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[发明专利]半导体存储装置以及读取半导体存储装置的方法-CN202210672955.6在审
发明人：藤冈伸也 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置以及读取半导体存储装置的方法，可以容易地辨识发生于输出数据的错误的具体内容。半导体存储装置包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；错误检测订正电路，检测并订正包含于从存储单元阵列输出的数据的错误位，当前述数据包含可订正的错误位时，将错误检测信号变成有效；输入与输出电路，当前述数据包含不可订正位时，输入与输出电路停止与前述数据一起输出的数据选通信号的时钟脉冲的至少一个。
半导体存储装置以及读取方法

[发明专利]制造接头处的泄漏存储器孔修复-CN201911298168.4有效
发明人： G·J·海明克;X·杨 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明题为“制造接头处的泄漏存储器孔修复”。具有制造接头的存储器阵列包括控制器，该控制器被配置为：在耦接到多条位线的字线上施加检测电压；对检测电压具有第一类型响应的位线的数量进行计数；以及在位线的数量超过所配置值的情况下，利用特定阈值电压对邻近制造接头的至少一条虚设字线上的存储器单元进行编程。
制造接头泄漏存储器修复

[发明专利]一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法-CN201910873960.1有效
发明人：杨超;马成英;张金凤 -专利权人：北京振兴计量测试研究所
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，判断每个存储器是否初步合格；判断初步合格的存储器中每一个LUN的第0块是否为非坏块；分别确定每一个存储器中每一个LUN的初始坏块数量；判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；基于每一个LUN的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。本发明的方法能够实现多个NAND FLASH存储器的并行测试，能够有效识别出坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。
一种 nand flash 存储器并行测试坏块回写方法

[发明专利]PLC通信模块中从设备的EEPROM恢复方法-CN201910893367.3有效
发明人：金亨来 -专利权人： LS产电株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种在使用EtherCAT网络的PLC通信模块中存储从设备的设置信息的EEPROM的数据被修改或发生错误时自动恢复EEPROM的数据的方法。根据本发明的PLC通信模块中从设备的EEPROM恢复方法中，包括：步骤A，使用PLC通信模块分析EEPROM的原始数据，并以段为单位计算校验和；步骤B，对从附加到从设备的ESC的EEPROM读取的EEPROM数据进行分析，并以段为单位计算校验和；步骤C，以段为单位分别比较所述EEPROM的原始数据的校验和及所述EEPROM数据的校验和；步骤D，在所述比较结果中每个以段为单位的校验和中的任何一个不匹配时，检测不匹配的段的校验和，并用标志标记检测的EEPROM数据的段中是否发生异常；以及步骤E，使用所述标志中标记的是否为异常，将发生异常的EEPROM数据通知给用户。
plc 通信模块设备 eeprom 恢复方法

[发明专利]随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备-CN202311121586.2在审
发明人：何学文;张坤;杨帆 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司;上海萨沙迈半导体有限公司;天津智芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备，随机存取存储器的自检修补装置包括：自检电路用以连接随机存取存储器，用于在接收到自检触发信号时，取得随机存取存储器的存取控制权，并对随机存取存储器进行扫描自检并输出修补地址；读写控制电路用于根据系统总线发送的操作地址进行数据存取操作；修补电路分别与自检电路和读写控制电路连接，用于在存在与操作地址匹配的修补地址时，根据匹配的修补地址通过读写控制电路对随机存取存储器中的错误地址进行重映射修补。本发明实施例的随机存取存储器的自检修补装置能够实时完成随机存取存储器的自检和修补，减少软硬件资源的开销，提高随机存取存储器的使用寿命。
随机存取存储器自检修补装置及其方法芯片设备

[发明专利]半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法-CN201811109758.3有效
发明人：金经纶;尹炫喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置可包括存储单元阵列及存取控制电路。所述存储单元阵列可包括第一单元区及第二单元区。所述存取控制电路可响应于命令、存取地址及用于识别第一单元区及第二单元区的熔丝信息而以不同的方式存取所述第一单元区及所述第二单元区。所述命令及地址可从外部装置提供。也提供一种操作半导体存储器装置的方法。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]存储器控制器的操作方法、以及存储器件及其操作方法-CN201811022123.X有效
发明人：方光奎;沈荣燮;姜熙烨;李庚德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。
存储器控制器操作方法以及存储器件及其

[发明专利]一种基于多核处理器芯片的继电保护方法及系统-CN202310912543.X有效
发明人：张逸帆;舒治淮;杨国生;郭强;刘宇;李伟;张晓莉;刘海涛 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国网宁夏电力有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多核处理器芯片的继电保护方法及系统，其中，所述方法包括：多核处理器芯片的N个保护核读取各自存储单元的存储数据；N个所述保护核两两之间按照确定的数据校验方法对其存储数据进行实时同步校验，并根据校验结果确定N个所述保护核的存储单元状态；当N个所述保护核的存储单元状态均为正常时，N个所述保护核根据各自的存储数据进行继电保护运算，并生成N个运算结果；根据设置的继电保护动作判据和继电保护动作策略，以及N个所述运算结果输出继电保护动作执行指令。所述方法及系统充分发挥了多核芯片的计算能力，大大提高了存储单元抗单粒子效应和异常纠错的能力，并且提升了保护装置动作出口的准确性以及可靠性。
一种基于多核处理器芯片保护方法系统

