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[发明专利]同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法-CN201810112294.5有效
发明人：饶毅恒;张怀武;金立川;钟智勇;杨青慧;马博;吴玉娟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料
制备磁化方向钇铁石榴石薄膜石榴石材料内面石榴石磁性薄膜脉冲激光沉积外延薄膜材料磁化磁控溅射法液相外延法磁性材料石榴石外磁

[发明专利]静磁波器件-CN98801046.1无效
发明人：仓田仁义 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 1998-06-29 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：一种静磁波器件，其构成包括：用于激励和传播静磁波的石榴石磁性薄膜，用于将磁场施加于石榴石磁性薄膜的磁场发生器，互相对置并且其间夹有石榴石磁性薄膜的上部接地导体和下部接地导体，以及位于石榴石磁性薄膜和上述上部接地导体与下部接地导体之一之间的射频信号馈线；上述上部接地导体具有一个与石榴石磁性薄膜的一个主表面对置的相对表面，而上述下部接地导体具有一个与石榴石磁性薄膜的另一个主表面对置的相对表面，在上述上部接地导体和上述石榴石磁性薄膜之间形成空隙，该器件满足t1≥tR+5μm，t2≥0μm，及t1+t2≤500μm，其中t1是上述上部接地导体的相对表面和上述石榴石磁性薄膜的主表面之间的距离，t2是上述下部接地导体的相对表面和上述石榴石磁性薄膜的另一个主表面之间的距离
静磁波器件

[发明专利]一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用-CN202210974602.1有效
发明人：潘丽宁;周婷婷;谭果果;满其奎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用，涉及亚铁磁性氧化物薄膜技术领域，所述制备方法包括：采用磁控共溅射沉积方式，于室温下在钆镓石榴石基底上沉积稀土和钇铁石榴石，得到单层非晶稀土掺杂钇铁石榴石薄膜；在氧气气氛下，对所述单层非晶稀土掺杂钇铁石榴石薄膜进行退火处理，得到稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜。本发明利用磁控共溅射沉积方式制备稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜，制备方法简单，成本低，且获得的稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜质量优异，饱和磁化强度和矫顽力可以根据稀土掺杂量的不同而进行有效调节。
一种稀土掺杂铁石榴石单晶薄膜制备方法及其应用

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法-CN02816498.9无效
发明人：坂下幸雄;川崎克己;大井户敦;守越广树;内田清志;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成衬底光学元件及其制备方法

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法、光学元件及其制造方法-CN200480008878.4无效
发明人：内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法光学元件

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法-CN200480008681.0无效
发明人：内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成用基板光学元件及其制造方法

[发明专利]制造磁性石榴石单晶膜和具有不均匀厚度的磁性石榴石单晶膜的方法-CN00118684.1无效
发明人：藤野优 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-06-16 - 公布日： 2001-01-03 - 主分类号： H01F41/28 文献下载
摘要：一种用液相外延工艺制造磁性石榴石单晶膜的方法,它包括以下步骤;在非磁性石榴石单晶基底上形成任何想要的形状和具有任何想要的厚度铂或铂合金膜;将此非磁性石榴石单晶基底与含有作为助熔剂的氧化铅的磁性石榴石原材料的熔体相接触,以使当以助熔剂使铂或铂合金膜从非磁性石榴石单晶基底上去除时生长出磁性石榴石单晶膜于非磁性的石榴石单晶基底上。
制造磁性石榴石单晶膜具有不均匀厚度方法

[发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法-CN202210792212.2有效
发明人：杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，属于光通讯器件技术领域。包括：在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层；将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中，采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层，抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力，平衡晶片在生长过程中产生的翘曲；
一种改善磁性石榴石外延生长过程晶片碎裂方法

[发明专利]一种稀土掺杂铥铁石榴石薄膜及其制备方法-CN202310822831.6在审
发明人：周婷婷;潘丽宁;谭果果;满其奎 -专利权人：中国科学院赣江创新研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂铥铁石榴石薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)在钆镓石榴石基底上沉积稀土石榴石和铥铁石榴石，得到共溅射薄膜；(2)对所述共溅射薄膜进行慢退火处理，得到所述稀土掺杂铥铁石榴石薄膜，本发明解决了目前高稀土掺杂铥铁石榴石单晶薄膜的制作成本大的困难，为其在高频段的应用提供了材料基础。
一种稀土掺杂铁石薄膜及其制备方法

