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[发明专利]一种可控开关器件的驱动电路及可控开关器件单元-CN201310704238.8有效
发明人：曹震;刘云峰;张旭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种可控开关器件的驱动电路及可控开关器件单元，用以解决目前的可控开关器件由于采用固定电压驱动，导致要么存在导通损耗较大，要么存在短路关断尖峰电压过大而超出其安全工作范围的问题。该电路包括：短路检测电路，用于检测可控开关器件是否短路；驱动电平切换电路，用于在可控开关器件短路时，采用第一电平的电压信号驱动可控开关器件的控制端；并在可控开关器件未短路时，停止采用第一电平的电压信号驱动可控开关器件的控制端；逻辑控制电路，用于在可控开关器件短路，关断可控开关器件；并在可控开关器件未短路时，使放大电路在第二电平的电压信号的驱动下将该控制信号放大，用以驱动可控开关器件的控制端。
一种可控开关器件驱动电路单元

[发明专利]静电防护器件及其制造工艺-CN201210102462.5有效
发明人：姜一波;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，公开了一种静电防护器件，包括可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺，包括在半导体基底上制成可控硅器件；在所述可控硅器件附近制成MOS管；将可控硅器件与MOS管器件串联。所述静电防护器件兼有可控硅极小寄生电容和MOS器件高维持电压的特点可应用在高压射频电子电路或器件的静电保护等方面。
静电防护器件及其制造工艺

[发明专利]可控硅静电保护器件-CN201310424584.0有效
发明人：刘洋;吴霜毅;张铎;董华;顾野;徐艳飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种可控硅静电保护器件，其技术方案可概括为：可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的栅极与阴极之间。本发明的有益效果是，利用阻变器件及可调电源，使可控硅静电保护电路及双向可控硅静电保护电路的开启电压可调，方便用户，适用于可控硅静电保护器件。
可控硅静电保护器件

[发明专利]一种小功率可控硅夹具组件-CN201511023311.0在审
发明人：张源泉;张健 -专利权人：无锡应达工业有限公司;应达工业（上海）有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明的一种小功率可控硅夹具组件，包括可控硅夹具、下散热铜板、上散热铜板、水冷块和可控硅器件；可控硅夹具，包括顶座、连接板、底座、连接螺杆、连接螺母、绝缘帽、压紧螺杆、压紧螺母和碟形垫片。两块水冷块分别设置在可控硅器件的上下表面；上散热铜板设置在可控硅器件的上方的水冷块的上表面上；下散热铜板设置在可控硅器件的下方的水冷块的下表面下；可控硅夹具通过底座和连接板夹持固定下散热铜板和上散热铜板本发明的一种小功率可控硅夹具组件，通过特殊设计的夹具，将散热片和水冷块夹持固定在可控硅器件的两侧，通过紧贴在可控硅器件两侧的水冷块中的水循环，以水冷的方式对工作状态的可控硅器件进行冷却，保证了可控硅器件的正常运行
一种功率可控硅夹具组件

[发明专利]提高静电保护器件维持电压的方法-CN201210048205.8有效
发明人：姜一波;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高静电保护器件维持电压的方法，在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件，在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。
提高静电保护器件维持电压方法

[实用新型]一种可控硅器件基础部件-CN202222891818.X有效
发明人：戴年丰;沈金龙;陈刚峰;卞久华 -专利权人：南京科远智慧科技集团股份有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅器件基础部件，该可控硅器件定位安装装置包括辅助定位治具；可控硅器件底部设有金属散热焊盘；铝板正面对应可控硅器件底部散热焊盘位置印刷有焊膏；铝板两侧分别设有定位孔，辅助定位治具对应位置处设有定位销，PCBA板对应位置处设有螺柱安装孔；辅助定位治具上设有开槽，开槽外形与可控硅器件的排列外形对应；PCBA板上还设有电气安装孔；当进行装配时，辅助定位治具通过定位销插入定位孔内与固定，可控硅器件排列于辅助定位治具的开槽内，铝板上的焊膏与可控硅器件的散热焊盘焊接。新型采用可控硅器件定位焊接铝板技术，可使得可控硅器件的和铝板充分接触，且可保证一致性。
一种可控硅器件基础部件

[发明专利]一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构-CN201010187380.6无效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，所述有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断，由于所述控制电路的控制作用，使得所述可控硅器件在静电泄放完毕后能及时关闭，有效地避免了可控硅器件的闩锁效应，从而避免了半导体芯片的损坏。
一种有效避免效应可控硅 esd 保护结构

[发明专利]一种电源电路及均流方法-CN201911243217.4在审
发明人：张涛 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种电源电路及均流方法，包括：电源输入电路与芯片控制电路和均流电路相互连接；均流电路包括多个并联的用于均流的全可控开关器件单元，每个全可控开关器件单元的输出端分别与芯片控制电路相应的电流检测端连接；其中，芯片控制电路的每个电流检测端在每个全可控开关器件单元的输出端交汇前分别与相应的每个全可控开关器件单元的输出端连接；本申请芯片控制电路获取每个全可控开关器件单元的输出电流值，根据每个全可控开关器件单元的输出电流值判断是否在正常范围内，如果不在，则生成相应的控制信号，输出控制信号至越限的全可控开关器件单元的控制端，调整全可控开关器件单元输出的电流值，实现主动均流提高了电路的可靠性。
一种电源电路方法

