及读取方法-CN202110294186.6有效
  • 妹尾真言 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-03-19 - 2023-10-13 - G11C16/34
  • 本发明提供了一种半导体存储装置及读取方法,该半导体存储装置包含:NAND型存储单元阵列,各区块中形成至少一个监视用NAND串列,用以监视编程及抹除循环频率;电流检测部,检测流经监视用NAND串列的电流;偏移电压决定部,根据检测到的电流决定各自附加在读取通过电压以及读取电压的第一以及第二偏移电压;读取电压生成部,生成附加第一偏移电压的读取通过电压以及附加第二偏移电压的读取电压。本发明通过检测用以监视编程与抹除的循环频率的监视用串列NAND的电流,以及根据检测电流在读取通过电压以及读取电压上附加偏移电压,可以补偿存储单元的阈值Vt移动或Gm的劣化,可以正确读取被记忆在存储单元的数据。
  • 半导体存储装置读取方法
  • [发明专利]3D NAND的智能刷新-CN202310804505.2在审
  • 哈里·坎南;罗伯特·李;毛育红 - 净睿存储股份有限公司
  • 2017-12-08 - 2023-10-03 - G11C16/34
  • 本申请涉及3D NAND的智能刷新。本申请提供了一种用于处理闪速存储器的区块以减少来自闪速存储器的原始比特差错的方法。该方法包括针对刷新操作识别闪速存储器的一个或多个区块并且将关于所识别的区块的信息写入到数据结构。该方法包括作为刷新操作根据该数据结构向所识别的区块发出后台读取。该方法可体现在计算机可读介质上。在一些实施例中,后台读取可基于响应于闪速存储器中的原始比特差错计数随着时间的增大的基于时间的刷新。
  • nand智能刷新
  • [发明专利]存储器以及存储器的读取方法-CN202210260297.X在审
  • 何文乔 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-03-16 - 2023-09-26 - G11C16/34
  • 本发明提供一种存储器,包括选中存储单元区块以及第一感测放大装置。选中存储单元区块以及第一感测放大装置均耦接至第一共同位线。第一感测放大装置用以:在漏电流检测模式中,检测选中存储单元区块在第一共同位在线漏电流以产生漏电流信息;在读取数据模式中,根据漏电流信息以提供参考信号,通过比较第一共同位在线的读取信号以及参考信号来产生读出数据,其中漏电流检测模式发生在读取数据模式前。
  • 存储器以及读取方法
  • [发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202211540724.6在审
  • 卓在日 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-09-26 - G11C16/34
  • 本文提供了存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括:存储器块,其包括与多条字线耦合的多个存储器单元;外围电路,被配置为通过将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线以及将第一通过电压施加到目标字线来执行读取操作,其中目标字线在除了被选择的字线之外的未被选择的字线之中与被选择的字线相邻;以及控制逻辑,被配置为基于读取电压变化来降低读取电压,以及当读取电压降低时,基于通过电压变化来降低第一通过电压,其中通过电压变化小于读取电压变化。
  • 存储器设备及其操作方法

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