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用-CN201610553010.7有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜，包括钇铝石榴石衬底和GaN薄膜；所述GaN薄膜外延生长在所述钇铝石榴石衬底上；所述钇铝石榴石衬底以(111)面偏(100)面0.5‑1°为外延面，所述钇铝石榴石衬底和所述GaN薄膜的取向关系为：GaN薄膜的(0001)面平行于钇铝石榴石衬底的(111)面。该GaN薄膜的晶体质量好。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。另外，本发明还把所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件中。
生长石榴石衬底 gan 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种铁矿尾砂石榴石分离提纯方法及其制品-CN201610383481.8有效
发明人：曾盘生;李强;付建生;陈心明 -专利权人：河源市紫金天鸥矿业有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种铁矿尾砂石榴石分离提纯方法，包括以下步骤：(1)将铁矿尾砂通入平板强磁选机中，在磁场强度为1300‑1500mt下进行抛尾分离，分别得到磁性矿物和非磁性矿物；(2)将磁性矿物通入筒式强磁选机中，在磁场强度为350‑400mt下将强磁性矿物和弱磁性矿物分离；(3)对弱磁性矿物进行筛分分级操作，将分级后的弱磁性矿物按颗粒粒度大小分别用跳汰和摇床进行选别，分离出密度差异大的石榴石颗粒与硅酸盐矿物；(4)将石榴石颗粒进行干式强磁分离，分离出精矿石榴石、及比精矿石榴石比磁化系数低的弱磁性矿物，得到精矿石榴石。还公开了精矿石榴石。该铁矿尾砂石榴石分离提纯方法不需要增加任何助剂，降低了分离提纯难度，提高了制备出的石榴石的纯度。
一种铁矿砂石分离提纯方法及其制品

[发明专利]磁性石榴石单晶膜及其制法,和使用该单晶膜的法拉第转子-CN01108959.8有效
发明人：大井户敦;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2001-09-26 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及Bi置换稀土类铁石榴石单晶膜及其制造方法，和使用该单晶膜的法拉第转子。其特征在于,在使用外延生长法生长Bi置换磁性石榴石单晶的磁性石榴石单晶膜的制造方法中,随着单晶膜的生长,使上述磁性石榴石单晶膜的晶格常数保持恒定或渐渐减少,接着,随着上述单晶膜的生长使上述晶格常数增加,以形成磁性石榴石单晶膜。
磁性石榴石单晶膜及其制法使用法拉第转子

[发明专利]一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法-CN201810858214.0有效
发明人：毕磊;肖敏;王会丽;夏爽;康同同;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。
一种基于转移打印低温集成石榴石薄膜方法

[发明专利]一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法-CN201811552607.5在审
发明人：赵金花;付刚;李爽 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B30/00 文献下载
摘要：一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法，包括：a)计算得到He离子的能量和剂量；b)按计算得到He离子的能量和剂量对石榴石晶体进行辐照，损伤层将石榴石晶体分割成上端的表面层和下端的衬底层；c)将辐射后的石榴石晶体与衬底材料清洗干净；d)将石榴石晶体的衬底层与衬底材料固定并相互挤压在一起；e)将固定的石榴石晶体与衬底材料进行退火处理得到石榴石晶体薄膜。利用He离子辐照结合bonding技术制成的石榴石晶体薄膜，其质量高，同时实现了衬底材料的自由选择。
石榴石晶体衬底材料薄膜离子辐照衬底层制备离子辐照退火处理自由选择表面层固定的损伤层上端挤压清洗辐射分割

[发明专利]静磁波器件-CN00104010.3无效
发明人：藤野优 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-03-08 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： C30B29/00 文献下载
摘要：它包含衬底;以及位于衬底上的第一和第二磁性石榴石单晶薄膜,第一和第二层具有不同的磁饱和。比较好的是,构成磁性石榴石单晶薄膜的其中一层的厚度小于靠近衬底的另一层的厚度。
静磁波器件

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