[发明专利]存储装置和存储系统-CN201710096000.X有效
发明人：林惠镇;李承宰;朴一汉;李康斌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：提供了存储装置和存储系统。所述存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；计数电路，配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果；以及控制逻辑，配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。
存储装置存储系统

[发明专利]数据修复方法、存储系统及计算机可读存储介质-CN202310653505.7在审
发明人：刘易 -专利权人：上海哔哩哔哩科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请提出一种数据修复方法、存储系统及计算机可读存储介质。其中方法包括：获取损坏磁盘和所述损坏磁盘所在的第一存储节点；基于所述损坏磁盘和所述第一存储节点，获取损坏磁盘中关联的目标条带；基于纠删码算法对所述目标条带进行修复，得到目标条带中的重构数据；将目标条带中的重构数据存储至第二存储节点，第二存储节点为健康节点。本申请实施例，通过获取损坏磁盘，并将损坏磁盘的数据通过纠删码算法恢复出来，得到重构数据，并将重构数据存储至第二存储节点，从而实现数据修复；无需人为操作，简化数据修复的运维流程。
数据修复方法存储系统计算机可读存储介质

[发明专利]失效位元的修补方法及装置-CN202010832396.1有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补的场景。该方法包括：确定待修补芯片的待修补区域；采用备用电路对各目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理；确定第二失效位元，采用状态裁定修补步骤对第二失效位元进行第二修补处理；确定各目标修补区域的未修补失效位元，采用最佳化组合探测方式确定未修补失效位元的候选修补组合以及候选修补代价；根据候选修补代价确定目标修补代价，确定目标修补代价对应的目标修补方案，以根据目标修补方案对未修补失效位元进行修补处理。本公开可以在确定待修补芯片最佳分派解答的同时，达到大幅降低运算成本的目的。
失效位元修补方法装置

[发明专利]失效位元的修补方案的确定方法-CN202010955742.5有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请提供一种失效位元的修补方案的确定方法，应用于包含多个子域的芯片，该芯片还包括冗余电路，该冗余电路用于修补子域中的失效位元，该方法包括：在为子域中的当前待修补的目标失效位元确定一个或者多个可用冗余电路之后，从冗余电路的可靠性列表中获取各可用冗余电路的可靠性值，该冗余电路的可靠性列表中包括多个冗余电路的可靠性值，根据该可用冗余电路的可靠性值确定子域中的目标失效位元的修补方案。其中，冗余电路的可靠性值是对已经发生的失效位元以及冗余电路中新失效位元所在的冗余电路的关系进行大数据分析得到的，通过该方法为子域中失效位元分配的冗余电路的可靠性高，从而提高了失效位元的修补效率和修补准确率。
失效位元修补方案确定方法

[发明专利]失效位元修补方案的确定方法及装置-CN202010832380.0有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种失效位元修补方案的确定方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该失效位元修补方案的确定方法包括：确定待修补芯片的待修补区域；其中，待修补区域包括多个目标修补区域；采用备用电路对各目标修补区域中的失效位元进行初始修补处理；如果剩余备用字线数量大于零且剩余备用位线数量大于零，则确定各目标修补区域的候选修补子方案，并确定各候选修补子方案分别对应的候选修补代价；根据各候选修补子方案和候选修补代价确定待修补区域的目标修补方案；其中，目标修补方案对应的综合修补代价最小。本公开可以在有限的RWL与RBL情况下，确定出最佳的分派解答。
失效位元修补方案确定方法装置

[发明专利]失效位元的修补方法及装置-CN202010833678.3有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补的场景。该方法包括：确定待修补芯片中包括多个目标修补区域的待修补区域；采用备用电路对各目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理；执行第二失效位元的位置确定步骤以确定第二失效位元的位元位置，并对第二失效位元进行第二修补处理；确定各目标修补区域的未修补失效位元，并递归执行第二失效位元的位置确定步骤以得到未修补失效位元的测试修补位置，以根据测试修补位置对未修补失效位元进行第三修补处理。本公开提出最佳化备用电路分派的三个不同阶段的失效位元修补处理方案，可以得到针对芯片中失效位元的最佳修补方案。
失效位元修补方法装置

[发明专利]失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片-CN202010904166.1有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该失效位元修补方案的确定方法包括：确定含有所述失效位元的待修补子域，以及为所述待修补子域确定初步用于修补的所述子域冗余电路；根据当前所述全域冗余电路用于替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量和所述当前所述子域冗余电路的可使用数量，确定所述待修补子域的区域层级；根据所述待修补子域的所述区域层级，控制所述全域冗余电路或者所述子域冗余电路修补所述失效位元。本公开可以有效提高芯片的制程良率，减少芯片报废的情况发生。
失效位元修补方案确定方法装置芯片

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