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[发明专利]融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元-CN201910049564.7在审
发明人：任天令;李宇星;梁仁荣;赵瑞婷;刘厚方;王方伟;熊本宽;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元，包括：主晶体管，主晶体管的栅极控制端串联有一个的两端非易失多值可变性阻抗，两端非易失多值可变性阻抗的两端分别为所属主晶体管的栅极控制端与单元整体栅极控制输入端；控制晶体管，控制晶体管的源极和漏极与两端非易失多值可变性阻抗并联；两端非易失多值可变性阻抗，用于当其维持在不同阻抗值时，通过单元整体栅极控制输入端对主晶体管进行栅控时的阈值电压不同，进而实现多值存储的功能
非易失可变性栅极控制主晶体管阻抗多值存储控制晶体管存储单元单元整体可控器件运算单元运算功能输入端与逻辑传统芯片计算过程有效解决阻抗并联阈值电压融合分立控时漏极源极搬运串联架构芯片

[实用新型]融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元-CN201920091563.4有效
发明人：任天令;李宇星;梁仁荣;赵瑞婷;刘厚方;王方伟;熊本宽;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元，包括：主晶体管，主晶体管的栅极控制端串联有一个的两端非易失多值可变性阻抗，两端非易失多值可变性阻抗的两端分别为所属主晶体管的栅极控制端与单元整体栅极控制输入端；控制晶体管，控制晶体管的源极和漏极与两端非易失多值可变性阻抗并联；两端非易失多值可变性阻抗，用于当其维持在不同阻抗值时，通过单元整体栅极控制输入端对主晶体管进行栅控时的阈值电压不同，进而实现多值存储的功能
非易失可变性栅极控制主晶体管阻抗多值存储控制晶体管存储单元单元整体可控器件运算单元运算功能输入端与逻辑本实用新型传统芯片计算过程有效解决阻抗并联阈值电压融合分立控时漏极源极搬运串联架构芯片

[发明专利]一种三维多值非挥发存储器的制备方法-CN201010597578.1无效
发明人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫峰;王艳花;王琴;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构，基于电荷局域存储的特性，每个单元具有多个物理存储点，从而实现多值存储的特性。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。
一种三维多值非挥发存储器制备方法

[发明专利]发送装置、接收装置、传输系统以及传输方法-CN201380042511.3有效
发明人：高井康充;新保努武;柴田修 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H04N7/08 文献下载
摘要：本发明的发送装置具备第1多值信号产生器(17A)，其将自然数a×自然数M比特的影像信号以外的非影像信号变换为多值数2aM的多值信号并输出；第2多值信号产生器(18)，其将自然数a×自然数N比特的所述影像信号变换为大于所述多值数2aM的多值数2aN的多值信号并输出；和发送驱动器电路(16)，其在消隐期间的至少一部分期间发送所述多值数2aM的多值信号，在激活期间发送所述多值数2aN的多值信号。
传输系统

[发明专利]光多值传输系统-CN200980156709.8无效
发明人：菊池信彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H04L27/36 文献下载
摘要：在光多值发送器(200)内的多值编码电路(230)中，对信息信号(201)分配6QAM调制，在光电场调制器(211)变换为6QAM光多值信号(231)之后加以输出。经由光纤传输路径(214)传输的光多值信号(232)被非相干多值接收器(220)所接收。在其内部计算的解调接收电场(116)具有在相位方向上比在振幅方向大的噪声分布。利用振幅权重非欧几里得距离的码元判断电路(223)具有在相位方向上较大的相位判断区域，所以减少解调接收电场(116)的码元判断错误，并改善接收灵敏度。
光多值传输系统

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其动作方法-CN202110929401.5在审
发明人：小松幸生 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供非易失性半导体存储装置，其基于多值数据，将包含坏区块的非选择区块设为能够使用，从而提高了存储单元阵列的良品率。实施方式的非易失性半导体存储装置具备存储单元阵列和行解码器，存储单元阵列具有多个选择区块与多个非选择区块，行解码器具有对选择区块或者非选择区块进行切换的区块解码器。区块解码器基于多值数据，在判断为是坏区块的情况下，切换为非选择区块，在判断为不是坏区块的情况下，切换为选择区块。此外，区块解码器具备坏区块标志电路，该坏区块标志电路具有存储多值数据的多个锁存电路。
非易失性半导体存储装置及其动作方法

[发明专利]具有记忆功能的多值电容器-CN202111082768.4在审
发明人：陈子龙;程传同 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有记忆功能的多值电容器，包括第一电极、第二电极、相变层、第一多值调控组件和第二多值调控组件，第一多值调控组件包括第三电极和第一调控导体，第二多值调控组件包括第四电极和第二调控导体，第一调控导体和第二调控导体构建多个点位，点位对特定区域进行相变调控，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的等效介电常数，实现对电容值的记忆以及多个电容值的非易失连续可调。本发明一种具有记忆功能的多值电容器，通过点位对相变层上特定区域进行相变调控，实现不同点位的热致相变或者电致相变，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的相变层等效介电常数，实现电容器对电容值的记忆以及电容值的非易失连续可调
具有记忆功能电容器