[发明专利]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片-CN202010350307.X在审
发明人：蓝浩涛;张潘德;赖首雄 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。
一种可控硅驱动电路芯片

[实用新型]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片-CN202020686206.5有效
发明人：蓝浩涛;张潘德;赖首雄 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。
一种可控硅驱动电路芯片

[发明专利]一种可控电流源换流组件-CN202211397425.1在审
发明人：王成昊;陈龙龙;张晓龙;周万迪;刘远;李弸智 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控电流源换流组件，包括：支撑框架以及安装在其中的可控关断器件压装单元、阻尼缓冲单元、取能单元，取能单元设置在可控关断器件压装单元的一侧，用于为可控关断器件压装单元供能；阻尼缓冲单元设置在可控关断器件压装单元的另一侧，用于对在可控关断器件压装单元进行保护。通过实施本发明，各部分均采用独立结构设计，同时，采用以功能为依据的分区布置方式，由于可控关断器件为组件中的核心元器件，因此，其位置布置于相对中心位置，取能单元和阻尼缓冲单元分别设置在其两侧，使得可控电流源换流组件形成具有模块化并且，设置在支撑框架，使得可控电流源换流组件所构成的换流器整体具有较优异的结构强度。
一种可控电流换流组件

[实用新型]一种基于工业可控硅元器件检测设备-CN202121471352.7有效
发明人：潘国强 -专利权人：张家港宏昌钢板有限公司;江苏沙钢集团有限公司;江苏省沙钢钢铁研究院有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于工业可控硅元器件检测设备，属于元器件检测设备领域。基于工业可控硅元器件检测设备的可控硅加热设备用于加热被检测的可控硅元件，检测台用于放置升温后的可控硅元件，检测装置的插接端与可控硅元件的阴极、阳极及控制极相连。本实用新型提供的基于工业可控硅元器件检测设备，利用恒温加热台对可控硅进行加热，针对加热后的可控硅进行检测，通过调节直流稳压电源电压，通过指示灯的稳定状态从而判断可控硅元器件是否出现故障，该测量设备直观准确
一种基于工业可控硅元器件检测设备

[发明专利]一种继电器触点故障的诊断系统-CN201811178540.3有效
发明人：刘明星;马权;罗琦;刘滨;吴志强;曾少立;王远兵;梁建;许标;周继翔;宋小明;刘艳阳;韩文兴;郭兴坤 -专利权人：中核控制系统工程有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种继电器触点故障的诊断系统，包括输入端与继电器激励线圈输出端连接可控开关器件，可控开关器件的受控端连接到微处理器的控制信号端口，所述隔离信号链路包括隔离信号源、继电器触点组、隔离回采器件，隔离回采器件的隔离输出端连接到微处理器；可控开关器件用于在微处理器输出高电平给可控开关器件时，可控开关器件的输入端和输出端导通；隔离回采器件用于以隔离的形式采集隔离信号链路的电平形成回采电平；微处理器用于在微处理器输出高电平给可控开关器件、同时采集到回采电平为高电平时、则判定继电器触点无故障；微处理器用于在微处理器输出高电平给可控开关器件、同时采集到回采电平为低电平时、则判定继电器触点故障。
一种继电器触点故障诊断系统

[实用新型]一种低热阻电容器电子投切开关-CN201320691452.X有效
发明人：陈榕;江海波;陈鑑潮;黄杰森 -专利权人：佛山市顺德区胜业电气有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低热阻电容器电子投切开关，包括散热器和三个可控硅器件，散热器上沿长度延伸方向开设有凹槽，凹槽两侧分别连接有防护挡板，三个可控硅器件容设在凹槽内，对应凹槽的一侧的散热器上安装有散热风扇，所述其中两个可控硅器件安装在凹槽两侧，且两可控硅器件之间的凹槽底面开设有凹口，另一可控硅器件容置在凹口内，使三个可控硅器件构成倒“凸”形布设；三个可控硅器件均有各自的散热路径和散热空间，足够将热量由散热器的带走，结合散热风扇的工作，可快速达到散热效果，保证产品在正常的温度环境下工作，延长可控硅器件的使用寿命，同时延长了散热风扇的使用寿命。
一种低热电容器电子切开

[发明专利]一种功率因数校正电路及控制方法-CN201010521426.3无效
发明人：金亮亮;罗勇 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率因数校正(PFC)电路及控制方法，根据工频周期，控制可控开关器件(S1)或(S2)的导通与关闭，在工频正半周，第一可控开关器件(S1)关闭，第二可控开关器件(S2)导通；在工频负半周，第二可控开关器件(S2)关闭，第一可控开关器件(S1)导通。通过可控开关器件S1或S2的低阻抗通路提供持续导通的主功率电流回路。本发明利用可控开关器件代替缓慢恢复二极管，消除了结电容效应的影响，显著减小了每个开关周期的反向电流，降低了线路的高频损耗，提升了PFC电路的效率。本发明还可改善电磁干扰EMI效果，减少使用元器件数量，提升了效率和功率密度。
一种功率因数校正电路控制方法

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