[发明专利]电平转换电路、多值输出差动放大器和显示装置-CN201410064920.X在审
发明人：上水流隼人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种电平转换电路、多值输出差动放大器和显示装置，所述电平转换电路包括：多值输出差动放大电路，其包括反相输入部、输出部和两个以上非反相输入部；以及偏移消除电路，其用于将在所述多值输出差动放大电路的所述两个以上非反相输入部的每一个上出现的偏移电压存储在多个电容器中的每一个上根据本发明，可使用电容储存方法来精确地校正所述多值输出差动放大器中的输出偏移。
电平转换电路输出差动放大器显示装置

[发明专利]非稳态检测系统、非稳态检测方法及非稳态检测程序-CN202080097711.9在审
发明人：青木圣阳;柴田昌彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：非稳态检测装置(100)将各时刻的大于或等于1个多值信号各自的多值信号值转换为二值信号值组。所述非稳态检测装置通过将各过去时刻的大于或等于1个二值信号各自的二值信号值与各过去时刻的所述大于或等于1个多值信号各自的二值信号值组的集合即过去信号值组设为输入而对预测模型进行运算，从而对所述对象时刻的预测信号值组进行计算所述非稳态检测装置将所述对象时刻的所述大于或等于1个二值信号各自的二值信号值与所述对象时刻的所述大于或等于1个多值信号各自的二值信号值组的集合即对象信号值组与所述预测信号值组进行比较，对所述对象时刻的对象系统
稳态检测系统方法程序

[发明专利]一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法-CN201810111023.8有效
发明人：时倩;林汉轩;郁扬;江凤仙;王文彬;殷立峰;沈健 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于多值存储和逻辑运算技术领域，具体为一种集多值存储与逻辑运算于一体的器件单元及其操作方法。当在侧栅电极上施加多对电压，可局域调控复杂强关联氧化物微纳米线金属绝缘体转变，实现多值信息存储。同时在该器件上可实现“非”、“与非”、“或非”等逻辑运算。采用电场调控读写数据，有利于降低器件存储单元功耗，同时将多值存储和逻辑运算集于同一器件单元，可简化器件结构，提高集成度。采用不同对电极写入数据，有利于独立的对各对电极进行调控和优化。
一种集多值存储逻辑运算一体器件单元操作方法

[发明专利]一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元-CN201610223436.6有效
发明人：王金斌;侯鹏飞;钟向丽 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及了一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元，该基于导电丝和极化共控制的多值存储单元是从下到上依次为底电极、铁电功能层、半导体功能层和顶电极；该多值存储单元通过顶电极金属原子在半导体功能层中迁移，以及铁电功能层的极化翻转和氧空位浓度变化来实现多值存储的特性，该特性能实现非破坏性读取且储存密度高，此外操作简单，操作电压低，并且与Si工艺兼容，能实现低电压的写入和读取，克服了铁电隧道结以往使用探针写入读取多值存储、采用昂贵衬底、昂贵电极材料和不能与Si工艺兼容的局限，并且实现了多值存储，有利于实现工业化。
一种基于导电极化控制存储单元

[发明专利]任意K值和8值DRAM的写入电路和读出电路-CN201310211023.2有效
发明人：方振贤;刘莹 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：写入电路和读出电路的结构特征相同，设计写入电路使提供比写入电路的输入增高Δ的多值信号；考虑存储单元的输出比输入波形偏小或非等阶梯，设计读出电路用来作校正，将非正规的多值信号转换为正规的(等阶梯)多值信号写入电路和读出电路都有良好的量化整形作用，当Cj电压变化不越过上下二新阈值时，很容易恢复原多值信息，具有抗干扰能力和多值信息恢复能力。
任意 dram 写入电路读出

[发明专利]三维高速高密度非挥发存储器-CN201010223354.4无效
发明人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫锋;王琴;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维高速高密度非挥发存储器，属于微电子制造及存储器技术领域。所述高速高密度非挥发存储器具有垂直结构，基于单层结构高速、多值的特点，构成三维阵列集成，从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。
三维高速高密度挥发存储器

[发明专利]信息处理装置及信息处理方法-CN201510011417.2有效
发明人：大柳麻步 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：所述信息处理装置包括：接收单元，其被构造为接收图案，该图案表示半透明对象的非透明像素的位置；多值化处理单元，其被构造为对所接收到的图案进行多值化处理；变倍处理单元，其被构造为对所述多值化的图案进行变倍处理
信息处理装置多值化信息处理图案变倍变倍处理单元处理单元接收单元图案表示图案应用应用单元半透明非透明网屏像素

[发明专利]一种基于忆阻器的多值逻辑器件及操作方法-CN201610079085.6有效
发明人：李祎;王卓睿;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性多值逻辑器件及其操作方法。本发明基于忆阻器的多电阻状态转变特性实现了多值逻辑，如三值逻辑的完备集，提出了三值逻辑的取反、右旋以及多值T门逻辑的操作方法。逻辑运算结果都以非易失性电阻状态存储在器件中，从而在器件中实现逻辑运算功能并同时实现数据存储功能，亦即存储和计算的融合，由此为超越信息器件摩尔定律的限制和突破计算机架构中冯·诺依曼瓶颈奠定器件基础。本发明公开的忆阻多值逻辑器件能够作为基本单元应用于新型固态存储器、逻辑运算器、可编程门阵列和片上系统等领域，为推动新型计算机架构提供一条新的道路。
一种基于忆阻器多值逻辑器件操作方法

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